以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Littelfuse Inc.
  TVS DIODE 451VWM 725VC AXIAL
  
  型号：1.5KE530A
  仓库库存编号：1.5KE530ACT-ND
  别名：1.5KE530ACT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 86A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3709ZTRPBF
  仓库库存编号：IRFR3709ZPBFCT-ND
  别名：*IRFR3709ZTRPBF
  IRFR3709ZPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 376VWM 602VC DO204AC
  
  型号：P6KE440CA-E3/54
  仓库库存编号：P6KE440CA-E3/54GICT-ND
  别名：P6KE440CA-E3/54GICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta） 2.1W（Ta），55W（Tj） DPAK
  
  型号：NTD18N06LT4G
  仓库库存编号：NTD18N06LT4GOSCT-ND
  别名：NTD18N06LT4GOSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 73A D-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），73A（Tc） 70W（Tc） TO-252AA
  
  型号：FDD8876
  仓库库存编号：FDD8876CT-ND
  别名：FDD8876CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3910TRPBF
  仓库库存编号：IRFR3910PBFCT-ND
  别名：*IRFR3910TRPBF
  IRFR3910PBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Littelfuse Inc.
  TVS DIODE 154VWM 246VC AXIAL
  
  型号：1.5KE180CA
  仓库库存编号：1.5KE180CALFCT-ND
  别名：F3676CT
  F3676CT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Littelfuse Inc.
  TVS DIODE 111VWM 179VC AXIAL
  
  型号：1.5KE130CA
  仓库库存编号：1.5KE130CACT-ND
  别名：1.5KE130CACT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 43A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 43A（Tc） 40W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR7807ZTRPBF
  仓库库存编号：IRLR7807ZPBFCT-ND
  别名：*IRLR7807ZTRPBF
  IRLR7807ZPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 9.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.5A（Ta），30A（Tc） 2.8W（Ta），36W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD6612A
  仓库库存编号：FDD6612ACT-ND
  别名：FDD6612ACT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 16A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 40W（Tc） DPAK
  
  型号：STD16NF06T4
  仓库库存编号：497-15667-1-ND
  别名：497-15667-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 23A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Tc） 45W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR2703TRPBF
  仓库库存编号：IRLR2703TRPBFCT-ND
  别名：*IRLR2703TRPBF
  IRLR2703PBFCT
  IRLR2703PBFCT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 5.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.4A（Ta） 3.8W（Ta），42W（Tc） TO-252-3
  
  型号：FDD5612
  仓库库存编号：FDD5612CT-ND
  别名：FDD5612CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 94W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD90N03S4L03ATMA1
  仓库库存编号：IPD90N03S4L03ATMA1CT-ND
  别名：IPD90N03S4L-03INCT
  IPD90N03S4L-03INCT-ND
  IPD90N03S4L03ATMA1CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 49W（Tc） TO-252AA
  
  型号：RFD12N06RLESM9A
  仓库库存编号：RFD12N06RLESM9ACT-ND
  别名：RFD12N06RLESM9ACT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 79W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD040N03LGATMA1
  仓库库存编号：IPD040N03LGATMA1CT-ND
  别名：IPD040N03LGINCT
  IPD040N03LGINCT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 56A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 56A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3707ZTRPBF
  仓库库存编号：IRFR3707ZTRPBFCT-ND
  别名：*IRFR3707ZTRPBF
  IRFR3707ZPBFCT
  IRFR3707ZPBFCT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 40A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.1A（Ta），40A（Tc） 75W（Tc） TO-252AA
  
  型号：FDD24AN06LA0_F085
  仓库库存编号：FDD24AN06LA0_F085CT-ND
  别名：FDD24AN06LA0_F085CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 27A（Tc） 68W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR4105TRPBF
  仓库库存编号：IRFR4105PBFCT-ND
  别名：*IRFR4105TRPBF
  IRFR4105PBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 48W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR4105ZTRPBF
  仓库库存编号：IRFR4105ZTRPBFCT-ND
  别名：*IRFR4105ZTRPBF
  IRFR4105ZPBFCT
  IRFR4105ZPBFCT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 150V 19A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Ta），19A（Tc） 2.5W（Ta），83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD256
  仓库库存编号：785-1476-1-ND
  别名：785-1476-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 70A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD068P03L3GATMA1
  仓库库存编号：IPD068P03L3GATMA1CT-ND
  别名：IPD068P03L3GATMA1CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.4A（Tc） 86W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9N20DTRPBF
  仓库库存编号：IRFR9N20DTRPBFCT-ND
  别名：IRFR9N20DTRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.8A（Ta），14A（Tc） 65W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：FDD120AN15A0
  仓库库存编号：FDD120AN15A0CT-ND
  别名：FDD120AN15A0CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 300VWM 482VC 1.5KE
  
  型号：1.5KE350A-E3/54
  仓库库存编号：1.5KE350A-E3/54GICT-ND
  别名：1.5KE350A-E3/54GICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索