规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Vishay Semiconductor Diodes Division
TVS DIODE 22VWM 35.5VC
型号：
SM6S22ATHE3/I
仓库库存编号：
SM6S22ATHE3/I-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
TVS DIODE 24VWM 38.9VC
型号：
SM6S24ATHE3/I
仓库库存编号：
SM6S24ATHE3/I-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
TVS DIODE 26VWM 42.1VC
型号：
SM6S26ATHE3/I
仓库库存编号：
SM6S26ATHE3/I-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
TVS DIODE 28VWM 45.4VC
型号：
SM6S28ATHE3/I
仓库库存编号：
SM6S28ATHE3/I-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
TVS DIODE 30VWM 48.4VC
型号：
SM6S30ATHE3/I
仓库库存编号：
SM6S30ATHE3/I-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
TVS DIODE 33VWM 53.3VC
型号：
SM6S33ATHE3/I
仓库库存编号：
SM6S33ATHE3/I-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
TVS DIODE 36VWM 58.1VC
型号：
SM6S36ATHE3/I
仓库库存编号：
SM6S36ATHE3/I-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT M SERIES 650V 4A LOW LOSS
详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 8A 68W Through Hole TO-220AB
型号：
STGP4M65DF2
仓库库存编号：
497-17548-ND
别名：497-17548
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 200A POWERPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Tc） 150W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
型号：
SQJQ466E-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJQ466E-T1_GE3CT-ND
别名：SQJQ466E-T1_GE3CT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 263W（Tc） D2PAK
型号：
BUK762R6-40E,118
仓库库存编号：
1727-1065-1-ND
别名：1727-1065-1
568-10175-1
568-10175-1-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 200A PWRPAK 8X8
详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Tc） 158W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
型号：
SIJH440E-T1-GE3
仓库库存编号：
SIJH440E-T1-GE3CT-ND
别名：SIJH440E-T1-GE3CT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
型号：
STP140NF55
仓库库存编号：
497-4370-5-ND
别名：497-4370-5
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 200A PWRPAK 8X8
详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Tc） 150W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
型号：
SQJQ100EL-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJQ100EL-T1_GE3CT-ND
别名：SQJQ100EL-T1_GE3CT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 240A MO299A
详细描述：表面贴装 N 沟道 240A（Tc） 300W（Tj） 8-PSOF
型号：
FDBL86566_F085
仓库库存编号：
FDBL86566_F085CT-ND
别名：FDBL86566_F085CT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 270W（Tc） D2PAK
型号：
PSMN1R8-30BL,118
仓库库存编号：
1727-7112-1-ND
别名：1727-7112-1
568-9482-1
568-9482-1-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 188W（Tc） PowerFlat?（5x6）
型号：
STL285N4F7AG
仓库库存编号：
STL285N4F7AG-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 110A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 250W（Tc） I2PAK（TO-262）
型号：
STI150N10F7
仓库库存编号：
497-15015-5-ND
别名：497-15015-5
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 83A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 76A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB7787PBF
仓库库存编号：
IRFB7787PBF-ND
别名：SP001570798
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
型号：
STB155N3LH6
仓库库存编号：
497-11323-1-ND
别名：497-11323-1
497-11323-5
497-11323-5-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
TVS DIODE 38.9VC 118A DO218AB
型号：
SM6S24AHE3J_A/I
仓库库存编号：
SM6S24AHE3J_A/I-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 150W（Tc） H2PAK
型号：
STH110N10F7-6
仓库库存编号：
497-13837-1-ND
别名：497-13837-1
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 80V 75A POWERFLAT56
详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 80W（Tc） PowerFlat?（5x6）
型号：
STL75N8LF6
仓库库存编号：
497-11252-1-ND
别名：497-11252-1
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 120A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） TO-220
型号：
STP185N10F3
仓库库存编号：
STP185N10F3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
型号：
STB120N4F6
仓库库存编号：
497-10768-1-ND
别名：497-10768-1
497-10768-5
497-10768-5-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 100V 108A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 108A（Tc） 2.4W（Ta）, 166W（Tc） TO-220AB
型号：
DMTH10H010LCT
仓库库存编号：
DMTH10H010LCTDI-5-ND
别名：DMTH10H010LCTDI-5
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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