规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Littelfuse Inc.
TVS DIODE 33VWM 53.3VC SMTO263
型号：
SLD8S33A
仓库库存编号：
F8143CT-ND
别名：F8143CT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V H2PAK-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Tc） 365W（Tc） H2PAK-6
型号：
STH410N4F7-6AG
仓库库存编号：
497-16422-1-ND
别名：497-16422-1
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT 650V 18A 50W TO220
详细描述：IGBT PT 650V 18A 50W Through Hole TO-220AB
型号：
IXYP20N65C3D1M
仓库库存编号：
IXYP20N65C3D1M-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 600V 60A 260W TO3PL
详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 60A 260W Through Hole TO-3P
型号：
STGWT30H60DFB
仓库库存编号：
497-15140-5-ND
别名：497-15140-5
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT 650V 50A 230W TO247AD
详细描述：IGBT PT 650V 50A 230W Through Hole TO-247 (IXYH)
型号：
IXYH20N65C3
仓库库存编号：
IXYH20N65C3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
IGBT 25A 1200V TO-247
详细描述：IGBT Trench 1200V 50A 385W Through Hole TO-247-3
型号：
NGTB25N120SWG
仓库库存编号：
NGTB25N120SWGOS-ND
别名：NGTB25N120SWGOS
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT 650V 130A 600W TO247
详细描述：IGBT PT 650V 130A 600W Through Hole TO-247 (IXYH)
型号：
IXYH50N65C3
仓库库存编号：
IXYH50N65C3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 1300V 60A 348W TO3P
详细描述：IGBT Trench Field Stop 1300V 60A 348W Through Hole TO-3PN
型号：
FGA30S120P
仓库库存编号：
FGA30S120P-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 76A 268W TO247AC
详细描述：IGBT Trench 600V 76A 268W Through Hole TO-247AC
型号：
IRGP4069DPBF
仓库库存编号：
IRGP4069DPBF-ND
别名：SP001535800
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT 650V 118A 455W TO247AD
详细描述：IGBT PT 650V 118A 455W Through Hole TO-247 (IXXH)
型号：
IXXH60N65C4
仓库库存编号：
IXXH60N65C4-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 155A 536W TO247
详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 155A 536W Through Hole TO-247 [B]
型号：
APT75GN60BG
仓库库存编号：
APT75GN60BG-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 1200V 40A TO247-3L
详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 80A 468W Through Hole TO-247-3
型号：
STGWA40S120DF3
仓库库存编号：
497-15630-5-ND
别名：497-15630-5
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT 650V 150A 455W ISOPLUS247
详细描述：IGBT PT 650V 150A 455W Through Hole ISOPLUS247?
型号：
IXXR110N65B4H1
仓库库存编号：
IXXR110N65B4H1-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 51.6VWM BPKG AXIAL
型号：
1N6468
仓库库存编号：
1N6468-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 220A 536W SOT227
详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 220A 536W Through Hole
型号：
APT150GN60B2G
仓库库存编号：
APT150GN60B2G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 11VWM 18.2VC DO13
型号：
1N6042A
仓库库存编号：
1N6042AMS-ND
别名：1N6042AMS
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, ZENER, 12V, 200MW, 5%, SO
详细描述：Zener Diode 200mW ±5% Surface Mount SOD-323F
型号：
BZT52C12S RRG
仓库库存编号：
BZT52C12S RRGTR-ND
别名：BZT52C12S RRGTR
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, ZENER, 12V, 200MW, 5%, SO
详细描述：Zener Diode 200mW ±5% Surface Mount SOD-323F
型号：
BZT52C12S RRG
仓库库存编号：
BZT52C12S RRGCT-ND
别名：BZT52C12S RRGCT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, ZENER, 12V, 200MW, 5%, SO
详细描述：Zener Diode 200mW ±5% Surface Mount SOD-323F
型号：
BZT52C12S RRG
仓库库存编号：
BZT52C12S RRGDKR-ND
别名：BZT52C12S RRGDKR
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, ZENER, 15V, 200MW, 5%, SO
详细描述：Zener Diode 200mW ±5% Surface Mount SOD-323F
型号：
BZT52C15S RRG
仓库库存编号：
BZT52C15S RRGTR-ND
别名：BZT52C15S RRGTR
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, ZENER, 15V, 200MW, 5%, SO
详细描述：Zener Diode 200mW ±5% Surface Mount SOD-323F
型号：
BZT52C15S RRG
仓库库存编号：
BZT52C15S RRGCT-ND
别名：BZT52C15S RRGCT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, ZENER, 15V, 200MW, 5%, SO
详细描述：Zener Diode 200mW ±5% Surface Mount SOD-323F
型号：
BZT52C15S RRG
仓库库存编号：
BZT52C15S RRGDKR-ND
别名：BZT52C15S RRGDKR
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, ZENER, 51V, 200MW, 5%, SO
详细描述：Zener Diode 200mW ±5% Surface Mount SOD-323F
型号：
BZT52C51S RRG
仓库库存编号：
BZT52C51S RRGTR-ND
别名：BZT52C51S RRGTR
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, ZENER, 51V, 200MW, 5%, SO
详细描述：Zener Diode 200mW ±5% Surface Mount SOD-323F
型号：
BZT52C51S RRG
仓库库存编号：
BZT52C51S RRGCT-ND
别名：BZT52C51S RRGCT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, ZENER, 51V, 200MW, 5%, SO
详细描述：Zener Diode 200mW ±5% Surface Mount SOD-323F
型号：
BZT52C51S RRG
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别名：BZT52C51S RRGDKR
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