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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 240A H-PSOF8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240A（Tc） 357W（Tj） 8-PSOF
  
  型号：FDBL0210N80
  仓库库存编号：FDBL0210N80CT-ND
  别名：FDBL0210N80CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 75A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 500W（Tc） TO-247-3
  
  型号：HUFA75852G3_F085
  仓库库存编号：HUFA75852G3_F085-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 120A 79W TO-3PF
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 120A 79W Through Hole TO-3PF
  
  型号：STGFW80V60F
  仓库库存编号：497-15008-5-ND
  别名：497-15008-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 310A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 310A（Tc） 3.8W（Ta），300W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：FDB0165N807L
  仓库库存编号：FDB0165N807LTR-ND
  别名：FDB0165N807L-ND
  FDB0165N807LTR
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 310A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 310A（Tc） 3.8W（Ta），300W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：FDB0165N807L
  仓库库存编号：FDB0165N807LCT-ND
  别名：FDB0165N807LCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 310A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 310A（Tc） 3.8W（Ta），300W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：FDB0165N807L
  仓库库存编号：FDB0165N807LDKR-ND
  别名：FDB0165N807LDKR
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 300A D2PAK
  详细描述：N 沟道 300A（Tc） 3.8W（Ta）, 250W（Tc） D2PAK（7-Lead）
  
  型号：FDB0170N607L
  仓库库存编号：FDB0170N607LCT-ND
  别名：FDB0170N607LCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 195A
  详细描述：通孔 N 沟道 195A（Tc） 375W（Tc） TO-262-3
  
  型号：IRL60SL216
  仓库库存编号：IRL60SL216-ND
  别名：IRL60SL216 -ND
  SP001558100
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 120A 600W TO247
  详细描述：IGBT Field Stop 600V 120A 600W Through Hole TO-247-3
  
  型号：FGH60N60SMD_F085
  仓库库存编号：FGH60N60SMD_F085-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 650V 80A 375W TO247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 80A 375W Through Hole TO-247
  
  型号：STGW60H65FB
  仓库库存编号：497-14037-5-ND
  别名：497-14037-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT HB 1200V 15A HS TO247-3
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 30A 259W Through Hole TO-247-3
  
  型号：STGWA15H120F2
  仓库库存编号：497-15547-5-ND
  别名：497-15547-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 160A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 160A（Tc） 375W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA160N08
  仓库库存编号：FQA160N08-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT HB 1200V 15A HS TO247-3
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 30A 259W Through Hole TO-247-3
  
  型号：STGWA15H120DF2
  仓库库存编号：497-15546-5-ND
  别名：497-15546-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 1200V 30A 259W
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 30A 259W Through Hole TO-247
  
  型号：STGW15M120DF3
  仓库库存编号：497-15057-5-ND
  别名：497-15057-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 650V 150A 375W TO-247AB
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 150A 375W Through Hole TO-247-3
  
  型号：FGH75T65UPD_F085
  仓库库存编号：FGH75T65UPD_F085-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 75V 80A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Ta），80A（Tc） 450W（Tc） TO-247
  
  型号：FDH038AN08A1
  仓库库存编号：FDH038AN08A1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Tc） 3.8W（Ta）, 250W（Tc） D2PAK（7-Lead）
  
  型号：FDB0260N1007L
  仓库库存编号：FDB0260N1007LCT-ND
  别名：FDB0260N1007LCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 85A（Tc） 3.75W（Ta），250W（Tc）
  
  型号：SUP85N10-10-GE3
  仓库库存编号：SUP85N10-10-GE3CT-ND
  别名：SUP85N10-10-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 2.4W（Ta），227W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB86135
  仓库库存编号：FDB86135CT-ND
  别名：FDB86135CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 300W（Tc） H2PAK
  
  型号：STH260N6F6-2
  仓库库存编号：497-11217-1-ND
  别名：497-11217-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  IGBT 1200V 30A 259W
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 30A 259W Through Hole TO-247 Long Leads
  
  型号：STGWA15M120DF3
  仓库库存编号：497-15059-5-ND
  别名：497-15059-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 76A 268W TO247AD
  详细描述：IGBT Trench 600V 76A 268W Through Hole TO-247AD
  
  型号：IRGP4069D-EPBF
  仓库库存编号：IRGP4069D-EPBF-ND
  别名：SP001534110
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  IGBT BIPO 650V 80A TO247-3
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 120A 469W Through Hole TO-247 Long Leads
  
  型号：STGWA80H65DFB
  仓库库存编号：497-16007-5-ND
  别名：497-16007-5
  STGWA80H65DFB-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 315W（Tc） H2PAK
  
  型号：STH270N8F7-2
  仓库库存编号：497-13873-1-ND
  别名：497-13873-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Littelfuse Inc.
  TVS DIODE 24VWM 40.7VC AXIAL
  
  型号：15KPA24A
  仓库库存编号：15KPA24ACT-ND
  别名：15KPA24ACT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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