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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET NCH 80V 80A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 214W（Tj） Power56
  
  型号：FDWS86368_F085
  仓库库存编号：FDWS86368_F085CT-ND
  别名：FDWS86368_F085CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 60V 13A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Ta），54A（Tc） 2.1W（Ta），36.5W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF2606L
  仓库库存编号：785-1428-5-ND
  别名：785-1428-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 52.4A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 52.4A（Tc） 3.75W（Ta），121W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB50N06LTM
  仓库库存编号：FQB50N06LTMFSCT-ND
  别名：FQB50N06LTMFSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET P-CH 30V 40A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 49A（Tc） 60W（Tc） DPAK
  
  型号：STD37P3H6AG
  仓库库存编号：497-15964-1-ND
  别名：497-15964-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 11A D-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta） 135W（Tc） TO-252AA
  
  型号：FDD10AN06A0_F085
  仓库库存编号：FDD10AN06A0_F085CT-ND
  别名：FDD10AN06A0_F085CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 100V 9A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta），58A（Tc） 2.1W（Ta），100W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：AOB298L
  仓库库存编号：785-1362-1-ND
  别名：785-1362-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 115W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB30NF10T4
  仓库库存编号：497-6550-1-ND
  别名：497-6550-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 167W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP037N06L3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP037N06L3GXKSA1-ND
  别名：IPP037N06L3 G
  IPP037N06L3 G-ND
  IPP037N06L3G
  SP000680774
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 12A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），50A（Tc） 3.2W（Ta），56W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD6030L
  仓库库存编号：FDD6030LCT-ND
  别名：FDD6030LCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 73A（Tc） 100W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP083N10N5AKSA1
  仓库库存编号：IPP083N10N5AKSA1-ND
  别名：SP001226036
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 50A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 3.75W（Ta），120W（Tc） I2PAK
  
  型号：FQI50N06TU
  仓库库存编号：FQI50N06TU-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 19A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta），93A（Tc） 80W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB8896_F085
  仓库库存编号：FDB8896_F085CT-ND
  别名：FDB8896_F085CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Littelfuse Inc.
  IGBT 440V 15A 107W D2PAK3
  详细描述：IGBT 440V 15A 107W Surface Mount D2PAK
  
  型号：NGB15N41ACLT4G
  仓库库存编号：NGB15N41ACLT4GOSCT-ND
  别名：NGB15N41ACLT4GOSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Littelfuse Inc.
  IGBT 490V 20A 150W D2PAK3
  详细描述：IGBT 500V 20A 150W Surface Mount D2PAK
  
  型号：NGB8245NT4G
  仓库库存编号：NGB8245NT4GOSCT-ND
  别名：NGB8245NT4GOSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Littelfuse Inc.
  TVS DIODE 210VWM 349.5VC AXIAL
  
  型号：5KP210A
  仓库库存编号：5KP210ALFCT-ND
  别名：5KP210ACT
  5KP210ACT-ND
  5KP210ALFCT
  F3393CT
  F3393CT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Littelfuse Inc.
  TVS DIODE 210VWM 349.5VC AXIAL
  
  型号：5KP210A
  仓库库存编号：1294-5KP210A-CHP
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 60V 173A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 173A（Tc） 230W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：IRFS7537TRLPBF
  仓库库存编号：IRFS7537TRLPBFCT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  TVS DIODE 36VWM 58.1VC SMC
  
  型号：SM30T42CAY
  仓库库存编号：497-16292-1-ND
  别名：497-16292-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  TVS DIODE 8.5VWM 14.4VC SMC
  
  型号：SM30T10CAY
  仓库库存编号：497-15398-1-ND
  别名：497-15398-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  TVS DIODE 13VWM 21.5VC SMC
  
  型号：SM30T15CAY
  仓库库存编号：497-15402-1-ND
  别名：497-15402-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  TVS DIODE 10VWM 17VC SMC
  
  型号：SM30T12CAY
  仓库库存编号：497-15400-1-ND
  别名：497-15400-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 93A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta），93A（Tc） 80W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB8896
  仓库库存编号：FDB8896CT-ND
  别名：FDB8896CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 31V 40V TO263 T&R
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 4.7W（Ta）, 136W（Tc） TO-263AB
  
  型号：DMTH4004SCTB-13
  仓库库存编号：DMTH4004SCTB-13DICT-ND
  别名：DMTH4004SCTB-13DICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 29A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Tc） 100W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUF76419S3ST_F085
  仓库库存编号：HUF76419S3ST_F085CT-ND
  别名：HUF76419S3ST_F085CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 70A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 100W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP100N08N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP100N08N3GXKSA1-ND
  别名：IPP100N08N3 G
  IPP100N08N3 G-ND
  IPP100N08N3G
  SP000680856
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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