规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Littelfuse Inc.
TVS DIODE 185VWM 328VC AXIAL
型号：
1.5KE220A
仓库库存编号：
1.5KE220ALFCT-ND
别名：1.5KE220ALFCT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
TVS DIODE 6.4VWM 11.3VC DO201AE
型号：
1V5KE7V5CA
仓库库存编号：
1V5KE7V5CACT-ND
别名：1V5KE7V5CACT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 35A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 88W（Tc） TO-252AA
型号：
FDD8796
仓库库存编号：
FDD8796CT-ND
别名：FDD8796CT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 11.4A TO-220
详细描述：通孔 P 沟道 11.4A（Tc） 53W（Tc） TO-220AB
型号：
FQP11P06
仓库库存编号：
FQP11P06-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 50A POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 75W（Tj） Power56
型号：
FDMS86380_F085
仓库库存编号：
FDMS86380_F085CT-ND
别名：FDMS86380_F085CT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 25A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 48.4W（Tj） D-PAK（TO-252AA）
型号：
FDD86381_F085
仓库库存编号：
FDD86381_F085CT-ND
别名：FDD86381_F085CT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 7.9A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.9A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
FDS4488
仓库库存编号：
FDS4488CT-ND
别名：FDS4488CT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 50A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 75W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
FDD9410_F085
仓库库存编号：
FDD9410_F085CT-ND
别名：FDD9410_F085CT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 30A SO8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 48W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJA96EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJA96EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJA96EP-T1_GE3CT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 30A SO8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 48W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJA86EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJA86EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJA86EP-T1_GE3CT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A SO8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 48W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJ860EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJ860EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJ860EP-T1_GE3CT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
TVS DIODE 300VWM 482VC DO201AE
型号：
1V5KE350CA
仓库库存编号：
1V5KE350CACT-ND
别名：1V5KE350CACT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 17.6A POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 17.6A（Tc） 41.7W（Tc） Power56
型号：
FDMS5362L_F085
仓库库存编号：
FDMS5362L_F085CT-ND
别名：FDMS5362L_F085CT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Tc） 83W（Tc） DPAK
型号：
NTD6415ANLT4G
仓库库存编号：
NTD6415ANLT4GOSCT-ND
别名：NTD6415ANLT4GOSCT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
TVS DIODE 376VWM 602VC DO201AE
型号：
1V5KE440CA
仓库库存编号：
1V5KE440CAFSCT-ND
别名：1V5KE440CAFSCT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
TVS DIODE 342VWM 548VC DO201AE
型号：
1V5KE400CA
仓库库存编号：
1V5KE400CAFSCT-ND
别名：1V5KE400CAFSCT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
TVS DIODE 256VWM 414VC DO201AE
型号：
1V5KE300CA
仓库库存编号：
1V5KE300CACT-ND
别名：1V5KE300CACT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 35A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 50W（Tc） TO-252AA
型号：
FDD8782
仓库库存编号：
FDD8782CT-ND
别名：FDD8782CT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 16A 1212-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 16A（Tc） 53W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SQ7415AEN-T1_GE3
仓库库存编号：
SQ7415AEN-T1_GE3TR-ND
别名：SQ7415AEN-T1-GE3
SQ7415AEN-T1-GE3TR
SQ7415AEN-T1-GE3TR-ND
SQ7415AEN-T1_GE3TR
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 55A D-PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 12.6A（Ta），55A（Tc） 55W（Tc） TO-252AA
型号：
FDD8882
仓库库存编号：
FDD8882CT-ND
别名：FDD8882CT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 80V 50A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 2.6W（Ta） TO-252
型号：
DMTH8012LK3-13
仓库库存编号：
DMTH8012LK3-13DICT-ND
别名：DMTH8012LK3-13DICT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 60V 7.2A TO252
详细描述：表面贴装 P 沟道 7.2A（Ta），23.6A（Tc） 1.9W（Ta） TO-252
型号：
DMPH6050SK3Q-13
仓库库存编号：
DMPH6050SK3Q-13DICT-ND
别名：DMPH6050SK3Q-13DICT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 65W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
FDD050N03B
仓库库存编号：
FDD050N03BCT-ND
别名：FDD050N03BCT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A SO8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 48W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJA00EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJA00EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJA00EP-T1_GE3CT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 27A SO8
详细描述：表面贴装 N 沟道 27A（Tc） 45W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJ416EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJ416EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJ416EP-T1_GE3CT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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