规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 300A H-PSOF8
详细描述：表面贴装 N 沟道 300A（Tc） 429W（Tj） 8-PSOF
型号：
FDBL0065N40
仓库库存编号：
FDBL0065N40CT-ND
别名：FDBL0065N40CT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 600V 80A 375W TO3P
详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 80A 375W Through Hole
型号：
STGWT60V60DF
仓库库存编号：
497-13836-5-ND
别名：497-13836-5
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 315W（Tc） H2PAK
型号：
STH180N10F3-6
仓库库存编号：
497-11840-1-ND
别名：497-11840-1
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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M/A-Com Technology Solutions
DIODE PIN SMQ CERAMIC SI
详细描述：RF Diode PIN - Single 600V 10W
型号：
MA4P7006F-1072T
仓库库存编号：
1465-1235-1-ND
别名：1465-1235-1
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 75A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 341W（Tc） TO-247AC
型号：
IRFP4127PBF
仓库库存编号：
IRFP4127PBF-ND
别名：SP001566148
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 140A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 140A（Tc） 375W（Tc） TO-3PN
型号：
FQA140N10
仓库库存编号：
FQA140N10-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 650V 120A 306W TO-3PN
详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 120A 306W Through Hole TO-3PN
型号：
FGA6560WDF
仓库库存编号：
FGA6560WDF-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 650V 120A 306W TO3P
详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 120A 306W Through Hole TO-3PN
型号：
FGA6065ADF
仓库库存编号：
FGA6065ADF-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 600V 80A 349W TO247
详细描述：IGBT Field Stop 600V 80A 349W Through Hole TO-247-3
型号：
FGH40N60SMDF_F085
仓库库存编号：
FGH40N60SMDF_F085-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 270A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 270A（Tc） 3.8W（Ta）, 250W（Tc） D2PAK（7-Lead）
型号：
FDB0190N807L
仓库库存编号：
FDB0190N807LCT-ND
别名：FDB0190N807LCT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 330W（Tc） D2PAK
型号：
STB160N75F3
仓库库存编号：
497-7937-1-ND
别名：497-7937-1
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 460A
详细描述：表面贴装 N 沟道 460A（Tc） 3.8W（Ta），300W（Tc） D2PAK（7-Lead）
型号：
FDB0105N407L
仓库库存编号：
FDB0105N407LCT-ND
别名：FDB0105N407LCT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Micro Commercial Co
TVS DIODE 17VWM 29.3VC R6
型号：
15KP17A-TP
仓库库存编号：
15KP17A-TPCT-ND
别名：15KP17A-TPCT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 650V 80A 283W TO247
详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 80A 283W Through Hole TO-247
型号：
STGW40H65FB
仓库库存编号：
497-14036-5-ND
别名：497-14036-5
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 270A POWERSO-10
详细描述：表面贴装 N 沟道 270A（Tc） 300W（Tc） 10-PowerSO
型号：
STV270N4F3
仓库库存编号：
497-7031-1-ND
别名：497-7031-1
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 257A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 195A（Tc） 375W（Tc） TO-247AC
型号：
IRFP3006PBF
仓库库存编号：
IRFP3006PBF-ND
别名：SP001556714
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 300A
详细描述：表面贴装 N 沟道 240A（Tc） 357W（Tj） 8-PSOF
型号：
FDBL0150N60
仓库库存编号：
FDBL0150N60CT-ND
别名：FDBL0150N60CT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 75V 240A POWERSO-10
详细描述：表面贴装 N 沟道 240A（Tc） 300W（Tc） 10-PowerSO
型号：
STV240N75F3
仓库库存编号：
497-7029-1-ND
别名：497-7029-1
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 120A H2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 315W（Tc） H2PAK
型号：
STH180N10F3-2
仓库库存编号：
497-11216-1-ND
别名：497-11216-1
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 330W（Tc） D2PAK
型号：
STB200N6F3
仓库库存编号：
497-10025-1-ND
别名：497-10025-1
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 169A H-PSOF8
详细描述：表面贴装 N 沟道 169A（Tc） 500W（Tj） 8-PSOF
型号：
FDBL0630N150
仓库库存编号：
FDBL0630N150CT-ND
别名：FDBL0630N150CT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 180A H2PAK-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 300W（Tc） H2PAK
型号：
STH250N55F3-6
仓库库存编号：
497-11309-1-ND
别名：497-11309-1
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Tc） 3.8W（Ta）, 250W（Tc） D2PAK（7-Lead）
型号：
FDB0300N1007L
仓库库存编号：
FDB0300N1007LCT-ND
别名：FDB0300N1007LCT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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STMicroelectronics
IGBT H-SERIES 1200V 15A TO-247
详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 30A 259W Through Hole TO-247
型号：
STGW15H120DF2
仓库库存编号：
497-14712-5-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Vishay Semiconductor Diodes Division
TVS DIODE 22VWM 40VC DO218AB
型号：
SM6A27THE3/I
仓库库存编号：
SM6A27THE3/IGICT-ND
别名：SM6A27THE3/IGICT
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