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• Taiwan Semiconductor Corporation
  DIODE, TVS, BIDIRECTIONAL, 1000W
  
  型号：SMB10J40CAHR5G
  仓库库存编号：SMB10J40CAHR5GDKR-ND
  别名：SMB10J40CAHR5GDKR
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  DIODE, TVS, BIDIRECTIONAL, 1000W
  
  型号：SMB10J9.0CAHR5G
  仓库库存编号：SMB10J9.0CAHR5GTR-ND
  别名：SMB10J9.0CAHR5GTR
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  DIODE, TVS, BIDIRECTIONAL, 1000W
  
  型号：SMB10J9.0CAHR5G
  仓库库存编号：SMB10J9.0CAHR5GCT-ND
  别名：SMB10J9.0CAHR5GCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  DIODE, TVS, BIDIRECTIONAL, 1000W
  
  型号：SMB10J9.0CAHR5G
  仓库库存编号：SMB10J9.0CAHR5GDKR-ND
  别名：SMB10J9.0CAHR5GDKR
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 19A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Tc） 64W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK7Y65-100EX
  仓库库存编号：1727-1115-1-ND
  别名：1727-1115-1
  568-10270-1
  568-10270-1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 34A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 34A（Tc） 64W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK7Y25-60EX
  仓库库存编号：1727-1803-1-ND
  别名：1727-1803-1
  568-11417-1
  568-11417-1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 18A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 51W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK7277-55A,118
  仓库库存编号：1727-7160-1-ND
  别名：1727-7160-1
  568-9643-1
  568-9643-1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V MLFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 43A（Tc） 79W（Tc） LFPAK33
  
  型号：BUK7M17-80EX
  仓库库存编号：1727-7313-1-ND
  别名：1727-7313-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 20A 8WDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.6A（Ta） 3.2W（Ta），22W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NVTFS5826NLTWG
  仓库库存编号：NVTFS5826NLTWGOSCT-ND
  别名：NVTFS5826NLTWGOSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 94.9W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK9Y38-100E,115
  仓库库存编号：1727-1498-1-ND
  别名：1727-1498-1
  568-10978-1
  568-10978-1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 128W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK625R2-30C,118
  仓库库存编号：1727-7148-1-ND
  别名：1727-7148-1
  568-9625-1
  568-9625-1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V POWERPAK SO-8L
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 48W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJA88EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJA88EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJA88EP-T1_GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V POWERPAK SO-8L
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 11.3A (Tc) 27W (Tc) Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SQJB70EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJB70EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJB70EP-T1_GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 8A 68W Surface Mount DPAK
  
  型号：STGD4M65DF2
  仓库库存编号：497-16963-1-ND
  别名：497-16963-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15.5A（Ta），100A（Tc） 2.7W（Ta），150W（Tc） PowerDI5060-8
  
  型号：DMTH4007LPS-13
  仓库库存编号：DMTH4007LPS-13DICT-ND
  别名：DMTH4007LPS-13DICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET PCH 30V 20A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20A（Tc） 40W（Tc） DPAK
  
  型号：STD20P3H6AG
  仓库库存编号：STD20P3H6AG-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 50A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 71W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL50N6F7
  仓库库存编号：STL50N6F7-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 80V POWERPAK 1212-8W
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 62.5W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SQSA80ENW-T1_GE3
  仓库库存编号：SQSA80ENW-T1_GE3CT-ND
  别名：SQSA80ENW-T1_GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 45W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJA60EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJA60EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJA60EP-T1_GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V LFPAK56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 69A（Tc） 195W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN015-100YLX
  仓库库存编号：1727-2591-1-ND
  别名：1727-2591-1
  568-13042-1
  568-13042-1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRENCH 6 40V FET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Tc） 20W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NVTFS5C478NLWFTAG
  仓库库存编号：NVTFS5C478NLWFTAGOSCT-ND
  别名：NVTFS5C478NLWFTAGOSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET 2N-CH 100V 12.5A LFPAK56D
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 12.5A 38W Surface Mount LFPAK56D
  
  型号：BUK9K89-100E,115
  仓库库存编号：1727-7275-1-ND
  别名：1727-7275-1
  568-9905-1
  568-9905-1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 17A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 18W（Tc） DPAK
  
  型号：NVD5C688NLT4G
  仓库库存编号：NVD5C688NLT4GOSCT-ND
  别名：NVD5C688NLT4GOSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 68V 110A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 176W（Tc） TO-220
  
  型号：STP110N7F6
  仓库库存编号：STP110N7F6-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRENCH 6 40V FET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 41A（Tc） 30W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NVTFS5C471NLWFTAG
  仓库库存编号：NVTFS5C471NLWFTAGOSCT-ND
  别名：NVTFS5C471NLWFTAGOSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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