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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 140A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 140A（Tc） 830W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK140N20P
  仓库库存编号：IXFK140N20P-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 1200V 200A 1250W TO247AD
  详细描述：IGBT 1200V 200A 1250W Through Hole TO-247 (IXYH)
  
  型号：IXYH82N120C3
  仓库库存编号：IXYH82N120C3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 170V 320A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 320A（Tc） 1670W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX320N17T2
  仓库库存编号：IXFX320N17T2-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 41A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 41A（Tc） 273W（Tc） TO-247
  
  型号：APT40SM120B
  仓库库存编号：APT40SM120B-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 1200V 240A 1500W PLUS247
  详细描述：IGBT 1200V 240A 1500W Through Hole PLUS247?-3
  
  型号：IXYX120N120C3
  仓库库存编号：IXYX120N120C3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 55V 550A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 550A（Tc） 940W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXTN550N055T2
  仓库库存编号：IXTN550N055T2-ND
  别名：623216
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Global Power Technologies Group
  MOD SBD BRIDGE 600V 10A SOT227
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 10A Chassis Mount SOT-227
  
  型号：GHXS010A060S-D1
  仓库库存编号：1560-1135-5-ND
  别名：1560-1135
  1560-1135-5
  1560-1135-ND
  GHXS010A060SD1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 32A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 32A（Tc） 165W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT40SM120J
  仓库库存编号：APT40SM120J-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  TVS DIODE 33VWM 53.3VC R6
  
  型号：3KP33A-TP
  仓库库存编号：3KP33A-TPMSCT-ND
  别名：3KP33A-TPMSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.7A（Tc） 3.8W（Ta），48W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF520NSTRLPBF
  仓库库存编号：IRF520NSTRLPBFCT-ND
  别名：IRF520NSTRLPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 78A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 78A（Tc） 140W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRLB4132PBF
  仓库库存编号：IRLB4132PBF-ND
  别名：SP001558130
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 29A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 68W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFZ34NPBF
  仓库库存编号：IRFZ34NPBF-ND
  别名：*IRFZ34NPBF
  SP001568128
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 18A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 45W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRLZ24NPBF
  仓库库存编号：IRLZ24NPBF-ND
  别名：*IRLZ24NPBF
  SP001553022
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 40VWM 64.5VC P600
  
  型号：5KP40A-E3/54
  仓库库存编号：5KP40A-E3/54GICT-ND
  别名：5KP40A-E3/54GICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 10VWM 17VC P600
  
  型号：5KP10A-E3/54
  仓库库存编号：5KP10A-E3/54GICT-ND
  别名：5KP10A-E3/54GICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 150VWM 243VC P600
  
  型号：5KP150A-E3/54
  仓库库存编号：5KP150A-E3/54GICT-ND
  别名：5KP150A-E3/54GICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 64VWM 103VC P600
  
  型号：5KP64A-E3/54
  仓库库存编号：5KP64A-E3/54GICT-ND
  别名：5KP64A-E3/54GICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 85VWM 137VC P600
  
  型号：5KP85A-E3/54
  仓库库存编号：5KP85A-E3/54GICT-ND
  别名：5KP85A-E3/54GICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 68W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP055N03LGXKSA1
  仓库库存编号：IPP055N03LGXKSA1-ND
  别名：IPP055N03L G
  IPP055N03LGIN
  IPP055N03LGIN-ND
  IPP055N03LGXK
  SP000680806
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF640NPBF
  仓库库存编号：IRF640NPBF-ND
  别名：*IRF640NPBF
  SP001570078
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 60V 16A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Ta），22A（Tc） 2.1W（Ta），23.5W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF2618L
  仓库库存编号：785-1442-5-ND
  别名：785-1442-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  TVS DIODE 18VWM 29.2VC R6
  
  型号：5KP18CA-TP
  仓库库存编号：5KP18CA-TPCT-ND
  别名：5KP18CA-TPCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 14A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 29W（Tc） TO-220AB 整包
  
  型号：IRFIZ24NPBF
  仓库库存编号：IRFIZ24NPBF-ND
  别名：*IRFIZ24NPBF
  SP001556656
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 64A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 130W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFZ48NPBF
  仓库库存编号：IRFZ48NPBF-ND
  别名：*IRFZ48NPBF
  SP001552474
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 35W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：IPA041N04NGXKSA1
  仓库库存编号：IPA041N04NGXKSA1-ND
  别名：SP001191328
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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