规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 120A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 395W(Tc) TO-220AB
型号:
FDP025N06
仓库库存编号:
FDP025N06-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 40V 240A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 240A(Tc) 375W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
AUIRLS8409-7P
仓库库存编号:
AUIRLS8409-7P-ND
别名:SP001521838
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 110A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 110A(Tc) 15W(Ta),375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM110P04-05-E3
仓库库存编号:
SUM110P04-05-E3CT-ND
别名:SUM110P04-05-E3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 600V 80A 62.5W TO-3PF
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 80A 62.5W Through Hole TO-3PF
型号:
STGFW40V60F
仓库库存编号:
497-15007-5-ND
别名:497-15007-5
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 310W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUFA75645S3S
仓库库存编号:
HUFA75645S3SCT-ND
别名:HUFA75645S3SCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 600V 80A 62.5W TO-3PF
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 80A 62.5W TO-3PF-3
型号:
STGFW40V60DF
仓库库存编号:
497-15124-5-ND
别名:497-15124-5
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 650V 100A 319W TO-3PN
详细描述:IGBT Trench Field Stop 650V 100A 319W Through Hole TO-3PN
型号:
FGA50T65SHD
仓库库存编号:
FGA50T65SHD-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 600V 80A 375W TO-247
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 80A 375W Through Hole TO-247
型号:
STGW60H60DLFB
仓库库存编号:
497-14366-ND
别名:497-14366
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 200V 72A D2PAK
详细描述:N 沟道 72A(Tc) 375W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
AUIRFS4127
仓库库存编号:
AUIRFS4127-ND
别名:SP001517544
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 650V 100A 340W TO-247AB
详细描述:IGBT Trench Field Stop 650V 100A 340W Through Hole TO-247
型号:
FGH50T65UPD
仓库库存编号:
FGH50T65UPD-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 65A 250W TO247AD
详细描述:IGBT 600V 65A 250W Through Hole TO-247AD
型号:
IRGP4640DPBF
仓库库存编号:
IRGP4640DPBF-ND
别名:IRGP4640D-DPBF-ND
SP001535770
SP00153770
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 1000V 80A 333W TO247-3
详细描述:IGBT Trench Field Stop 1000V 80A 333W Through Hole TO-247-3
型号:
FGH40T100SMD_F155
仓库库存编号:
FGH40T100SMD_F155-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 117A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 117A(Tc) 294W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB082N15A
仓库库存编号:
FDB082N15AFSCT-ND
别名:FDB082N15AFSCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 200A(Tc) 300W(Tc) H2PAK
型号:
STH320N4F6-2
仓库库存编号:
497-13875-1-ND
别名:497-13875-1
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 300A
详细描述:表面贴装 N 沟道 300A(Tc) 429W(Tj) 8-PSOF
型号:
FDBL0110N60
仓库库存编号:
FDBL0110N60CT-ND
别名:FDBL0110N60CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 300A
详细描述:表面贴装 N 沟道 300A(Tc) 429W(Tj) 8-PSOF
型号:
FDBL0150N80
仓库库存编号:
FDBL0150N80CT-ND
别名:FDBL0150N80CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 300W(Tc) H2PAK
型号:
STH270N4F3-2
仓库库存编号:
497-13773-1-ND
别名:497-13773-1
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP020N08N5AKSA1
仓库库存编号:
IPP020N08N5AKSA1-ND
别名:SP001132480
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 600V 80A 349W TO-247-3
详细描述:IGBT Field Stop 600V 80A 349W Through Hole TO-247-3
型号:
FGH40N60SMD_F085
仓库库存编号:
FGH40N60SMD_F085-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI075N15N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPI075N15N3GXKSA1-ND
别名:SP000680676
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 200A(Tc) 300W(Tc) H2PAK
型号:
STH320N4F6-6
仓库库存编号:
497-13838-1-ND
别名:497-13838-1
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L
详细描述:IGBT Trench Field Stop 650V 80A 375W Through Hole TO-3P
型号:
STGWT60H65FB
仓库库存编号:
497-14233-5-ND
别名:497-14233-5
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 600V 80A 375W TO3P-3L
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 80A 375W Through Hole TO-3P
型号:
STGWT60H60DLFB
仓库库存编号:
497-14231-5-ND
别名:497-14231-5
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L
详细描述:IGBT Trench Field Stop 650V 80A 375W Through Hole TO-3P
型号:
STGWT60H65DFB
仓库库存编号:
497-14232-5-ND
别名:497-14232-5
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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STMicroelectronics
IGBT 600V 80A 375W TO247
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 80A 375W Through Hole TO-247
型号:
STGW60V60F
仓库库存编号:
497-13835-5-ND
别名:497-13835-5
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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