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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 73A
详细描述:表面贴装 N 沟道 73A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD096N08N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD096N08N3GATMA1CT-ND
别名:IPD096N08N3GATMA1CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 194W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN1R2-30YLDX
仓库库存编号:
1727-1860-1-ND
别名:1727-1860-1
568-11556-1
568-11556-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 73A(Tc) 75W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD70P04P409ATMA1
仓库库存编号:
IPD70P04P409ATMA1CT-ND
别名:IPD70P04P409ATMA1CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 18.6A(Tc) 80W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD18P06P G
仓库库存编号:
SPD18P06P GCT-ND
别名:SPD18P06P GCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 51A(Tc) 80W(Tc) D2PAK
型号:
IRLZ44ZSTRLPBF
仓库库存编号:
IRLZ44ZSTRLPBFCT-ND
别名:IRLZ44ZSTRLPBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55A(Tc) 107W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3103TRPBF
仓库库存编号:
IRLR3103PBFCT-ND
别名:*IRLR3103TRPBF
IRLR3103PBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 103W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN017-80BS,118
仓库库存编号:
1727-7209-1-ND
别名:1727-7209-1
568-9700-1
568-9700-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 37A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 37A(Tc) 103W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN027-100BS,118
仓库库存编号:
1727-7210-1-ND
别名:1727-7210-1
568-9701-1
568-9701-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 70A TO-263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 70A(Tc) 79W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB042N03L G
仓库库存编号:
IPB042N03LGINCT-ND
别名:IPB042N03LGINCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263
详细描述:表面贴装 P 沟道 18.7A(Ta) 81.1W(Ta) PG-TO263-2
型号:
SPB18P06P G
仓库库存编号:
SPB18P06PGINCT-ND
别名:SPB18P06PGINCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 56A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 56A(Tc) 99W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
IRFR7746TRPBF
仓库库存编号:
IRFR7746TRPBFCT-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 23A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Tc) 99W(Tc) D2PAK
型号:
BUK9675-100A,118
仓库库存编号:
1727-7199-1-ND
别名:1727-7199-1
568-9688-1
568-9688-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 20A 65W Surface Mount PG-TDSON-8-4
型号:
IPG20N06S2L35ATMA1
仓库库存编号:
IPG20N06S2L35ATMA1CT-ND
别名:IPG20N06S2L35ATMA1CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 53A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 53A(Tc) 138W(Tc) D2PAK
型号:
BUK7623-75A,118
仓库库存编号:
1727-7167-1-ND
别名:1727-7167-1
568-9652-1
568-9652-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 67A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 67A(Tc) 157W(Tc) D2PAK
型号:
BUK9616-75B,118
仓库库存编号:
1727-4714-1-ND
别名:1727-4714-1
568-5864-1
568-5864-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 100W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
IPC100N04S5L1R9ATMA1
仓库库存编号:
IPC100N04S5L1R9ATMA1CT-ND
别名:IPC100N04S5L1R9ATMA1CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
N-CHANNEL_30/40V
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 100W(Tc) PG-TDSON-8-34
型号:
IPC100N04S51R9ATMA1
仓库库存编号:
IPC100N04S51R9ATMA1CT-ND
别名:IPC100N04S51R9ATMA1CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 158W(Tc) DPAK
型号:
BUK624R5-30C,118
仓库库存编号:
1727-5512-1-ND
别名:1727-5512-1
568-6991-1
568-6991-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 157W(Tc) DPAK
型号:
BUK724R5-30C,118
仓库库存编号:
1727-4698-1-ND
别名:1727-4698-1
568-5846-1
568-5846-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 90A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 158W(Tc) DPAK
型号:
BUK6207-55C,118
仓库库存编号:
1727-5501-1-ND
别名:1727-5501-1
568-6978-1
568-6978-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD30N08S2L21ATMA1
仓库库存编号:
IPD30N08S2L21ATMA1CT-ND
别名:IPD30N08S2L-21CT
IPD30N08S2L-21CT-ND
IPD30N08S2L21ATMA1CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 160A(Tc) 214W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB160N04S3-H2
仓库库存编号:
IPB160N04S3H2ATMA1CT-ND
别名:IPB160N04S3-H2CT
IPB160N04S3-H2CT-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 85A(Tc) 238W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK9Y12-100E,115
仓库库存编号:
1727-1121-1-ND
别名:1727-1121-1
568-10276-1
568-10276-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK56
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 40A 64W Surface Mount LFPAK56D
型号:
BUK7K13-60EX
仓库库存编号:
1727-2462-1-ND
别名:1727-2462-1
568-12847-1
568-12847-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK56
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 40A 64W Surface Mount LFPAK56D
型号:
BUK9K13-60EX
仓库库存编号:
1727-2467-1-ND
别名:1727-2467-1
568-12852-1
568-12852-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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