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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 130A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-7
  
  型号：IPB065N15N3 G
  仓库库存编号：IPB065N15N3 GCT-ND
  别名：IPB065N15N3 GCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 300W（Tc） H2PAK
  
  型号：STH240N75F3-6
  仓库库存编号：497-11841-1-ND
  别名：497-11841-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 195A（Tc） 370W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS3107TRLPBF
  仓库库存编号：IRFS3107TRLPBFCT-ND
  别名：IRFS3107TRLPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 88A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB107N20N3 G
  仓库库存编号：IPB107N20N3 GCT-ND
  别名：IPB107N20N3 GCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 90A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 310W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRFP2907ZPBF
  仓库库存编号：IRFP2907ZPBF-ND
  别名：*IRFP2907ZPBF
  SP001571048
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 75V 80A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 45W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STP75NF75FP
  仓库库存编号：497-12618-5-ND
  别名：497-12618-5
  STP75NF75FP-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Ta），80A（Tc） 310W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP038AN06A0
  仓库库存编号：FDP038AN06A0-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 85A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 85A（Tc） 3.75W（Ta），375W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM85N15-19-E3
  仓库库存编号：SUM85N15-19-E3CT-ND
  别名：SUM85N15-19-E3-ND
  SUM85N15-19-E3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 370W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB3077PBF
  仓库库存编号：IRFB3077PBF-ND
  别名：64-0091PBF
  64-0091PBF-ND
  SP001575594
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 78A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 78A（Tc） 310W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRFP4321PBF
  仓库库存编号：IRFP4321PBF-ND
  别名：SP001575756
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 83A（Tc） 294W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP083N15A_F102
  仓库库存编号：FDP083N15A_F102FS-ND
  别名：FDP083N15A_F102-ND
  FDP083N15AF102
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 195A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 195A（Tc） 380W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRLB3036PBF
  仓库库存编号：IRLB3036PBF-ND
  别名：64-0100PBF
  64-0100PBF-ND
  SP001568396
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 375W（Tc） PG-TO263-7
  
  型号：IPB017N10N5ATMA1
  仓库库存编号：IPB017N10N5ATMA1CT-ND
  别名：IPB017N10N5ATMA1CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 120A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 370W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRFP4110PBF
  仓库库存编号：IRFP4110PBF-ND
  别名：AUXUSFP4110
  AUXUSFP4110-ND
  SP001556724
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 70A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 300W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP064PBF
  仓库库存编号：IRFP064PBF-ND
  别名：*IRFP064PBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 180A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 180A（Tc） 480W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP180N10T
  仓库库存编号：IXTP180N10T-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 88A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB107N20NA
  仓库库存编号：IPB107N20NACT-ND
  别名：IPB107N20NACT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 180A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 480W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA180N10T
  仓库库存编号：IXTA180N10T-ND
  别名：615943
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 650V 120A 600W TO3P
  详细描述：IGBT Field Stop 650V 120A 600W Through Hole TO-3PN
  
  型号：FGA60N65SMD
  仓库库存编号：FGA60N65SMDFS-ND
  别名：FGA60N65SMD-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 120A 600W TO247
  详细描述：IGBT Field Stop 600V 120A 600W Through Hole TO-247-3
  
  型号：FGH60N60SMD
  仓库库存编号：FGH60N60SMD-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 650V 80A 267W TO-247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 80A 267W Through Hole TO-247
  
  型号：FGH40T65SPD_F155
  仓库库存编号：FGH40T65SPD_F155-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 57A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 57A（Tc） 3.75W（Ta），300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SUP57N20-33-E3
  仓库库存编号：SUP57N20-33-E3-ND
  别名：SUP57N2033E3
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 85A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 85A（Tc） 2.4W（Ta），300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SUP85N15-21-E3
  仓库库存编号：SUP85N15-21-E3-ND
  别名：SUP85N15-21-E3CT
  SUP85N15-21-E3CT-ND
  SUP85N1521E3
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 650V 80A 375W TO-247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 80A 375W Through Hole TO-247
  
  型号：STGW60H65DFB
  仓库库存编号：497-14367-ND
  别名：497-14367
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 40A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 3.75W（Ta），300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SUP40N25-60-E3
  仓库库存编号：SUP40N25-60-E3-ND
  别名：SUP40N25-60-E3CT
  SUP40N25-60-E3CT-ND
  SUP40N2560E3
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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