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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V TO-220AB-3
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Ta),80A(Tc) 188W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP8443_F085
仓库库存编号:
FDP8443_F085-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
STMicroelectronics
TVS DIODE 35VWM 45.5VC D2PAK
型号:
LDP01-35AY
仓库库存编号:
497-15296-1-ND
别名:497-15296-1
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
STMicroelectronics
TVS DIODE 50VWM 68VC D2PAK
型号:
LDP01-50AY
仓库库存编号:
497-15300-1-ND
别名:497-15300-1
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 110W(Tc) D2PAK
型号:
STB95N4F3
仓库库存编号:
497-12427-1-ND
别名:497-12427-1
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
TVS DIODE 47VWM 63VC D2PAK
型号:
LDP01-47AY
仓库库存编号:
497-15299-1-ND
别名:497-15299-1
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
TVS DIODE 26VWM 36VC D2PAK
型号:
LDP01-26AY
仓库库存编号:
497-15292-1-ND
别名:497-15292-1
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
IGBT HB 650V 40A ISOWATT218
详细描述:IGBT Trench Field Stop 650V 80A 62.5W Through Hole TO-3PF-3
型号:
STGFW40H65FB
仓库库存编号:
497-15540-5-ND
别名:497-15540-5
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 110A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 110A(Tc) 176W(Tj) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB86366_F085
仓库库存编号:
FDB86366_F085CT-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 60A 260W Surface Mount D2PAK
型号:
STGB30H60DFB
仓库库存编号:
497-16518-1-ND
别名:497-16518-1
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 18A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Ta),78A(Tc) 2.1W(Ta),45.5W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF266L
仓库库存编号:
785-1443-5-ND
别名:785-1443-5
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 188W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI032N06N3GAKSA1
仓库库存编号:
IPI032N06N3GAKSA1-ND
别名:SP000680650
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 61A TO-263AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Ta),61A(Tc) 150W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB3652
仓库库存编号:
FDB3652CT-ND
别名:FDB3652CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Micro Commercial Co
TVS DIODE 36VWM 58.1VC
型号:
SLD36CA-TP
仓库库存编号:
SLD36CA-TPMSCT-ND
别名:SLD36CA-TPMSCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Micro Commercial Co
TVS DIODE 33VWM 55.3VC
型号:
SLD33CA-TP
仓库库存编号:
SLD33CA-TPMSCT-ND
别名:SLD33CA-TPMSCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Micro Commercial Co
TVS DIODE 33VWM 55.3VC
型号:
SLD33A-TP
仓库库存编号:
SLD33A-TPMSCT-ND
别名:SLD33A-TPMSCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 34A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 34A(Ta) 3.8W(Ta),83W(Tc) TO-252
型号:
FDD3670
仓库库存编号:
FDD3670CT-ND
别名:FDD3670CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 180W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUF76439S3ST
仓库库存编号:
HUF76439S3STCT-ND
别名:HUF76439S3STCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
IGBT 650V 20A TO220
详细描述:IGBT 650V 40A 227W Through Hole TO-220
型号:
AOT20B65M1
仓库库存编号:
785-1764-ND
别名:785-1764
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CHAN 80V TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 50A(Tc) 136W(Tc) TO-252AA
型号:
SQD50P08-25L_GE3
仓库库存编号:
SQD50P08-25L_GE3CT-ND
别名:SQD50P08-25L_GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 100V 51A TO-263AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 51A(Tc) 180W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUF76639S3ST_F085
仓库库存编号:
HUF76639S3ST_F085CT-ND
别名:HUF76639S3ST_F085CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 110A(Tc) 176W(Tj) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB86566_F085
仓库库存编号:
FDB86566_F085CT-ND
别名:FDB86566_F085CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Littelfuse Inc.
TVS DIODE 9VWM 15.4VC AXIAL
型号:
5KP9.0A
仓库库存编号:
5KP9.0ACT-ND
别名:5KP9.0ACT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Littelfuse Inc.
TVS DIODE 17VWM 27.6VC AXIAL
型号:
5KP17A
仓库库存编号:
5KP17ACT-ND
别名:5KP17ACT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Littelfuse Inc.
TVS DIODE 5VWM 9.2VC AXIAL
型号:
5KP5.0A
仓库库存编号:
5KP5.0ALFCT-ND
别名:5KP5.0ACCCT
5KP5.0ACCCT-ND
5KP5.0ALFCT
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Littelfuse Inc.
TVS DIODE 15VWM 24.4VC AXIAL
型号:
5KP15A
仓库库存编号:
5KP15ALFCT-ND
别名:5KP15ACCCT
5KP15ACCCT-ND
5KP15ALFCT
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