规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 48W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
IPZ40N04S55R4ATMA1
仓库库存编号:
IPZ40N04S55R4ATMA1CT-ND
别名:IPZ40N04S55R4ATMA1CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 42A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR2905ZTRPBF
仓库库存编号:
IRLR2905ZTRPBFCT-ND
别名:IRLR2905ZTRPBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 75A TO252-3-313
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 58W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD75N04S406ATMA1
仓库库存编号:
IPD75N04S406ATMA1CT-ND
别名:IPD75N04S406ATMA1CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 31A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 31A(Tc) 3W(Ta),110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3410TRLPBF
仓库库存编号:
IRFR3410TRLPBFCT-ND
别名:IRFR3410TRLPBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 45A
详细描述:N 沟道 45A(Tc) 79W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD135N08N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD135N08N3GATMA1CT-ND
别名:IPD135N08N3GATMA1CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 79W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD079N06L3 G
仓库库存编号:
IPD079N06L3 GCT-ND
别名:IPD079N06L3 GCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 179W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN1R5-30YLC,115
仓库库存编号:
1727-5297-1-ND
别名:1727-5297-1
568-6727-1
568-6727-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 109W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN1R7-30YL,115
仓库库存编号:
1727-4162-1-ND
别名:1727-4162-1
568-4678-1
568-4678-1-ND
PSMN1R730YL115
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 8TDSON
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 20A 41W Surface Mount PG-TDSON-8-4
型号:
IPG20N04S4L11ATMA1
仓库库存编号:
IPG20N04S4L11ATMA1CT-ND
别名:IPG20N04S4L11ATMA1CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 86W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN015-60BS,118
仓库库存编号:
1727-7207-1-ND
别名:1727-7207-1
568-9698-1
568-9698-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel Complementary 20V 5.1A, 3.2A 2.5W Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ15DC02KDHXTMA1
仓库库存编号:
BSZ15DC02KDHXTMA1CT-ND
别名:BSZ15DC02KDHXTMA1CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MV POWER MOS
详细描述:表面贴装 N 沟道 43A(Tc) 71W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD180N10N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD180N10N3GATMA1TR-ND
别名:IPD180N10N3GATMA1-ND
IPD180N10N3GATMA1TR
SP000900132
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MV POWER MOS
详细描述:表面贴装 N 沟道 43A(Tc) 71W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD180N10N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD180N10N3GATMA1CT-ND
别名:IPD180N10N3GATMA1CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MV POWER MOS
详细描述:表面贴装 N 沟道 43A(Tc) 71W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD180N10N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD180N10N3GATMA1DKR-ND
别名:IPD180N10N3GATMA1DKR
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 32A(Tc) 130W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3411TRPBF
仓库库存编号:
IRFR3411TRPBFCT-ND
别名:IRFR3411TRPBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 8TDSON
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 20A 41W Surface Mount PG-TDSON-8-10
型号:
IPG20N04S4L11AATMA1
仓库库存编号:
IPG20N04S4L11AATMA1CT-ND
别名:IPG20N04S4L11AATMA1CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 78A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 78A(Tc) 128W(Tc) DPAK
型号:
BUK6210-55C,118
仓库库存编号:
1727-5503-1-ND
别名:1727-5503-1
568-6981-1
568-6981-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 42A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR2905ZTRPBF
仓库库存编号:
IRFR2905ZPBFCT-ND
别名:*IRFR2905ZTRPBF
IRFR2905ZPBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
N-CHANNEL_100+
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 71W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD35N12S3L24ATMA1
仓库库存编号:
IPD35N12S3L24ATMA1CT-ND
别名:IPD35N12S3L24ATMA1CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 70A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 70A(Tc) 158W(Tc) DPAK
型号:
BUK7214-75B,118
仓库库存编号:
1727-4696-1-ND
别名:1727-4696-1
568-5844-1
568-5844-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Tc) 3.8W(Ta),70W(Tc) D2PAK
型号:
IRF530NSTRLPBF
仓库库存编号:
IRF530NSTRLPBFCT-ND
别名:IRF530NSTRLPBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 89A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 89A(Tc) 195W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK7Y9R9-80EX
仓库库存编号:
1727-1489-1-ND
别名:1727-1489-1
568-10969-1
568-10969-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 8TDSON
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 20A 43W Surface Mount PG-TDSON-8-10
型号:
IPG20N06S2L65AATMA1
仓库库存编号:
IPG20N06S2L65AATMA1CT-ND
别名:IPG20N06S2L65AATMA1CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 40V 30A 56LFPAK
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 30A 53W Surface Mount LFPAK56D
型号:
BUK9K8R7-40EX
仓库库存编号:
1727-1491-1-ND
别名:1727-1491-1
568-10971-1
568-10971-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 94W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD90N04S403ATMA1
仓库库存编号:
IPD90N04S403ATMA1CT-ND
别名:IPD90N04S403ATMA1CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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