规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
N-CHANNEL_55/60V
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Tc) 47W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD15N06S2L64ATMA2
仓库库存编号:
IPD15N06S2L64ATMA2CT-ND
别名:IPD15N06S2L64ATMA2CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V MLFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 79W(Tc) LFPAK33
型号:
BUK7M9R9-60EX
仓库库存编号:
1727-2566-1-ND
别名:1727-2566-1
568-13010-1
568-13010-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 36W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD30N06S4L23ATMA2
仓库库存编号:
IPD30N06S4L23ATMA2CT-ND
别名:IPD30N06S4L23ATMA2CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 68W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD26N06S2L35ATMA2
仓库库存编号:
IPD26N06S2L35ATMA2CT-ND
别名:IPD26N06S2L35ATMA2CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 95W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK7Y38-100EX
仓库库存编号:
1727-1111-1-ND
别名:1727-1111-1
568-10266-1
568-10266-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 46W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD50N04S408ATMA1
仓库库存编号:
IPD50N04S408ATMA1CT-ND
别名:IPD50N04S408ATMA1CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 91W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN3R0-30YLDX
仓库库存编号:
1727-1796-1-ND
别名:1727-1796-1
568-11379-1
568-11379-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 67A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 67A(Tc) 85W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK7Y10-30B,115
仓库库存编号:
1727-4602-1-ND
别名:1727-4602-1
568-5512-1
568-5512-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 59A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 59A(Tc) 75W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK9Y11-30B,115
仓库库存编号:
1727-4939-1-ND
别名:1727-4939-1
568-6233-1
568-6233-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 52A(Tc) 65W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK9Y12-40E,115
仓库库存编号:
1727-1122-1-ND
别名:1727-1122-1
568-10277-1
568-10277-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 47W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD075N03LGATMA1
仓库库存编号:
IPD075N03LGATMA1CT-ND
别名:IPD075N03LGINCT
IPD075N03LGINCT-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 29A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 29A(Tc) 68W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD350N06LGBTMA1
仓库库存编号:
IPD350N06LGBTMA1CT-ND
别名:IPD350N06LGBTMA1CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Tc) 31W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD78CN10NGATMA1
仓库库存编号:
IPD78CN10NGATMA1CT-ND
别名:IPD78CN10NGATMA1CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 34W(Tc) PG-TSDSON-8-32
型号:
IPZ40N04S58R4ATMA1
仓库库存编号:
IPZ40N04S58R4ATMA1CT-ND
别名:IPZ40N04S58R4ATMA1CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 56W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD060N03LGATMA1
仓库库存编号:
IPD060N03LGATMA1CT-ND
别名:IPD060N03LGINCT
IPD060N03LGINCT-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
N-CHANNEL_30/40V
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 42W(Tc) PG-TDSON-8-33
型号:
IPC50N04S5L5R5ATMA1
仓库库存编号:
IPC50N04S5L5R5ATMA1CT-ND
别名:IPC50N04S5L5R5ATMA1CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 43W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR220NTRPBF
仓库库存编号:
IRFR220NTRPBFCT-ND
别名:*IRFR220NTRPBF
IRFR220NPBFCT
IRFR220NPBFCT-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 75A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 105W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK7Y07-30B,115
仓库库存编号:
1727-4600-1-ND
别名:1727-4600-1
568-5510-1
568-5510-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 20.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20.3A(Tc) 62W(Tc) D2PAK
型号:
BUK7675-55A,118
仓库库存编号:
1727-7174-1-ND
别名:1727-7174-1
568-9659-1
568-9659-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD50N03S2L06GBTMA1
仓库库存编号:
SPD50N03S2L06GBTMA1CT-ND
别名:SPD50N03S2L-06 GCT
SPD50N03S2L-06 GCT-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 71W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD90N04S4L04ATMA1
仓库库存编号:
IPD90N04S4L04ATMA1CT-ND
别名:IPD90N04S4L04ATMA1CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 71W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD90N04S404ATMA1
仓库库存编号:
IPD90N04S404ATMA1CT-ND
别名:IPD90N04S404ATMA1CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 27A(Tc) 58W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD33CN10NGATMA1
仓库库存编号:
IPD33CN10NGATMA1CT-ND
别名:IPD33CN10NGATMA1CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 47A(Tc) 175W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB47N10S-33
仓库库存编号:
IPB47N10S33ATMA1CT-ND
别名:IPB47N10S-33CT
IPB47N10S-33CT-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD50N03S2L06ATMA1
仓库库存编号:
IPD50N03S2L06ATMA1CT-ND
别名:IPD50N03S2L06ATMA1CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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