规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 48W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU4105ZPBF
仓库库存编号:
IRFU4105ZPBF-ND
别名:*IRFU4105ZPBF
SP001552434
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 36A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 36A(Tc) 92W(Tc) TO-262
型号:
IRF540ZLPBF
仓库库存编号:
IRF540ZLPBF-ND
别名:*IRF540ZLPBF
SP001559652
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 100V 62A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 62A(Tc) 140W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB4510PBF
仓库库存编号:
IRFB4510PBF-ND
别名:SP001566724
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC AXIAL
型号:
1.5KE6.8A-E3/51
仓库库存编号:
1.5KE6.8A-E3/51GI-ND
别名:1.5KE6.8A-E3/51GI
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 13A(Tc) 110W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU6215PBF
仓库库存编号:
IRFU6215PBF-ND
别名:*IRFU6215PBF
SP001557816
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 10A 24W Through Hole TO-220FP
型号:
STGF5H60DF
仓库库存编号:
497-16481-5-ND
别名:497-16481-5
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 48A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 48A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ44EPBF
仓库库存编号:
IRFZ44EPBF-ND
别名:*IRFZ44EPBF
SP001557776
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 110A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 110A(Tc) 200W(Tc) TO-262
型号:
IRF3205LPBF
仓库库存编号:
IRF3205LPBF-ND
别名:*IRF3205LPBF
SP001564458
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 43A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 43A(Tc) 71W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL3806PBF
仓库库存编号:
IRFSL3806PBF-ND
别名:SP001571672
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 95A(Tc) 125W(Tc) TO-220
型号:
IRFB7545PBF
仓库库存编号:
IRFB7545PBF-ND
别名:SP001563968
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 230W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS3306TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS3306TRLPBFCT-ND
别名:IRFS3306TRLPBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
TVS DIODE 36.8VWM 59.3VC AXIAL
型号:
1.5KE43CA-E3/51
仓库库存编号:
1.5KE43CA-E3/51GI-ND
别名:1.5KE43CA-E3/51GI
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 56A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 56A(Tc) 110W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU2405PBF
仓库库存编号:
IRFU2405PBF-ND
别名:*IRFU2405PBF
64-4137PBF
64-4137PBF-ND
SP001571782
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 33A(Tc) 120W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUF75631S3ST
仓库库存编号:
HUF75631S3STFSCT-ND
别名:HUF75631S3STFSCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 130W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3705ZPBF
仓库库存编号:
IRL3705ZPBF-ND
别名:*IRL3705ZPBF
SP001557992
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 135A(Tc) 200W(Tc) D2PAK
型号:
IRF2805STRLPBF
仓库库存编号:
IRF2805STRLPBFCT-ND
别名:IRF2805STRLPBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 100A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 214W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB035N08N3 G
仓库库存编号:
IPB035N08N3 GCT-ND
别名:IPB035N08N3 GCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 45A TO220-FP
详细描述:通孔 N 沟道 45A(Tc) 37.5W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA086N10N3 G
仓库库存编号:
IPA086N10N3 G-ND
别名:IPA086N10N3G
IPA086N10N3GXKSA1
SP000485984
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 40A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 40A(Tc) 54W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFIZ48NPBF
仓库库存编号:
IRFIZ48NPBF-ND
别名:*IRFIZ48NPBF
SP001572624
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 70A(Tc) 125W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP70N10S312AKSA1
仓库库存编号:
IPP70N10S312AKSA1-ND
别名:IPP70N10S3-12
IPP70N10S3-12-ND
IPP70N10S312
SP000407122
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 90A(Tc) 188W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP040N06N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPP040N06N3GXKSA1-ND
别名:IPP040N06N3 G
IPP040N06N3 G-ND
IPP040N06N3G
SP000680788
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 170W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF1104PBF
仓库库存编号:
IRF1104PBF-ND
别名:*IRF1104PBF
SP001570050
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 160A(Tc) 214W(Tc) PG-TO263-7
型号:
IPB030N08N3 G
仓库库存编号:
IPB030N08N3 GCT-ND
别名:IPB030N08N3 GCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 80V 110A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 110A(Tc) 200W(Tc) TO-220
型号:
STP110N8F6
仓库库存编号:
497-16019-5-ND
别名:497-16019-5
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 160A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 230W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB3306GPBF
仓库库存编号:
IRFB3306GPBF-ND
别名:SP001555952
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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