规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 56W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB065N03L G
仓库库存编号:
IPB065N03LGINCT-ND
别名:IPB065N03LGINCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Diodes Incorporated
TVS DIODE 20VWM 32.4VC SMC
型号:
3.0SMCJ20A-13
仓库库存编号:
3.0SMCJ20ADICT-ND
别名:3.0SMCJ20ADICT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 10A 83W Surface Mount DPAK
型号:
STGD5H60DF
仓库库存编号:
497-16479-1-ND
别名:497-16479-1
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Micro Commercial Co
TVS DIODE 10VWM 17VC SMC
型号:
SMLJ10CA-TP
仓库库存编号:
SMLJ10CA-TPMSCT-ND
别名:SMLJ10CA-TPMSCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Micro Commercial Co
TVS DIODE 14VWM 23.2VC SMC
型号:
SMLJ14CA-TP
仓库库存编号:
SMLJ14CA-TPMSCT-ND
别名:SMLJ14CA-TPMSCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Micro Commercial Co
TVS DIODE 17VWM 27.6VC SMC
型号:
SMLJ17CA-TP
仓库库存编号:
SMLJ17CA-TPMSCT-ND
别名:SMLJ17CA-TPMSCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 56A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 56A(Tc) 98W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR7446TRPBF
仓库库存编号:
IRFR7446TRPBFCT-ND
别名:IRFR7446TRPBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 71W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD25CN10NGATMA1
仓库库存编号:
IPD25CN10NGATMA1CT-ND
别名:IPD25CN10NGATMA1CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 77A DIRECTFET-S2
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.8A(Ta),21A(Tc) 2.4W(Ta),30W(Tc) DIRECTFET SB
型号:
AUIRF7640S2TR
仓库库存编号:
AUIRF7640S2CT-ND
别名:AUIRF7640S2CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 42A(Tc) 91W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
IRFR48ZTRLPBF
仓库库存编号:
IRFR48ZTRLPBFCT-ND
别名:IRFR48ZTRLPBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Micro Commercial Co
TVS DIODE 190VWM 310VC R6
型号:
3KP190A-TP
仓库库存编号:
3KP190A-TPMSCT-ND
别名:3KP190A-TPMSCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
AUTOMOTIVE-GRADE DUAL N-CHANNEL
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 8A (Ta) 3.2W Surface Mount 8-SO
型号:
STS8DN6LF6AG
仓库库存编号:
497-17309-1-ND
别名:497-17309-1
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 79A(Tc) 110W(Tc) D2PAK
型号:
IRF1018ESTRLPBF
仓库库存编号:
IRF1018ESTRLPBFCT-ND
别名:IRF1018ESTRLPBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.4A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 9.4A(Tc) 48W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU120NPBF
仓库库存编号:
IRFU120NPBF-ND
别名:*IRFU120NPBF
SP001557678
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 84A(Tc) 200W(Tc) D2PAK
型号:
IRF1010ESTRLPBF
仓库库存编号:
IRF1010ESTRLPBFCT-ND
别名:IRF1010ESTRLPBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 15A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 60W(Tc) TO-220AB
型号:
STP14NF10
仓库库存编号:
497-7506-5-ND
别名:497-7506-5
STP14NF10-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 140W(Tc) D2PAK
型号:
IRF1010ZSTRLPBF
仓库库存编号:
IRF1010ZSTRLPBFCT-ND
别名:IRF1010ZSTRLPBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 27A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 27A(Tc) 75W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB390N15A
仓库库存编号:
FDB390N15ACT-ND
别名:FDB390N15ACT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 43A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 43A(Tc) 71W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB3806PBF
仓库库存编号:
IRFB3806PBF-ND
别名:SP001572380
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 136W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB067N08N3 G
仓库库存编号:
IPB067N08N3 GCT-ND
别名:IPB067N08N3 GCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB049NE7N3 G
仓库库存编号:
IPB049NE7N3 GCT-ND
别名:IPB049NE7N3 GCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 116A(Tc) 3.8W(Ta),180W(Tc) D2PAK
型号:
IRL2203NSTRLPBF
仓库库存编号:
IRL2203NSTRLPBFCT-ND
别名:IRL2203NSTRLPBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 10A 88W Through Hole TO-220
型号:
STGP5H60DF
仓库库存编号:
497-16484-5-ND
别名:497-16484-5
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Vishay Semiconductor Diodes Division
TVS DIODE 18.8VWM 30.6VC AXIAL
型号:
1.5KE22A-E3/51
仓库库存编号:
1.5KE22A-E3/51GI-ND
别名:1.5KE22A-E3/51GI
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 31A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 31A(Tc) 3W(Ta),110W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU3410PBF
仓库库存编号:
IRFU3410PBF-ND
别名:*IRFU3410PBF
SP001578398
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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