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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 211W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN2R8-40BS,118
仓库库存编号:
1727-7119-1-ND
别名:1727-7119-1
568-9489-1
568-9489-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 90A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 90A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
STP90N55F4
仓库库存编号:
497-10399-5-ND
别名:497-10399-5
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 120V 100A POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 136W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL100N12F7
仓库库存编号:
STL100N12F7-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
T6 40V MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Ta),185A(Tc) 3.8W(Ta), 106W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS5C430NT1G
仓库库存编号:
NTMFS5C430NT1GOSCT-ND
别名:NTMFS5C430NT1GOSCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 70A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 70A(Tc) 85W(Tc) DPAK
型号:
STD80N10F7
仓库库存编号:
497-14812-1-ND
别名:497-14812-1
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
STP60NF06FP
仓库库存编号:
497-3197-5-ND
别名:497-3197-5
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 39A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 39A(Tc) 250W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN057-200B,118
仓库库存编号:
1727-4774-1-ND
别名:1727-4774-1
568-5952-1
568-5952-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET ARRAY 2N-CH 40V PWRPAK8X8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 160A (Tc) 187W Surface Mount PowerPAK? 8 x 8 Dual
型号:
SQJQ906EL-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJQ906EL-T1_GE3CT-ND
别名:SQJQ906EL-T1_GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 163A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 163A (Tc) 117W(Tc) DPAK
型号:
NVD5C434NT4G
仓库库存编号:
NVD5C434NT4GOSCT-ND
别名:NVD5C434NT4GOSCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
STB78NF55-08
仓库库存编号:
STB78NF55-08-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 80A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 125W(Tc) DPAK
型号:
STD100N10LF7AG
仓库库存编号:
STD100N10LF7AG-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
STB141NF55
仓库库存编号:
STB141NF55-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 190W(Tc) H2Pak-2
型号:
STH180N4F6-2
仓库库存编号:
STH180N4F6-2-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 70A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 70A(Tc) 100W(Tc) D2PAK
型号:
STB70NF03LT4
仓库库存编号:
497-6556-1-ND
别名:497-6556-1
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 150W(Tc) D2PAK
型号:
STB100N10F7
仓库库存编号:
497-14527-1-ND
别名:497-14527-1
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
TVS DIODE 10VWM 17VC
型号:
SM6S10ATHE3/I
仓库库存编号:
SM6S10ATHE3/I-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
TVS DIODE 11VWM 18.2VC
型号:
SM6S11ATHE3/I
仓库库存编号:
SM6S11ATHE3/I-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
TVS DIODE 12VWM 19.9VC
型号:
SM6S12ATHE3/I
仓库库存编号:
SM6S12ATHE3/I-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
TVS DIODE 13VWM 21.5VC
型号:
SM6S13ATHE3/I
仓库库存编号:
SM6S13ATHE3/I-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
TVS DIODE 14VWM 23.2VC
型号:
SM6S14ATHE3/I
仓库库存编号:
SM6S14ATHE3/I-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
TVS DIODE 15VWM 24.4VC
型号:
SM6S15ATHE3/I
仓库库存编号:
SM6S15ATHE3/I-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
TVS DIODE 16VWM 26VC
型号:
SM6S16ATHE3/I
仓库库存编号:
SM6S16ATHE3/I-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Vishay Semiconductor Diodes Division
TVS DIODE 17VWM 27.6VC
型号:
SM6S17ATHE3/I
仓库库存编号:
SM6S17ATHE3/I-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Vishay Semiconductor Diodes Division
TVS DIODE 18VWM 29.2VC
型号:
SM6S18ATHE3/I
仓库库存编号:
SM6S18ATHE3/I-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Vishay Semiconductor Diodes Division
TVS DIODE 20VWM 32.4VC
型号:
SM6S20ATHE3/I
仓库库存编号:
SM6S20ATHE3/I-ND
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