规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Littelfuse Inc.
TVS DIODE 18VWM 29.2VC SMTO263
型号：
SLD8S18A
仓库库存编号：
F8152CT-ND
别名：F8152CT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Littelfuse Inc.
TVS DIODE 28VWM 45.4VC SMTO263
型号：
SLD8S28A
仓库库存编号：
F8157CT-ND
别名：F8157CT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
搜索
Littelfuse Inc.
TVS DIODE 17VWM 27.6VC SMTO263
型号：
SLD8S17A
仓库库存编号：
F8151CT-ND
别名：F8151CT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
搜索
Littelfuse Inc.
TVS DIODE 27VWM 43.6VC SMTO263
型号：
SLD8S27A
仓库库存编号：
F8156CT-ND
别名：F8156CT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Littelfuse Inc.
TVS DIODE 43VWM 69.4VC SMTO263
型号：
SLD8S43A
仓库库存编号：
F8145CT-ND
别名：F8145CT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Littelfuse Inc.
TVS DIODE 13VWM 21.5VC SMTO263
型号：
SLD8S13A
仓库库存编号：
F8147CT-ND
别名：F8147CT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
搜索
Littelfuse Inc.
TVS DIODE 48VWM 77.4VC SMTO263
型号：
SLD8S48A
仓库库存编号：
F8159CT-ND
别名：F8159CT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Littelfuse Inc.
TVS DIODE 14VWM 23.2VC SMTO263
型号：
SLD8S14A
仓库库存编号：
F8148CT-ND
别名：F8148CT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Littelfuse Inc.
TVS DIODE 20VWM 32.4VC SMTO263
型号：
SLD8S20A
仓库库存编号：
F8153CT-ND
别名：F8153CT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Littelfuse Inc.
TVS DIODE 26VWM 42.1VC SMTO263
型号：
SLD8S26A
仓库库存编号：
F8155CT-ND
别名：F8155CT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Littelfuse Inc.
TVS DIODE 30VWM 48.4VC SMTO263
型号：
SLD8S30A
仓库库存编号：
F8142CT-ND
别名：F8142CT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Littelfuse Inc.
TVS DIODE 40VWM 64.5VC SMTO263
型号：
SLD8S40A
仓库库存编号：
F8158CT-ND
别名：F8158CT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Littelfuse Inc.
TVS DIODE 36VWM 58.1VC SMTO263
型号：
SLD8S36A
仓库库存编号：
F8144CT-ND
别名：F8144CT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Littelfuse Inc.
TVS DIODE 22VWM 35.5VC SMTO263
型号：
SLD8S22A
仓库库存编号：
F8154CT-ND
别名：F8154CT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Littelfuse Inc.
TVS DIODE 24VWM 38.9VC SMTO263
型号：
SLD8S24A
仓库库存编号：
F8141CT-ND
别名：F8141CT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 315W（Tc） H2Pak-2
型号：
STH275N8F7-2AG
仓库库存编号：
497-15473-1-ND
别名：497-15473-1
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
AUTOMOTIVE 650V FS GEN3
详细描述：IGBT NPT 650V 80A 267W Through Hole TO-247
型号：
FGH40T65SPD_F085
仓库库存编号：
FGH40T65SPD_F085-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 75V 19A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta） 310W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB045AN08A0_F085
仓库库存编号：
FDB045AN08A0_F085CT-ND
别名：FDB045AN08A0_F085CT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 600V 80A 283W TO3P-3
详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 80A 283W Through Hole TO-3P
型号：
STGWT40V60DF
仓库库存编号：
497-13771-5-ND
别名：497-13771-5
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 300W（Tc） H2PAK-6
型号：
STH260N6F6-6
仓库库存编号：
497-15144-1-ND
别名：497-15144-1
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP030N10N5AKSA1
仓库库存编号：
IPP030N10N5AKSA1-ND
别名：SP001227032
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 80V 110A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 110A（Tc） 13.6W（Ta），375W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SUM110P08-11L-E3
仓库库存编号：
SUM110P08-11L-E3CT-ND
别名：SUM110P08-11L-E3CT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 650V 100A TO-3PN
详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 100A 268W Through Hole TO-3PN
型号：
FGA5065ADF
仓库库存编号：
FGA5065ADF-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 315W（Tc） H2PAK-6
型号：
STH275N8F7-6AG
仓库库存编号：
497-15474-1-ND
别名：497-15474-1
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 300W（Tc） H2PAK
型号：
STH400N4F6-6
仓库库存编号：
497-14537-1-ND
别名：497-14537-1
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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