品牌:Renesas Electronics America,规格:工作温度 175°C(TJ),
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 75A 8HSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 1W(Ta),138W(Tc) 8-HSON
型号:
NP75N04YUG-E1-AY
仓库库存编号:
NP75N04YUG-E1-AYCT-ND
别名:NP75N04YUG-E1-AYCT
NP75N04YUGE1AY
品牌:Renesas Electronics America,规格:工作温度 175°C(TJ),
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT TRENCH 650V 60A TO247A
详细描述:IGBT Trench 650V 60A 150W Through Hole TO-247A
型号:
RJP65T43DPQ-A0#T2
仓库库存编号:
RJP65T43DPQ-A0#T2-ND
品牌:Renesas Electronics America,规格:工作温度 175°C(TJ),
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT TRENCH 650V 100A TO247A
详细描述:IGBT Trench 650V 100A 250W Through Hole TO-247A
型号:
RJH65T14DPQ-A0#T0
仓库库存编号:
RJH65T14DPQ-A0#T0-ND
品牌:Renesas Electronics America,规格:工作温度 175°C(TJ),
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT TRENCH 650V 80A TO247A
详细描述:IGBT Trench 650V 80A 340.9W Through Hole TO-247A
型号:
RJH65T46DPQ-A0#T0
仓库库存编号:
RJH65T46DPQ-A0#T0-ND
品牌:Renesas Electronics America,规格:工作温度 175°C(TJ),
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT TRENCH 650V 90A TO247A
详细描述:IGBT Trench 650V 90A 375W Through Hole TO-247A
型号:
RJH65T47DPQ-A0#T0
仓库库存编号:
RJH65T47DPQ-A0#T0-ND
品牌:Renesas Electronics America,规格:工作温度 175°C(TJ),
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT TRENCH 650V 100A TO247A
详细描述:IGBT Trench 650V 100A 375W Through Hole TO-247A
型号:
RJH65D27BDPQ-A0#T2
仓库库存编号:
RJH65D27BDPQ-A0#T2-ND
品牌:Renesas Electronics America,规格:工作温度 175°C(TJ),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 22A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Ta) 1.2W(Ta),45W(Tc) TO-252(MP-3ZK)
型号:
NP22N055SHE-E1-AY
仓库库存编号:
NP22N055SHE-E1-AY-ND
品牌:Renesas Electronics America,规格:工作温度 175°C(TJ),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 32A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 32A(Tc) 1.2W(Ta),66W(Tc) TO-252(MP-3ZK)
型号:
NP32N055SLE-E1-AY
仓库库存编号:
NP32N055SLE-E1-AY-ND
品牌:Renesas Electronics America,规格:工作温度 175°C(TJ),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 34A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 34A(Ta) 1.2W(Ta),88W(Tc) TO-252(MP-3ZK)
型号:
NP34N055SLE-E1-AY
仓库库存编号:
NP34N055SLE-E1-AY-ND
品牌:Renesas Electronics America,规格:工作温度 175°C(TJ),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 52A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 52A(Tc) 1.2W(Ta),56W(Tc) TO-252(MP-3ZK)
型号:
NP52N055SUG-E1-AY
仓库库存编号:
NP52N055SUG-E1-AY-ND
品牌:Renesas Electronics America,规格:工作温度 175°C(TJ),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 40V 36A TO-252
详细描述:表面贴装 P 沟道 36A(Tc) 1.2W(Ta),56W(Tc) TO-252(MP-3ZK)
型号:
NP36P04SDG-E1-AY
仓库库存编号:
NP36P04SDG-E1-AYCT-ND
别名:NP36P04SDG-E1-AYCT
NP36P04SDGE1AY
品牌:Renesas Electronics America,规格:工作温度 175°C(TJ),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 35A 8HSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 35A(Tc) 1W(Ta),77W(Tc) 8-HSON
型号:
NP35N04YUG-E1-AY
仓库库存编号:
NP35N04YUG-E1-AYCT-ND
别名:NP35N04YUG-E1-AYCT
NP35N04YUGE1AY
品牌:Renesas Electronics America,规格:工作温度 175°C(TJ),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 40V 50A TO-252
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 50A(Tc) 1.2W(Ta),84W(Tc) TO-252(MP-3ZK)
型号:
NP50P04SDG-E1-AY
仓库库存编号:
NP50P04SDG-E1-AYCT-ND
别名:NP50P04SDG-E1-AYCT
NP50P04SDGE1AY
品牌:Renesas Electronics America,规格:工作温度 175°C(TJ),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 30V 75A 8HSON
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 75A(Tc) 1W(Ta),138W(Tc) 8-HSON
型号:
NP75P03YDG-E1-AY
仓库库存编号:
NP75P03YDG-E1-AYCT-ND
别名:NP75P03YDG-E1-AYCT
NP75P03YDGE1AY
品牌:Renesas Electronics America,规格:工作温度 175°C(TJ),
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 82A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 82A(Tc) 1.8W(Ta),143W(Tc) TO-263
型号:
NP82N055PUG-E1-AY
仓库库存编号:
NP82N055PUG-E1-AYTR-ND
别名:NP82N055PUG-E1-AY-ND
NP82N055PUG-E1-AYTR
品牌:Renesas Electronics America,规格:工作温度 175°C(TJ),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 100V 70A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 70A(Tc) 1.8W(Ta),120W(Tc) TO-263
型号:
NP70N10KUF-E1-AY
仓库库存编号:
NP70N10KUF-E1-AY-ND
品牌:Renesas Electronics America,规格:工作温度 175°C(TJ),
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 90A TO-220
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 1.2W(Ta),147W(Tc) TO-252-3
型号:
NP90N055VUK-E1-AY
仓库库存编号:
NP90N055VUK-E1-AY-ND
品牌:Renesas Electronics America,规格:工作温度 175°C(TJ),
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 40V 100A TO-263
详细描述:表面贴装 P 沟道 100A(Tc) 1.8W(Ta),200W(Tc) TO-263
型号:
NP100P04PDG-E1-AY
仓库库存编号:
NP100P04PDG-E1-AY-ND
品牌:Renesas Electronics America,规格:工作温度 175°C(TJ),
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Renesas Electronics America
IGBT TRENCH 650V 60A TO-3PFP
详细描述:IGBT Trench Through Hole TO-3PFP
型号:
RJH65T04BDPMA0#T2F
仓库库存编号:
RJH65T04BDPMA0#T2F-ND
品牌:Renesas Electronics America,规格:工作温度 175°C(TJ),
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Renesas Electronics America
IGBT TRENCH 650V 60A TO-3PFP
详细描述:IGBT Trench Through Hole TO-3PFP
型号:
RJP65T54DPM-A0#T2
仓库库存编号:
RJP65T54DPM-A0#T2-ND
品牌:Renesas Electronics America,规格:工作温度 175°C(TJ),
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 60V 100A TO-263
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 100A(Tc) 1.8W(Ta),200W(Tc) TO-263
型号:
NP100P06PDG-E1-AY
仓库库存编号:
NP100P06PDG-E1-AY-ND
品牌:Renesas Electronics America,规格:工作温度 175°C(TJ),
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 60V 100A TO-263
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 100A(Tc) 1.8W(Ta),200W(Tc) TO-263
型号:
NP100P06PLG-E1-AY
仓库库存编号:
NP100P06PLG-E1-AY-ND
品牌:Renesas Electronics America,规格:工作温度 175°C(TJ),
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V MP-25ZP/TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 110A(Ta) 1.8W(Ta),220W(Tc) TO-263
型号:
NP109N055PUJ-E1B-AY
仓库库存编号:
NP109N055PUJ-E1B-AY-ND
品牌:Renesas Electronics America,规格:工作温度 175°C(TJ),
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V MP-25ZP/TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 110A(Tc) 1.8W(Ta),288W(Tc) TO-263
型号:
NP110N03PUG-E1-AY
仓库库存编号:
NP110N03PUG-E1-AY-ND
品牌:Renesas Electronics America,规格:工作温度 175°C(TJ),
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 110A(Tc) 1.8W(Ta),288W(Tc) TO-263
型号:
NP110N04PUG-E1-AY
仓库库存编号:
NP110N04PUG-E1-AY-ND
品牌:Renesas Electronics America,规格:工作温度 175°C(TJ),
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