规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 60A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 176W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA60N10T
仓库库存编号:
IXTA60N10T-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ44RPBF
仓库库存编号:
IRFZ44RPBF-ND
别名:*IRFZ44RPBF
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
IRLZ44PBF
仓库库存编号:
IRLZ44PBF-ND
别名:*IRLZ44PBF
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
HUF75339P3
仓库库存编号:
HUF75339P3-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 5.2A TO220FP
详细描述:通孔 P 沟道 5.2A(Tc) 37W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI9520GPBF
仓库库存编号:
IRFI9520GPBF-ND
别名:*IRFI9520GPBF
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 40V 20A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Ta),85A(Tc) 1.9W(Ta),41W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF240L
仓库库存编号:
785-1384-5-ND
别名:785-1384-5
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 20A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 42W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIZ34GPBF
仓库库存编号:
IRFIZ34GPBF-ND
别名:*IRFIZ34GPBF
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 130A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 130A(Tc) 330W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF1407PBF
仓库库存编号:
IRF1407PBF-ND
别名:*IRF1407PBF
SP001564238
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 50A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
STP40NF10
仓库库存编号:
497-3188-5-ND
别名:497-3188-5
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Ta),80A(Tc) 245W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP050AN06A0
仓库库存编号:
FDP050AN06A0-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 169A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 169A(Tc) 330W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF1405PBF
仓库库存编号:
IRF1405PBF-ND
别名:*IRF1405PBF
SP001574466
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 45A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 45A(Tc) 60W(Tc) TO-220
型号:
STP45N10F7
仓库库存编号:
497-14573-5-ND
别名:497-14573-5
STP45N10F7-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 21A TO-247AC
详细描述:通孔 P 沟道 21A(Tc) 180W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP9140PBF
仓库库存编号:
IRFP9140PBF-ND
别名:*IRFP9140PBF
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 110W(Tc) TO-220
型号:
STP80N10F7
仓库库存编号:
497-14834-5-ND
别名:497-14834-5
STP80N10F7-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200A(Ta),279A(Tc) 300W(Tc) DDPAK/TO-263-3
型号:
CSD18535KTTT
仓库库存编号:
296-44121-1-ND
别名:296-44121-1
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 310W(Tc) TO-220AB
型号:
HUF75645P3
仓库库存编号:
HUF75645P3-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 75A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 285W(Tc) TO-247
型号:
HUF75344G3
仓库库存编号:
HUF75344G3-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 50A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 300W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP260NPBF
仓库库存编号:
IRFP260NPBF-ND
别名:*IRFP260NPBF
64-6005PBF
64-6005PBF-ND
SP001552016
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 120V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
STP80NF12
仓库库存编号:
497-6743-5-ND
别名:497-6743-5
STP80NF12-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 130A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 130A(Tc) 360W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP130N10T
仓库库存编号:
IXTP130N10T-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 140A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Ta),140A(Tc) 1.9W(Ta),330W(Tc) TO-220
型号:
AOT260L
仓库库存编号:
785-1273-5-ND
别名:785-1273-5
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 75A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 375W(Tc) TO-247
型号:
FDH5500_F085
仓库库存编号:
FDH5500_F085-ND
别名:FDH5500F085
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 96A 330W TO247AC
详细描述:IGBT Trench 600V 96A 330W Through Hole TO-247AC
型号:
IRGP4063DPBF
仓库库存编号:
IRGP4063DPBF-ND
别名:SP001549776
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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IXYS
RECT BRIDGE 3PHASE I4-PAC-5
详细描述:Bridge Rectifier Three Phase 1200V 28A Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
型号:
FUO22-12N
仓库库存编号:
FUO22-12N-ND
别名:492426
FUO2212N
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Transphorm
GAN FET 600V 9A PQFN88
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 65W(Tc) PQFN(8x8)
型号:
TPH3202LD
仓库库存编号:
TPH3202LD-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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