规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 100V 70A SP3
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 70A 208W Chassis Mount SP3
型号:
APTM10DSKM19T3G
仓库库存编号:
APTM10DSKM19T3G-ND
规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
DIODE BRIDGE 1600V 72A PWS-D
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 1600V 72A Chassis Mount PWS-D
型号:
VBO72-16NO7
仓库库存编号:
VBO72-16NO7-ND
规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
DIODE BRIDGE 1600V 90A
详细描述:Bridge Rectifier Three Phase 1600V 90A Chassis Mount PWS-D-Flat
型号:
VUO84-16NO7
仓库库存编号:
VUO84-16NO7-ND
规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
DIODE BRIDGE 1200V 65A FO-T-A
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 1200V 65A Chassis Mount FO-T-A
型号:
VBO65-12NO7
仓库库存编号:
VBO65-12NO7-ND
规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
DIODE BRIDGE 45A 1800V FO-T-A
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 1800V 45A Chassis Mount FO-T-A
型号:
VBO45-18NO7
仓库库存编号:
VBO45-18NO7-ND
规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
DIODE BRIDGE 1200V 75A
详细描述:Bridge Rectifier Three Phase (Braking) 1200V 75A Chassis Mount V1A-PAK
型号:
VUB72-12NOXT
仓库库存编号:
VUB72-12NOXT-ND
规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 105A LS CHOP SOT-227
详细描述:IGBT Module NPT Single 1200V 134A 463W Chassis Mount SOT-227
型号:
VS-GT105LA120UX
仓库库存编号:
VS-GT105LA120UX-ND
规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 105A HS CHOP SOT-227
详细描述:IGBT Module Trench Single 1200V 134A 463W Chassis Mount SOT-227
型号:
VS-GT105NA120UX
仓库库存编号:
VS-GT105NA120UX-ND
规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
DIODE BRIDGE 1600V 65A FO-T-A
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 1600V 65A Chassis Mount FO-T-A
型号:
VBO65-16NO7
仓库库存编号:
VBO65-16NO7-ND
规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
DIODE BRIDGE 50A 1200V PWS-A
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 1200V 50A Chassis Mount PWS-A
型号:
VBO50-12NO7
仓库库存编号:
VBO50-12NO7-ND
规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
RECT BRIDGE 3PH 58A 1200V PWS-B
详细描述:Bridge Rectifier Three Phase 1200V 58A Chassis Mount PWS-B
型号:
VUO55-12NO7
仓库库存编号:
VUO55-12NO7-ND
规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
RECT BRIDGE 3PH 85A 800V FO-T-A
详细描述:Bridge Rectifier Three Phase 800V 85A Chassis Mount FO-T-A
型号:
VUO85-08NO7
仓库库存编号:
VUO85-08NO7-ND
规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 72A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 72A(Tc) 580W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFE80N50
仓库库存编号:
IXFE80N50-ND
规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
DIODE BRIDGE 2200V 60A
详细描述:Bridge Rectifier Three Phase 2200V 60A Chassis Mount V1A-PAK
型号:
VUO52-22NO1
仓库库存编号:
VUO52-22NO1-ND
规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET 2N-CH 200V 45A TO-240AA
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 200V 45A 190W Chassis Mount TO-240AA
型号:
VMM45-02F
仓库库存编号:
VMM45-02F-ND
规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 600V 49A 250W Chassis Mount SP1
型号:
APTC60AM45T1G
仓库库存编号:
APTC60AM45T1G-ND
规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 31A(Tc) 657W(Tc) SP1
型号:
APTM120DA30T1G
仓库库存编号:
APTM120DA30T1G-ND
规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1700V 130A 465W SP1
详细描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1700V 130A 465W Chassis Mount SP1
型号:
APTGT75DA170T1G
仓库库存编号:
APTGT75DA170T1G-ND
规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 600V 8.8A 23W IMS-2
详细描述:IGBT Module 600V 8.8A 23W Through Hole IMS-2
型号:
VS-CPV362M4FPBF
仓库库存编号:
VS-CPV362M4FPBF-ND
别名:VSCPV362M4FPBF
规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
DIODE BRIDGE 1600V 75A
详细描述:Bridge Rectifier Three Phase 1600V 75A Chassis Mount V1A-PAK
型号:
VUI72-16NOXT
仓库库存编号:
VUI72-16NOXT-ND
规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
RECT BRIDGE 3PH 58A 1400V PWS-B
详细描述:Bridge Rectifier Three Phase 1400V 58A Chassis Mount PWS-B
型号:
VUO55-14NO7
仓库库存编号:
VUO55-14NO7-ND
规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
RECT BRIDGE 100A 800V FO-T-A
详细描述:Bridge Rectifier Three Phase 800V 100A Chassis Mount FO-T-A
型号:
VUO100-08NO7
仓库库存编号:
VUO100-08NO7-ND
规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
RECT BRIDGE 3PH 85A 1200V FO-T-A
详细描述:Bridge Rectifier Three Phase 1200V 85A Chassis Mount FO-T-A
型号:
VUO85-12NO7
仓库库存编号:
VUO85-12NO7-ND
规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 500V 51A 390W Chassis Mount SP3
型号:
APTM50DHM65T3G
仓库库存编号:
APTM50DHM65T3G-ND
规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2
详细描述:IGBT Module Three Phase Inverter 600V 11A 36W Through Hole IMS-2
型号:
CPV363M4K
仓库库存编号:
CPV363M4K-ND
别名:*CPV363M4K
VS-CPV363M4K
VS-CPV363M4K-ND
VSCPV363M4K
VSCPV363M4K-ND
规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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