规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 42A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR2905TRPBF
仓库库存编号:
IRLR2905PBFCT-ND
别名:*IRLR2905TRPBF
IRLR2905PBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 58A
详细描述:表面贴装 N 沟道 58A(Tc) 48W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ858AEP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ858AEP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ858AEP-T1_GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 166W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN1R4-30YLDX
仓库库存编号:
1727-1861-1-ND
别名:1727-1861-1
568-11557-1
568-11557-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 167W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK9Y7R2-60E,115
仓库库存编号:
1727-1814-1-ND
别名:1727-1814-1
568-11428-1
568-11428-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Tc) 60W(Tc) D-Pak
型号:
STD20NF06T4
仓库库存编号:
497-6561-1-ND
别名:497-6561-1
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 60V 30A 56LFPAK
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 30A 53W Surface Mount LFPAK56D
型号:
BUK7K17-60EX
仓库库存编号:
1727-1481-1-ND
别名:1727-1481-1
568-10961-1
568-10961-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
TVS DIODE 342VWM 548VC 1.5KE
型号:
1.5KE400A-E3/54
仓库库存编号:
1.5KE400A-E3/54GICT-ND
别名:1.5KE400A-E3/54GICT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 14.7A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 14.7A(Ta),50A(Tc) 3.8W(Ta),44W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
FDD3706
仓库库存编号:
FDD3706FSCT-ND
别名:FDD3706FSCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 20A WDFN8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta),85A(Tc) 3.2W(Ta), 55W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NTTFS5C454NLTAG
仓库库存编号:
NTTFS5C454NLTAGOSCT-ND
别名:NTTFS5C454NLTAGOSCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 30V 65A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 65A(Tc) 50W(Tc) DPAK
型号:
STD65N3LLH5
仓库库存编号:
497-13425-1-ND
别名:497-13425-1
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 41W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN022-30BL,118
仓库库存编号:
1727-7117-1-ND
别名:1727-7117-1
568-9487-1
568-9487-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Diodes Incorporated
TVS DIODE 58VWM 93.6VC SMC
型号:
3.0SMCJ58A-13
仓库库存编号:
3.0SMCJ58ADICT-ND
别名:3.0SMCJ58ADICT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 194W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK9Y3R0-40E,115
仓库库存编号:
1727-1499-1-ND
别名:1727-1499-1
568-10979-1
568-10979-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 56A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 56A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR2405TRPBF
仓库库存编号:
IRFR2405PBFCT-ND
别名:*IRFR2405TRPBF
IRFR2405PBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 195W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK9Y6R0-60E,115
仓库库存编号:
1727-1504-1-ND
别名:1727-1504-1
568-10984-1
568-10984-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 195W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK7Y6R0-60EX
仓库库存编号:
1727-1116-1-ND
别名:1727-1116-1
568-10271-1
568-10271-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 48.2A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 48.2A(Tc) 106W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK9Y19-75B,115
仓库库存编号:
1727-4614-1-ND
别名:1727-4614-1
568-5526-1
568-5526-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 60V 26A 56LFPAK
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 26A 53W Surface Mount LFPAK56D
型号:
BUK9K17-60EX
仓库库存编号:
1727-1807-1-ND
别名:1727-1807-1
568-11421-1
568-11421-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Comchip Technology
RECT BRIDGE GP 800V 4A Z4-D
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 800V 4A Surface Mount Z4-D
型号:
Z4DGP408L-HF
仓库库存编号:
641-1503-1-ND
别名:641-1503-1
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 44A(Tc) 107W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR1205TRPBF
仓库库存编号:
IRFR1205PBFCT-ND
别名:*IRFR1205TRPBF
IRFR1205PBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 68A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Ta),71A(Tc) 3.6W(Ta), 61W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS5C670NLT1G
仓库库存编号:
NTMFS5C670NLT1GOSCT-ND
别名:NTMFS5C670NLT1GOSCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A
详细描述:表面贴装 N 沟道 59A(Tc) 94W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD122N10N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD122N10N3GATMA1CT-ND
别名:IPD122N10N3GATMA1CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CHA 60V 13.1A POWERDI
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 13.1A (Ta), 47.6A (Tc) 2.8W Surface Mount PowerDI5060-8
型号:
DMTH6010LPD-13
仓库库存编号:
DMTH6010LPD-13DICT-ND
别名:DMTH6010LPD-13DICT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 70A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 70A(Tc) 79W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
FDD8445
仓库库存编号:
FDD8445CT-ND
别名:FDD8445CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 94W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD036N04L G
仓库库存编号:
IPD036N04L GCT-ND
别名:IPD036N04L GCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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