规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 3.75W（Ta），250W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SUM90N03-2M2P-E3
仓库库存编号：
SUM90N03-2M2P-E3CT-ND
别名：SUM90N03-2M2P-E3CT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
IGBT 600V 60A 258W TO220AB
详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 60A 258W Through Hole TO-220
型号：
STGP30V60DF
仓库库存编号：
497-13762-5-ND
别名：497-13762-5
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 1250V 20A 250W TO-3PN
详细描述：IGBT Trench 1250V 40A 250W Through Hole TO-3PN
型号：
FGA20S125P_SN00336
仓库库存编号：
FGA20S125P_SN00336-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 160A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
型号：
AUIRF1404Z
仓库库存编号：
AUIRF1404Z-ND
别名：SP001520218
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Littelfuse Inc.
TVS DIODE 14VWM 23.2VC AXIAL
型号：
5KP14CA
仓库库存编号：
5KP14CACT-ND
别名：5KP14CACT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Littelfuse Inc.
TVS DIODE 12VWM 19.9VC AXIAL
型号：
5KP12CA
仓库库存编号：
5KP12CALFCT-ND
别名：5KP12CALFCT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Littelfuse Inc.
TVS DIODE 16VWM 26VC AXIAL
型号：
5KP16CA
仓库库存编号：
5KP16CALFCT-ND
别名：5KP16CALFCT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Littelfuse Inc.
TVS DIODE 5VWM 9.2VC AXIAL
型号：
5KP5.0CA
仓库库存编号：
5KP5.0CALFCT-ND
别名：5KP5.0CALFCT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Littelfuse Inc.
TVS DIODE 6VWM 10.3VC AXIAL
型号：
5KP6.0CA
仓库库存编号：
5KP6.0CALFCT-ND
别名：5KP6.0CACCCT
5KP6.0CACCCT-ND
5KP6.0CALFCT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Littelfuse Inc.
TVS DIODE 40VWM 64.5VC AXIAL
型号：
5KP40CA
仓库库存编号：
5KP40CALFCT-ND
别名：5KP40CACCCT
5KP40CACCCT-ND
5KP40CALFCT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 330V 18A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
型号：
STB18NF30
仓库库存编号：
497-12970-1-ND
别名：497-12970-1
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
型号：
STB80NF10T4
仓库库存编号：
497-2489-1-ND
别名：497-2489-1
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 48A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 48A（Tc） 180W（Tc） TO-247
型号：
FQH44N10_F133
仓库库存编号：
FQH44N10_F133FS-ND
别名：FQH44N10_F133-ND
FQH44N10_F133FS
FQH44N10F133
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 80V 90A
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 200W（Tc） H2Pak-2
型号：
STH145N8F7-2AG
仓库库存编号：
497-16315-1-ND
别名：497-16315-1
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） DPAK
型号：
STD120N4LF6
仓库库存编号：
497-11097-1-ND
别名：497-11097-1
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） DPAK
型号：
STD120N4F6
仓库库存编号：
497-10781-1-ND
别名：497-10781-1
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
型号：
STB75NF75T4
仓库库存编号：
497-15666-1-ND
别名：497-15666-1
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
SQM40010EL_GE3
仓库库存编号：
SQM40010EL_GE3CT-ND
别名：SQM40010EL_GE3CT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 95A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 95A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SQM90142E_GE3
仓库库存编号：
SQM90142E_GE3CT-ND
别名：SQM90142E_GE3CT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
SQM40031EL_GE3
仓库库存编号：
SQM40031EL_GE3CT-ND
别名：SQM40031EL_GE3CT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 600V 40A 167W TO247
详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 40A 167W Through Hole TO-247
型号：
STGW20V60F
仓库库存编号：
497-13959-5-ND
别名：497-13959-5
STGW20V60F-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 600V 40A 52W TO3PF
详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 40A 52W Through Hole TO-3PF
型号：
STGFW20V60F
仓库库存编号：
497-13954-5-ND
别名：497-13954-5
STGFW20V60F-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 300V 19A TO262
详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Tc） 210W（Tc） TO-262-3
型号：
AUIRFSL6535
仓库库存编号：
AUIRFSL6535-ND
别名：SP001522854
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 600V 40A 37W TO220FP
详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 40A 37W Through Hole TO-220FP
型号：
STGF20H60DF
仓库库存编号：
497-13758-5-ND
别名：497-13758-5
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 254W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB8160_F085
仓库库存编号：
FDB8160_F085CT-ND
别名：FDB8160_F085CT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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