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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 32A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 32A（Tc） 45W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN017-30PL,127
  仓库库存编号：1727-7130-ND
  别名：1727-7130
  568-9506-5
  568-9506-5-ND
  934066818127
  PSMN01730PL127
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 16A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 45W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP16NF06L
  仓库库存编号：497-2765-5-ND
  别名：497-2765-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 9.2A（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF520PBF
  仓库库存编号：IRF520PBF-ND
  别名：*IRF520PBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 17A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 30W（Tc） I-Pak
  
  型号：STD17NF03L-1
  仓库库存编号：497-15726-5-ND
  别名：497-15726-5
  STD17NF03L-1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 24VWM 38.9VC P600
  
  型号：5KP24A-E3/54
  仓库库存编号：5KP24A-E3/54GICT-ND
  别名：5KP24A-E3/54GICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP
  详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRLD024PBF
  仓库库存编号：IRLD024PBF-ND
  别名：*IRLD024PBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 61A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 11A（Ta），61A（Tc） 4.1W（Ta），118W（Tc） DPAK-3
  
  型号：NVD5117PLT4G-VF01
  仓库库存编号：NVD5117PLT4G-VF01CT-ND
  别名：NVD5117PLT4G-VF01CT
  NVD5117PLT4GOSCT
  NVD5117PLT4GOSCT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 80V 40A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD40N08-16-E3
  仓库库存编号：SUD40N08-16-E3CT-ND
  别名：SUD40N08-16-E3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP
  详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD024PBF
  仓库库存编号：IRFD024PBF-ND
  别名：*IRFD024PBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  TVS DIODE 39VWM 51.5VC D2PAK
  
  型号：LDP01-39AY
  仓库库存编号：497-15297-1-ND
  别名：497-15297-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 80V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 8.3W（Ta），136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD50P08-25L-E3
  仓库库存编号：SUD50P08-25L-E3CT-ND
  别名：SUD50P08-25L-E3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 50A TO252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD50P04-09L-E3
  仓库库存编号：SUD50P04-09L-E3CT-ND
  别名：SUD50P04-09L-E3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 30A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 79W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FQP30N06
  仓库库存编号：FQP30N06FS-ND
  别名：FQP30N06-ND
  FQP30N06FS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 26A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 85W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP24NF10
  仓库库存编号：497-3185-5-ND
  别名：497-3185-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 27A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 27A（Tc） 120W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP27P06
  仓库库存编号：FQP27P06-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 32A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 32A（Tc） 79W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FQP30N06L
  仓库库存编号：FQP30N06L-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 50A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD50N06-09L-E3
  仓库库存编号：SUD50N06-09L-E3CT-ND
  别名：SUD50N06-09L-E3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Littelfuse Inc.
  TVS DIODE 64VWM 103VC AXIAL
  
  型号：5KP64A
  仓库库存编号：5KP64ALFCT-ND
  别名：5KP64ACT
  5KP64ACT-ND
  5KP64ALFCT
  F3403CT
  F3403CT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 30A
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30A（Tc） 83W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ461EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ461EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ461EP-T1_GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 50A TO252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 3W（Ta），100W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD50P04-15-E3
  仓库库存编号：SUD50P04-15-E3CT-ND
  别名：SUD50P04-15-E3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 32A（Tc） 100W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ469EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ469EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ469EP-T1-GE3CT
  SQJ469EP-T1-GE3CT-ND
  SQJ469EP-T1_GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 42.8W（Tc） I-Pak
  
  型号：STD12NF06L-1
  仓库库存编号：497-6730-5-ND
  别名：497-6730-5
  STD12NF06L-1-ND
  STD12NF06L1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），80A（Tc） 242W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB5800
  仓库库存编号：FDB5800CT-ND
  别名：FDB5800CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 60A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 3.75W（Ta），150W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM60N10-17-E3
  仓库库存编号：SUM60N10-17-E3CT-ND
  别名：SUM60N10-17-E3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Littelfuse Inc.
  TVS DIODE 16VWM 26VC AXIAL
  
  型号：SLD16U-017
  仓库库存编号：F5677CT-ND
  别名：F5677CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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