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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 24A 140W D2PAK
  详细描述：IGBT Trench 600V 24A 140W Surface Mount D2PAK
  
  型号：IRGS4056DPBF
  仓库库存编号：IRGS4056DPBF-ND
  别名：SP001546124
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 37A TO220-FP
  详细描述：通孔 N 沟道 37A（Tc） 40.5W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：IPA105N15N3 G
  仓库库存编号：IPA105N15N3 G-ND
  别名：IPA105N15N3G
  IPA105N15N3GXKSA1
  SP000677850
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 80A 283W TO247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 80A 283W Through Hole TO-247
  
  型号：STGW40V60DF
  仓库库存编号：497-13766-5-ND
  别名：497-13766-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 100A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 306W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP8440
  仓库库存编号：FDP8440-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 195A（Tc） 375W（Tc） TO-220AB
  
  型号：AUIRFB8409
  仓库库存编号：IRAUIRFB8409-ND
  别名：IRAUIRFB8409
  SP001521544
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 104A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 104A（Tc） 380W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB4115GPBF
  仓库库存编号：IRFB4115GPBF-ND
  别名：SP001572390
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  IGBT 650V 60A TO247
  详细描述：IGBT 650V 120A 500W Through Hole TO-247
  
  型号：AOK60B65M3
  仓库库存编号：785-1757-ND
  别名：785-1757
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  IGBT 650V 50A TO247
  详细描述：IGBT 650V 100A 500W Through Hole TO-247
  
  型号：AOK50B65M2
  仓库库存编号：785-1756-ND
  别名：785-1756
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 195A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 195A（Tc） 380W（Tc） TO-262
  
  型号：IRLSL3036PBF
  仓库库存编号：IRLSL3036PBF-ND
  别名：SP001559028
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 65A 250W TO247AC
  详细描述：IGBT 600V 65A 250W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRGP4640D-EPBF
  仓库库存编号：IRGP4640D-EPBF-ND
  别名：IRGP4640DEPBF
  SP001546168
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 180A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 180A（Tc） 370W（Tc） TO-262
  
  型号：IRLSL4030PBF
  仓库库存编号：IRLSL4030PBF-ND
  别名：SP001558626
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 195A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 195A（Tc） 375W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFSL3006PBF
  仓库库存编号：IRFSL3006PBF-ND
  别名：SP001573396
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 43A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 43A（Tc） 39W（Tc） PG-TO220-3
  
  型号：IPA075N15N3 G
  仓库库存编号：IPA075N15N3 G-ND
  别名：IPA075N15N3G
  IPA075N15N3GXKSA1
  SP000607018
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 300V 38A TO-220PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 341W（Tc） TO-220
  
  型号：IRFB4137PBF
  仓库库存编号：IRFB4137PBF-ND
  别名：SP001554580
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 96A 330W TO247AD
  详细描述：IGBT Trench 600V 96A 330W Through Hole TO-247AD
  
  型号：IRGP4068D-EPBF
  仓库库存编号：IRGP4068D-EPBF-ND
  别名：IRGP4068DEPBF
  SP001542408
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 90A 385W TO247AC
  详细描述：IGBT Trench 1200V 90A 385W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRG7PH42UPBF
  仓库库存编号：IRG7PH42UPBF-ND
  别名：SP001542060
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 98A SUPER-220
  详细描述：通孔 N 沟道 98A（Tc） 650W（Tc） SUPER-220?（TO-273AA）
  
  型号：IRFBA90N20DPBF
  仓库库存编号：IRFBA90N20DPBF-ND
  别名：*IRFBA90N20DPBF
  SP001551776
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 300V 38A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 341W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRFP4137PBF
  仓库库存编号：IRFP4137PBF-ND
  别名：SP001571068
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 96A 330W TO247AC
  详细描述：IGBT Trench 600V 96A 330W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRGP4068DPBF
  仓库库存编号：IRGP4068DPBF-ND
  别名：63-6030PBF
  63-6030PBF-ND
  SP001535818
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 76A 268W TO247AD
  详细描述：IGBT 600V 76A 268W Through Hole TO-247AD
  
  型号：IRGP4650D-EPBF
  仓库库存编号：IRGP4650D-EPBF-ND
  别名：IRGP4650DEPBF
  SP001535810
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 170A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 170A（Tc） 375W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA170N06
  仓库库存编号：FQA170N06-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 107A 366W TO247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 107A 366W Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT50GN60BDQ2G
  仓库库存编号：APT50GN60BDQ2G-ND
  别名：APT50GN60BDQ2GMI
  APT50GN60BDQ2GMI-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 120A 469W TO-3P
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 120A 469W Through Hole TO-3P
  
  型号：STGWT80V60DF
  仓库库存编号：497-14563-5-ND
  别名：497-14563-5
  STGWT80V60DF-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 1200V 40A TO247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 80A 468W Through Hole TO-247-3
  
  型号：STGW40S120DF3
  仓库库存编号：497-15629-5-ND
  别名：497-15629-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 120A 469W TO-3P
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 120A 469W Through Hole TO-3P
  
  型号：STGWT80V60F
  仓库库存编号：497-15142-5-ND
  别名：497-15142-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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