规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 85A(Tc) 180W(Tc) D2PAK
型号:
IRF1010NSTRLPBF
仓库库存编号:
IRF1010NSTRLPBFCT-ND
别名:IRF1010NSTRLPBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 42A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR2407TRPBF
仓库库存编号:
IRFR2407PBFCT-ND
别名:*IRFR2407TRPBF
IRFR2407PBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 8TDSON
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 20A 50W Surface Mount PG-TDSON-8-10
型号:
IPG20N06S415AATMA1
仓库库存编号:
IPG20N06S415AATMA1CT-ND
别名:IPG20N06S415AATMA1CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Tc) 144W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR4620TRLPBF
仓库库存编号:
IRFR4620TRLPBFCT-ND
别名:IRFR4620TRLPBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 100W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB50N10S3L16ATMA1
仓库库存编号:
IPB50N10S3L16ATMA1CT-ND
别名:IPB50N10S3L-16INCT
IPB50N10S3L-16INCT-ND
IPB50N10S3L16ATMA1CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.9A 2.4W Surface Mount 8-SO
型号:
AUIRF7313QTR
仓库库存编号:
AUIRF7313QCT-ND
别名:AUIRF7313QCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 170W(Tc) D2PAK
型号:
IRF2807ZSTRLPBF
仓库库存编号:
IRF2807ZSTRLPBFCT-ND
别名:IRF2807ZSTRLPBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 70A(Tc) 125W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB70N10S312ATMA1
仓库库存编号:
IPB70N10S312ATMA1CT-ND
别名:IPB70N10S3-12INCT
IPB70N10S3-12INCT-ND
IPB70N10S312ATMA1CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 150V 29A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 29A(Tc) 150W(Tc) DPAK
型号:
PSMN063-150D,118
仓库库存编号:
1727-2164-1-ND
别名:1727-2164-1
568-11936-1
568-11936-1-ND
568-12326-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 59A(Tc) 160W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3710ZSTRLPBF
仓库库存编号:
IRF3710ZSTRLPBFCT-ND
别名:IRF3710ZSTRLPBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 182W(Tc) D2PAK
型号:
BUK966R5-60E,118
仓库库存编号:
1727-7263-1-ND
别名:1727-7263-1
568-9892-1
568-9892-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 8TDSON
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 20A 65W Surface Mount PG-TDSON-8-4
型号:
IPG20N04S4L07ATMA1
仓库库存编号:
IPG20N04S4L07ATMA1CT-ND
别名:IPG20N04S4L07ATMA1CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 188W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD038N06N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD038N06N3GATMA1CT-ND
别名:IPD038N06N3GATMA1CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 33A(Tc) 144W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS4615TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS4615TRLPBFCT-ND
别名:IRFS4615TRLPBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 15A(Tc) 128W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD15P10PLGBTMA1
仓库库存编号:
SPD15P10PLGBTMA1CT-ND
别名:SPD15P10PL GCT
SPD15P10PL GCT-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 5.1A 2.4W Surface Mount 8-SO
型号:
AUIRF7341QTR
仓库库存编号:
AUIRF7341QCT-ND
别名:AUIRF7341QCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150A(Tc) 140W(Tc) D2PAK
型号:
IRL7833STRLPBF
仓库库存编号:
IRL7833STRLPBFCT-ND
别名:IRL7833STRLPBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB100N03S203T
仓库库存编号:
SPB100N03S203XTINCT-ND
别名:SPB100N03S203XTINCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 67A(Tc) 125W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD12CN10NGATMA1
仓库库存编号:
IPD12CN10NGATMA1CT-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 90A TO252-3-11
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 94W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPDH4N03LAG
仓库库存编号:
IPDH4N03LAGINCT-ND
别名:IPDH4N03LAGINCT
IPDH4N03LAGXTINCT
IPDH4N03LAGXTINCT-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD50N03S2L06T
仓库库存编号:
SPD50N03S2L06XTINCT-ND
别名:SPD50N03S2L06XTINCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 150V 55.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55.5A(Tc) 250W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN030-150B,118
仓库库存编号:
1727-4772-1-ND
别名:1727-4772-1
568-5950-1
568-5950-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 115W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD04N03LB G
仓库库存编号:
IPD04N03LBGINCT-ND
别名:IPD04N03LBG
IPD04N03LBGINCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 150W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
IPC100N04S51R2ATMA1
仓库库存编号:
IPC100N04S51R2ATMA1CT-ND
别名:IPC100N04S51R2ATMA1CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 95A 8PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 95A(Tc) 4.3W(Ta),94W(Tc) 8-PQFN(5x6)
型号:
AUIRFN8403TR
仓库库存编号:
AUIRFN8403CT-ND
别名:AUIRFN8403CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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