规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Tc) 3.8W(Ta),45W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9Z24NSTRLPBF
仓库库存编号:
IRF9Z24NSTRLPBFCT-ND
别名:IRF9Z24NSTRLPBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 3A 2.4W Surface Mount 8-SO
型号:
AUIRF7103QTR
仓库库存编号:
AUIRF7103QCT-ND
别名:AUIRF7103QCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 40A LFPAK56D
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 40A 64W Surface Mount LFPAK56D
型号:
BUK7K5R6-30E,115
仓库库存编号:
1727-7267-1-ND
别名:1727-7267-1
568-9897-1
568-9897-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Tc) 68W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD530N15N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD530N15N3GATMA1CT-ND
别名:IPD530N15N3GATMA1CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 18A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Ta),45A(Tc) 3W(Ta),83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD053N06NATMA1
仓库库存编号:
IPD053N06NATMA1CT-ND
别名:IPD053N06N-ND
IPD053N06NATMA1CT
IPD053N06NCT
IPD053N06NCT-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 120W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3915TRPBF
仓库库存编号:
IRLR3915TRPBFCT-ND
别名:IRLR3915TRPBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 74A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 74A(Tc) 148W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN012-80BS,118
仓库库存编号:
1727-7206-1-ND
别名:1727-7206-1
568-9697-1
568-9697-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 79W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB081N06L3 G
仓库库存编号:
IPB081N06L3 GCT-ND
别名:IPB081N06L3 GCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 115W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
IPC100N04S5L1R5ATMA1
仓库库存编号:
IPC100N04S5L1R5ATMA1CT-ND
别名:IPC100N04S5L1R5ATMA1CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 115W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
IPC100N04S51R7ATMA1
仓库库存编号:
IPC100N04S51R7ATMA1CT-ND
别名:IPC100N04S51R7ATMA1CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 115W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB054N06N3 G
仓库库存编号:
IPB054N06N3 GCT-ND
别名:IPB054N06N3 GCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3-11
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 71W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPDH6N03LAG
仓库库存编号:
IPDH6N03LAGINCT-ND
别名:IPDH6N03LAGINCT
IPDH6N03LAGXTINCT
IPDH6N03LAGXTINCT-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 47A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) D2PAK
型号:
IRLZ44NSTRLPBF
仓库库存编号:
IRLZ44NSTRLPBFCT-ND
别名:IRLZ44NSTRLPBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 203W(Tc) D2PAK
型号:
BUK7607-55B,118
仓库库存编号:
1727-4701-1-ND
别名:1727-4701-1
568-5849-1
568-5849-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 58A
详细描述:表面贴装 N 沟道 58A(Tc) 83W(Tc) D-Pak
型号:
IRF60R217
仓库库存编号:
IRF60R217CT-ND
别名:IRF60R217CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 72A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 72A(Tc) 182W(Tc) D2PAK
型号:
BUK7613-100E,118
仓库库存编号:
1727-1087-1-ND
别名:1727-1087-1
568-10240-1
568-10240-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
AUIRLR3410TRL
仓库库存编号:
AUIRLR3410TRLCT-ND
别名:AUIRLR3410TRLCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 8TDSON
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 20A 65W Surface Mount PG-TDSON-8-10
型号:
IPG20N04S408AATMA1
仓库库存编号:
IPG20N04S408AATMA1CT-ND
别名:IPG20N04S408AATMA1CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 20A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 150W(Tc) DPAK
型号:
PSMN130-200D,118
仓库库存编号:
1727-6296-1-ND
别名:1727-6296-1
568-8114-1
568-8114-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 36A(Tc) 3.8W(Ta),140W(Tc) D2PAK
型号:
IRL540NSTRLPBF
仓库库存编号:
IRL540NSTRLPBFCT-ND
别名:IRL540NSTRLPBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
PSMN0R9-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1
详细描述:表面贴装 N 沟道 300A(Tc) 238W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN0R9-25YLDX
仓库库存编号:
1727-2494-1-ND
别名:1727-2494-1
568-12926-1
568-12926-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 254W(Tc) D2PAK
型号:
BUK7606-55B,118
仓库库存编号:
1727-5247-1-ND
别名:1727-5247-1
568-6571-1
568-6571-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3-313
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 150W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD100N04S402ATMA1
仓库库存编号:
IPD100N04S402ATMA1CT-ND
别名:IPD100N04S402ATMA1CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 15A(Tc) 128W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD15P10PGBTMA1
仓库库存编号:
SPD15P10PGBTMA1CT-ND
别名:SPD15P10PGBTMA1CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 17A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Ta),45A(Tc) 3W(Ta),83W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB057N06NATMA1
仓库库存编号:
IPB057N06NATMA1CT-ND
别名:IPB057N06N-ND
IPB057N06NATMA1CT
IPB057N06NCT
IPB057N06NCT-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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