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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 83A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 83A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB108N15N3 G
  仓库库存编号：IPB108N15N3 GCT-ND
  别名：IPB108N15N3 GCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET NCH 135V 129A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 129A（Tc） 441W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：IRF135S203
  仓库库存编号：IRF135S203CT-ND
  别名：IRF135S203CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 140A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB020N08N5ATMA1
  仓库库存编号：IPB020N08N5ATMA1CT-ND
  别名：IPB020N08N5ATMA1CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 375A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 375A（Tc） 3.8W（Ta）, 341W（Tc） DIRECTFET L8
  
  型号：IRL7472L1TRPBF
  仓库库存编号：IRL7472L1TRPBFCT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB027N10N3GATMA1
  仓库库存编号：IPB027N10N3GATMA1CT-ND
  别名：IPB027N10N3 GCT
  IPB027N10N3 GCT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 24V 429A D2PAK-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240A（Tc） 300W（Tc） D2PAK（7-Lead）
  
  型号：IRF1324STRL-7PP
  仓库库存编号：IRF1324STRL-7PPCT-ND
  别名：IRF1324STRL-7PPCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET NCH 60V 36A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Ta），345A（Tc） 3.8W（Ta）, 341W（Tc） DIRECTFET L8
  
  型号：AUIRF7749L2TR
  仓库库存编号：AUIRF7749L2CT-ND
  别名：AUIRF7749L2CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 84A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 84A（Tc） 300W（Tc） TO-263-3
  
  型号：IPB117N20NFDATMA1
  仓库库存编号：IPB117N20NFDATMA1CT-ND
  别名：IPB117N20NFDATMA1-ND
  IPB117N20NFDATMA1CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 64A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB200N25N3 G
  仓库库存编号：IPB200N25N3 GCT-ND
  别名：IPB200N25N3 GCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 155A 8HSOF
  详细描述：表面贴装 N 沟道 155A（Tc） 375W（Tc） PG-HSOF-8-1
  
  型号：IPT059N15N3ATMA1
  仓库库存编号：IPT059N15N3ATMA1CT-ND
  别名：IPT059N15N3ATMA1CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300A（Tc） 375W（Tc） PG-HSOF-8-1
  
  型号：IPT012N08N5ATMA1
  仓库库存编号：IPT012N08N5ATMA1CT-ND
  别名：IPT012N08N5ATMA1CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 478A D2PAK-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 478A（Tc） 375W（Tc） D2PAK（7-Lead）
  
  型号：IRL40SC209
  仓库库存编号：IRL40SC209CT-ND
  别名：IRL40SC209CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 27A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 27A（Tc） 45W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP27N3LH5
  仓库库存编号：497-9095-5-ND
  别名：497-9095-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 50A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP55NF06
  仓库库存编号：497-2777-5-ND
  别名：497-2777-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 35A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 115W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP30NF10
  仓库库存编号：497-7520-5-ND
  别名：497-7520-5
  STP30NF10-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 357W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK765R0-100E,118
  仓库库存编号：1727-7135-1-ND
  别名：1727-7135-1
  568-9567-1
  568-9567-1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 33V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP75NS04Z
  仓库库存编号：497-5981-5-ND
  别名：497-5981-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 120A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 150W（Tc） TO-220
  
  型号：STP160N4LF6
  仓库库存编号：497-15556-5-ND
  别名：497-15556-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 100V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 150W（Tc） TO-220
  
  型号：STP100N10F7
  仓库库存编号：497-13550-5-ND
  别名：497-13550-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP80NF55-06
  仓库库存编号：497-2774-5-ND
  别名：497-2774-5
  STP80NF5506
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 188A（Tc） 1070W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN210N20P
  仓库库存编号：IXFN210N20P-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 11.2A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 11.2A（Ta），73A（Tc） 1.3W（Ta），54.5W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4858N-35G
  仓库库存编号：NTD4858N-35GOS-ND
  别名：NTD4858N-35G-ND
  NTD4858N-35GOS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 11.4A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 11.4A（Tc） 3.13W（Ta），53W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB11P06TM
  仓库库存编号：FQB11P06TMCT-ND
  别名：FQB11P06TMCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 12.8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 12.8A（Tc） 65W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP13N10
  仓库库存编号：FQP13N10-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 12.8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 12.8A（Tc） 65W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP13N10L
  仓库库存编号：FQP13N10L-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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