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• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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• Micro Commercial Co
  TVS DIODE 48VWM 77.4VC SMC
  
  型号：SMLJ48CA-TP
  仓库库存编号：SMLJ48CA-TPMSCT-ND
  别名：SMLJ48CA-TPMSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  TVS DIODE 90VWM 146VC SMC
  
  型号：SMLJ90CA-TP
  仓库库存编号：SMLJ90CA-TPMSCT-ND
  别名：SMLJ90CA-TPMSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 50V 16A TO-252AA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 72W（Tc） TO-252AA
  
  型号：RFD16N05SM9A
  仓库库存编号：RFD16N05SM9ACT-ND
  别名：RFD16N05SM9ACT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 43A（Tc） 71W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3806TRPBF
  仓库库存编号：IRFR3806TRPBFCT-ND
  别名：IRFR3806TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD30N06S2L13ATMA4
  仓库库存编号：IPD30N06S2L13ATMA4CT-ND
  别名：IPD30N06S2L13ATMA4CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 24V 12.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12.5A（Ta），110A（Tc） 1.5W（Ta），110W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD110N02RT4G
  仓库库存编号：NTD110N02RT4GOSCT-ND
  别名：NTD110N02RT4GOSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 116A D-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta），116A（Tc） 110W（Tc） TO-252AA
  
  型号：FDD8874
  仓库库存编号：FDD8874CT-ND
  别名：FDD8874CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 42A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR4104TRPBF
  仓库库存编号：IRFR4104PBFCT-ND
  别名：*IRFR4104TRPBF
  IRFR4104PBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 161A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 161A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR7843TRPBF
  仓库库存编号：IRLR7843PBFCT-ND
  别名：*IRLR7843TRPBF
  IRLR7843PBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 61A（Tc） 87W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3708TRPBF
  仓库库存编号：IRFR3708TRPBFCT-ND
  别名：IRFR3708TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD90N03S4L-02
  仓库库存编号：IPD90N03S4L-02CT-ND
  别名：IPD90N03S4L-02CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD30P06P G
  仓库库存编号：SPD30P06P GCT-ND
  别名：SPD30P06P GCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TVS DIODE 24VWM 38.9VC SMC
  
  型号：3.0SMCJ24A-13
  仓库库存编号：3.0SMCJ24ADICT-ND
  别名：3.0SMCJ24ADICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TVS DIODE 5VWM 9.2VC SMC
  
  型号：3.0SMCJ5.0A-13
  仓库库存编号：3.0SMCJ5.0ADICT-ND
  别名：3.0SMCJ5.0ADICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 3.8W（Ta），79W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL530NSTRLPBF
  仓库库存编号：IRL530NSTRLPBFCT-ND
  别名：IRL530NSTRLPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 40V 20A TDSON-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 20A 65W Surface Mount PG-TDSON-8-4
  
  型号：IPG20N04S408ATMA1
  仓库库存编号：IPG20N04S408ATMA1CT-ND
  别名：IPG20N04S408ATMA1CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  TVS DIODE 5VWM 8.5VC AXIAL
  
  型号：1N5908
  仓库库存编号：497-14727-3-ND
  别名：1N5908ST
  1N5908ST-ND
  497-14727-3
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  TVS DIODE 5VWM 8.5VC AXIAL
  
  型号：1N5908
  仓库库存编号：497-14727-1-ND
  别名：497-14727-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB083N10N3 G
  仓库库存编号：IPB083N10N3 GCT-ND
  别名：IPB083N10N3 GCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.3A（Tc） 82W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF630NSTRLPBF
  仓库库存编号：IRF630NSTRLPBFCT-ND
  别名：IRF630NSTRLPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 90A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 10W（Ta），83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD50N03-06AP-E3
  仓库库存编号：SUD50N03-06AP-E3CT-ND
  别名：SUD50N03-06AP-E3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRLZ34NSTRLPBF
  仓库库存编号：IRLZ34NSTRLPBFCT-ND
  别名：IRLZ34NSTRLPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 17A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 3W（Ta），140W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：IRFR15N20DTRPBF
  仓库库存编号：IRFR15N20DTRPBFCT-ND
  别名：IRFR15N20DTRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFZ34NSTRLPBF
  仓库库存编号：IRFZ34NSTRLPBFCT-ND
  别名：IRFZ34NSTRLPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD082N10N3GATMA1
  仓库库存编号：IPD082N10N3GATMA1CT-ND
  别名：IPD082N10N3GATMA1CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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