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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 39A（Tc） 400W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFE44N50QD3
  仓库库存编号：IXFE44N50QD3-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  RECT BRIDGE 3PH 70A 1200V FO-T-A
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1200V 70A Chassis Mount FO-T-A
  
  型号：VUO70-12NO7
  仓库库存编号：VUO70-12NO7-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  MOD IGBT 1600V 75A 3-PHASE MTP
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1600V 75A Chassis Mount MTK
  
  型号：VS-70MT160PAPBF
  仓库库存编号：VS-70MT160PAPBF-ND
  别名：VS70MT160PAPBF
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 140A 480W SP1
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 140A 480W Chassis Mount SP1
  
  型号：APTGT100DA120T1G
  仓库库存编号：APTGT100DA120T1G-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  DIODE BRIDGE 1800V 76A ECO-PAC2
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1800V 78A Chassis Mount ECO-PAC2
  
  型号：VBO78-18NO7
  仓库库存编号：VBO78-18NO7-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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  RECT MODULE PFC 3PH 1200V V1-A
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase (PFC Module) 1200V 40A Chassis Mount Module
  
  型号：VUI30-12N1
  仓库库存编号：VUI30-12N1-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT MODULE 650V SOT227
  详细描述：IGBT Module PT Single 650V 225A 625W Chassis Mount SOT-227B
  
  型号：IXA220I650NA
  仓库库存编号：IXA220I650NA-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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  DIODE BRIDGE 45A 1600V FO-T-A
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1600V 45A Chassis Mount FO-T-A
  
  型号：VBO45-16NO7
  仓库库存编号：VBO45-16NO7-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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  DIODE BRIDGE 800V 65A FO-T-A
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 65A Chassis Mount FO-T-A
  
  型号：VBO65-08NO7
  仓库库存编号：VBO65-08NO7-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  DIODE BRIDGE 1800V 95A ECO-PAC2
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1800V 92A Chassis Mount ECO-PAC2
  
  型号：VBO88-18NO7
  仓库库存编号：VBO88-18NO7-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  RECT BRIDGE 3PH 88A 1400V PWS-D
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1400V 88A Chassis Mount PWS-D
  
  型号：VUO82-14NO7
  仓库库存编号：VUO82-14NO7-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP1
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1700V 45A 210W Chassis Mount SP1
  
  型号：APTGT30A170T1G
  仓库库存编号：APTGT30A170T1G-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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  RECT BRIDGE 3PH 54A 2000V V1-A
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 2000V 54A Chassis Mount V1-A
  
  型号：VUO52-20NO1
  仓库库存编号：VUO52-20NO1-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 600V 20A 208W Chassis Mount SP1
  
  型号：APTM60H23FT1G
  仓库库存编号：APTM60H23FT1G-ND
  别名：APTM60H23UT1G
  APTM60H23UT1G-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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  RECT BRIDGE 3PH 70A 1400V FO-T-A
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1400V 70A Chassis Mount FO-T-A
  
  型号：VUO70-14NO7
  仓库库存编号：VUO70-14NO7-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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  DIODE BRIDGE 1800V 72A PWS-D
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1800V 72A Chassis Mount PWS-D
  
  型号：VBO72-18NO7
  仓库库存编号：VBO72-18NO7-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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  RECT BRIDGE 3PH 88A 1800V PWS-D
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1800V 88A Chassis Mount PWS-D
  
  型号：VUO82-18NO7
  仓库库存编号：VUO82-18NO7-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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  DIODE BRIDGE 50A 800V PWS-A
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 50A Chassis Mount PWS-A
  
  型号：VBO50-08NO7
  仓库库存编号：VBO50-08NO7-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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  DIODE BRIDGE 1400V 65A FO-T-A
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1400V 65A Chassis Mount FO-T-A
  
  型号：VBO65-14NO7
  仓库库存编号：VBO65-14NO7-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 600V 40A 390W Chassis Mount SP1
  
  型号：APTM60A11FT1G
  仓库库存编号：APTM60A11FT1G-ND
  别名：APTM60A11UT1G
  APTM60A11UT1G-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOD IGBT 1200V 75A SP2
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 75A 277W Chassis Mount SP2
  
  型号：APTGT50A1202G
  仓库库存编号：APTGT50A1202G-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 800V 28A SP3
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 800V 28A 277W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTC80DDA15T3G
  仓库库存编号：APTC80DDA15T3G-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 800V 28A SP3
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 800V 28A 277W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTC80DSK15T3G
  仓库库存编号：APTC80DSK15T3G-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 900V 33A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 900V 33A（Tc） 290W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT33N90JCCU2
  仓库库存编号：APT33N90JCCU2-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 100V 70A SP3
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 70A 208W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTM10DDAM19T3G
  仓库库存编号：APTM10DDAM19T3G-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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