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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 42.1VC 109A DO218AB
  
  型号：SM6S26AHE3_A/I
  仓库库存编号：SM6S26AHE3_A/I-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 45.4VC 101A DO218AB
  
  型号：SM6S28AHE3_A/I
  仓库库存编号：SM6S28AHE3_A/I-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  无铅
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 48.4VC 95A DO218AB
  
  型号：SM6S30AHE3_A/I
  仓库库存编号：SM6S30AHE3_A/I-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 53.3VC 86A DO218AB
  
  型号：SM6S33AHE3_A/I
  仓库库存编号：SM6S33AHE3_A/I-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 58.1VC 79A DO218AB
  
  型号：SM6S36AHE3_A/I
  仓库库存编号：SM6S36AHE3_A/I-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 24V 180A H2PAK-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 300W（Tc） H2PAK
  
  型号：STH300NH02L-6
  仓库库存编号：497-12255-1-ND
  别名：497-12255-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 300V 42A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 42A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB46NF30
  仓库库存编号：STB46NF30-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 100V TO-263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Ta） 250W（Tc） DDPAK/TO-263-3
  
  型号：CSD19532KTTT
  仓库库存编号：296-43211-1-ND
  别名：296-43211-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 35.5VC 186A DO-218AB
  
  型号：SM8S22AHE3_A/I
  仓库库存编号：SM8S22AHE3_A/IGICT-ND
  别名：SM8S22AHE3_A/IGICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 53.3VC 124A DO-218AB
  
  型号：SM8S33AHE3_A/I
  仓库库存编号：SM8S33AHE3_A/IGICT-ND
  别名：SM8S33AHE3_A/IGICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 58.1VC 114A DO-218AB
  
  型号：SM8S36AHE3_A/I
  仓库库存编号：SM8S36AHE3_A/IGICT-ND
  别名：SM8S36AHE3_A/IGICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 69.4VC 95.1A DO-218AB
  
  型号：SM8S43AHE3_A/I
  仓库库存编号：SM8S43AHE3_A/IGICT-ND
  别名：SM8S43AHE3_A/IGICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 370A 5DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 370A（Tc） 200W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5C404NLWFAFT1G
  仓库库存编号：NVMFS5C404NLWFAFT1GOSCT-ND
  别名：NVMFS5C404NLWFAFT1GOSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 287A 5DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 287A (Tc) 200W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5C604NLWFAFT1G
  仓库库存编号：NVMFS5C604NLWFAFT1GOSCT-ND
  别名：NVMFS5C604NLWFAFT1GOSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 33V 120A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 330W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP180NS04ZC
  仓库库存编号：STP180NS04ZC-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 300W（Tc） H2Pak-2
  
  型号：STH240N10F7-2
  仓库库存编号：497-15143-1-ND
  别名：497-15143-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT TRENCH 650V 40A TO220FP
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 40A 32.6W Through Hole TO-220FP
  
  型号：STGF20M65DF2
  仓库库存编号：497-17319-ND
  别名：497-17319
  STGF20M65DF2-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：通孔 N 沟道 160A（Tc） 300W（Tc） TO-220
  
  型号：TSM160N10CZ C0G
  仓库库存编号：TSM160N10CZ C0G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 25A 600V STD
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V Through Hole isoCINK+? BU
  
  型号：BU25H06-M3/P
  仓库库存编号：BU25H06-M3/PGI-ND
  别名：BU25H06-M3/PGI
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFER BRIDGE 25A 600V STD
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V Through Hole isoCINK+? BU
  
  型号：BU25H08-M3/P
  仓库库存编号：BU25H08-M3/PGI-ND
  别名：BU25H08-M3/PGI
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 25A 600V STD
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V Through Hole isoCINK+? BU
  
  型号：BU25H06-E3/A
  仓库库存编号：BU25H06-E3/AGI-ND
  别名：BU25H06-E3/AGI
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 25A 600V STD
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V Through Hole isoCINK+? BU
  
  型号：BU25H06-E3/P
  仓库库存编号：BU25H06-E3/PGI-ND
  别名：BU25H06-E3/PGI
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 25A 800V STD
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V Through Hole isoCINK+? BU
  
  型号：BU25H08-E3/A
  仓库库存编号：BU25H08-E3/AGI-ND
  别名：BU25H08-E3/AGI
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 25A 800V STD
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V Through Hole isoCINK+? BU
  
  型号：BU25H08-E3/P
  仓库库存编号：BU25H08-E3/PGI-ND
  别名：BU25H08-E3/PGI
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
  详细描述：表面贴装 P 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM70101EL-GE3
  仓库库存编号：SUM70101EL-GE3CT-ND
  别名：SUM70101EL-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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