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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 71W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：IPZ40N04S5L2R8ATMA1
  仓库库存编号：IPZ40N04S5L2R8ATMA1CT-ND
  别名：IPZ40N04S5L2R8ATMA1CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 179A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 125W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：IRFR8314TRPBF
  仓库库存编号：IRFR8314TRPBFCT-ND
  别名：IRFR8314TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 70A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD042P03L3GATMA1
  仓库库存编号：IPD042P03L3GATMA1CT-ND
  别名：IPD042P03L3GATMA1CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 188W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB037N06N3 G
  仓库库存编号：IPB037N06N3 GCT-ND
  别名：IPB037N06N3 GCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 188W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB029N06N3 G
  仓库库存编号：IPB029N06N3 GCT-ND
  别名：IPB029N06N3 GCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 184A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 130A（Tc） 125W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRLB8314PBF
  仓库库存编号：IRLB8314PBF-ND
  别名：64-0101PBF
  64-0101PBF-ND
  SP001572766
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 45VWM 72.7VC P600
  
  型号：5KP45A-E3/54
  仓库库存编号：5KP45A-E3/54GICT-ND
  别名：5KP45A-E3/54GICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 14A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 14A（Tc） 79W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF9530NPBF
  仓库库存编号：IRF9530NPBF-ND
  别名：*IRF9530NPBF
  SP001570634
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 36A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） 92W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF540ZPBF
  仓库库存编号：IRF540ZPBF-ND
  别名：*IRF540ZPBF
  SP001561896
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 92A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Ta），92A（Tc） 80W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FDP8896
  仓库库存编号：FDP8896-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  TVS DIODE 56VWM 76VC D2PAK
  
  型号：LDP01-56AY
  仓库库存编号：497-15301-1-ND
  别名：497-15301-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.2A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF520SPBF
  仓库库存编号：IRF520SPBF-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF1407STRLPBF
  仓库库存编号：IRF1407STRLPBFCT-ND
  别名：IRF1407STRLPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 104A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL2505STRLPBF
  仓库库存编号：IRL2505STRLPBFCT-ND
  别名：IRL2505STRLPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 310W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB140NF75T4
  仓库库存编号：497-6547-1-ND
  别名：497-6547-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 15A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 30W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF20N06
  仓库库存编号：FQPF20N06-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 43A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 43A（Tc） 3.8W（Ta），300W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS38N20DTRLP
  仓库库存编号：IRFS38N20DTRLPCT-ND
  别名：IRFS38N20DTRLPCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 214W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRFP250MPBF
  仓库库存编号：IRFP250MPBF-ND
  别名：SP001566168
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 35A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 144W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB5615PBF
  仓库库存编号：IRFB5615PBF-ND
  别名：SP001575534
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 60V 240A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240A（Tc） 375W（Tc） D2PAK（7-Lead）
  
  型号：IRFS7530TRL7PP
  仓库库存编号：IRFS7530TRL7PPCT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 43A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 43A（Tc） 3.8W（Ta），300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB38N20DPBF
  仓库库存编号：IRFB38N20DPBF-ND
  别名：*IRFB38N20DPBF
  SP001556010
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 55A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 55A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRL2910PBF
  仓库库存编号：IRL2910PBF-ND
  别名：*IRL2910PBF
  SP001576496
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 25A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Tc） 144W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB5620PBF
  仓库库存编号：IRFB5620PBF-ND
  别名：SP001565852
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 55V 110A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 180W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA110N055T2
  仓库库存编号：IXTA110N055T2-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 83A（Tc） 214W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP111N15N3 G
  仓库库存编号：IPP111N15N3 G-ND
  别名：IPP111N15N3G
  IPP111N15N3GXKSA1
  SP000677860
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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