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• IXYS
  IGBT 650V 370A 1150W PLUS247
  详细描述：IGBT PT 650V 370A 1150W Through Hole PLUS247?-3
  
  型号：IXXX200N65B4
  仓库库存编号：IXXX200N65B4-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 650V 370A 1150W TO264
  详细描述：IGBT PT 650V 370A 1150W Through Hole TO-264 (IXXK)
  
  型号：IXXK200N65B4
  仓库库存编号：IXXK200N65B4-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 283A 682W TO247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 283A 682W Through Hole
  
  型号：APT200GN60B2G
  仓库库存编号：APT200GN60B2G-ND
  别名：APT200GN60B2GMI
  APT200GN60B2GMI-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 33VWM 53.9VC DO13
  
  型号：1N6053A
  仓库库存编号：1N6053AMS-ND
  别名：1N6053AMS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 64VWM 103VC DO13
  
  型号：1N6060A
  仓库库存编号：1N6060AMS-ND
  别名：1N6060AMS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT XPT 650V 166A SOT-227B
  详细描述：IGBT Module PT Single 650V 166A 600W Chassis, Stud Mount SOT-227B
  
  型号：IXYN100N65C3H1
  仓库库存编号：IXYN100N65C3H1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 220A 536W SOT227
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 220A 536W Chassis Mount ISOTOP?
  
  型号：APT150GN60J
  仓库库存编号：APT150GN60J-ND
  别名：APT150GN60JMI
  APT150GN60JMI-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 220A 536W SOT227
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 220A 536W Chassis Mount ISOTOP?
  
  型号：APT150GN60JDQ4
  仓库库存编号：APT150GN60JDQ4-ND
  别名：APT150GN60JDQ4MI
  APT150GN60JDQ4MI-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 283A 682W SOT227
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 283A 682W Chassis Mount ISOTOP?
  
  型号：APT200GN60JDQ4
  仓库库存编号：APT200GN60JDQ4MI-ND
  别名：APT200GN60JDQ4MI
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT XPT 1200V 152A SOT-227B
  详细描述：IGBT Module Single 1200V 152A 830W Chassis Mount SOT-227B
  
  型号：IXYN100N120C3
  仓库库存编号：IXYN100N120C3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Global Power Technologies Group
  MOD SBD BRIDGE 600V 30A SOT227
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 30A Chassis Mount SOT-227
  
  型号：GHXS030A060S-D1E
  仓库库存编号：1560-1146-5-ND
  别名：1560-1146
  1560-1146-5
  1560-1146-ND
  GHXS030A060SD1E
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 16A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 79W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU3910PBF
  仓库库存编号：IRFU3910PBF-ND
  别名：*IRFU3910PBF
  64-4139PBF
  64-4139PBF-ND
  SP001578380
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 82A（Tc） 230W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF2807STRLPBF
  仓库库存编号：IRF2807STRLPBFCT-ND
  别名：IRF2807STRLPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TVS DIODE 28.2VWM 45.7VC DO201
  
  型号：1.5KE33A-B
  仓库库存编号：1.5KE33A-BDI-ND
  别名：1.5KE33A-BDI
  1.5KE33AB
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 30A 136W Surface Mount D2PAK
  
  型号：STGB15M65DF2
  仓库库存编号：497-16507-1-ND
  别名：497-16507-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 17.1VWM 27.7VC AXIAL
  
  型号：1.5KE20CA-E3/51
  仓库库存编号：1.5KE20CA-E3/51GI-ND
  别名：1.5KE20CA-E3/51GI
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 12.8VWM 21.2VC AXIAL
  
  型号：1.5KE15A-E3/51
  仓库库存编号：1.5KE15A-E3/51GI-ND
  别名：1.5KE15A-E3/51GI
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 171VWM 274VC 1.5KE
  
  型号：1N6303A-E3/51
  仓库库存编号：1N6303A-E3/51GI-ND
  别名：1N6303A-E3/51GI
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 71W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP093N06N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP093N06N3GXKSA1-ND
  别名：IPP093N06N3 G
  IPP093N06N3 G-ND
  IPP093N06N3G
  SP000680852
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 13A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 110W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU13N20DPBF
  仓库库存编号：IRFU13N20DPBF-ND
  别名：*IRFU13N20DPBF
  SP001573640
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 11.6A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 11.6A（Tc） 53W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF16N15
  仓库库存编号：FQPF16N15-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 22A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 37W（Tc） TO-220AB 整包
  
  型号：IRLIZ34NPBF
  仓库库存编号：IRLIZ34NPBF-ND
  别名：*IRLIZ34NPBF
  SP001573820
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 56A（Tc） 200W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUF75639S3ST
  仓库库存编号：HUF75639S3STCT-ND
  别名：HUF75639S3STCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, V S
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 60A 260W Surface Mount D2PAK
  
  型号：STGB30V60F
  仓库库存编号：497-16477-1-ND
  别名：497-16477-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 55V 60A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 145W（Tc） TO-220AB
  
  型号：HUF75332P3
  仓库库存编号：HUF75332P3FS-ND
  别名：HUF75332P3-ND
  HUF75332P3FS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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