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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 120A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta），120A（Tc） 188W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB8443
  仓库库存编号：FDB8443CT-ND
  别名：FDB8443CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 34A（Ta），80A（Tc） 300W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB8832
  仓库库存编号：FDB8832CT-ND
  别名：FDB8832CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 650V 30A 260W TO-247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 30A 260W Through Hole TO-247
  
  型号：STGW30H65FB
  仓库库存编号：497-14467-5-ND
  别名：497-14467-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 30A TO-220F
  详细描述：通孔 P 沟道 30A（Tc） 62W（Tc） TO-220F-3（Y 型）
  
  型号：FQPF47P06YDTU
  仓库库存编号：FQPF47P06YDTU-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  T6 40V MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 46A（Ta）, 300A（Tc） 3.9W（Ta）, 166W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS5C410NT1G
  仓库库存编号：NTMFS5C410NT1GOSCT-ND
  别名：NTMFS5C410NT1GOSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 325W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUF75345S3ST
  仓库库存编号：HUF75345S3STCT-ND
  别名：HUF75345S3STCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 75A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 360W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP75N10P
  仓库库存编号：IXTP75N10P-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB100NF04T4
  仓库库存编号：497-5951-1-ND
  别名：497-5951-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 43A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 43A（Tc） 230W（Tc） TO-220AB
  
  型号：HUF75842P3
  仓库库存编号：HUF75842P3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 12A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 310W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB3632_F085
  仓库库存编号：FDB3632_F085CT-ND
  别名：FDB3632_F085CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 60A 258W D2PAK
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 60A 258W Surface Mount D2PAK
  
  型号：STGB30V60DF
  仓库库存编号：497-15120-1-ND
  别名：497-15120-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 65A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 65A（Tc） 3.75W（Ta），375W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM65N20-30-E3
  仓库库存编号：SUM65N20-30-E3CT-ND
  别名：SUM65N20-30-E3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 650V 30A TO247-3
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 60A 258W Through Hole TO-247 Long Leads
  
  型号：STGWA30M65DF2
  仓库库存编号：497-15842-5-ND
  别名：497-15842-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 1200V 50A 428W TO247-3
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 50A 428W Through Hole TO-247 Long Leads
  
  型号：FGH25T120SMD_F155
  仓库库存编号：FGH25T120SMD_F155-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 231W（Tc） I2PAK（TO-262）
  
  型号：FDI030N06
  仓库库存编号：FDI030N06-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 40V 300A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 300A（Tc） 480W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP300N04T2
  仓库库存编号：IXTP300N04T2-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 315W（Tc） H2PAK
  
  型号：STH185N10F3-2
  仓库库存编号：497-15311-1-ND
  别名：497-15311-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 315W（Tc） H2PAK-6
  
  型号：STH185N10F3-6
  仓库库存编号：497-15469-1-ND
  别名：497-15469-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 75V 80A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 310W（Tc） TO-247
  
  型号：FDH047AN08A0
  仓库库存编号：FDH047AN08A0FS-ND
  别名：FDH047AN08A0-ND
  FDH047AN08A0FS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 90A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 375W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA90N15_F109
  仓库库存编号：FQA90N15_F109-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 76A 268W TO247AC
  详细描述：IGBT 600V 76A 268W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRGP4650DPBF
  仓库库存编号：IRGP4650DPBF-ND
  别名：SP001535760
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  IGBT 1200V 15A TO247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 30A 259W Through Hole TO-247-3
  
  型号：STGW15S120DF3
  仓库库存编号：497-15625-5-ND
  别名：497-15625-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 75V 180A H2PAK-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 300W（Tc） H2PAK
  
  型号：STH240N75F3-2
  仓库库存编号：497-13271-1-ND
  别名：497-13271-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  IGBT 1200V 15A TO247-3L
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 30A 259W Through Hole TO-247-3
  
  型号：STGWA15S120DF3
  仓库库存编号：497-15626-5-ND
  别名：497-15626-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 120A 469W Through Hole TO-3P
  
  型号：STGWT80H65DFB
  仓库库存编号：497-14234-5-ND
  别名：497-14234-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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