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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 375W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP5500_F085
  仓库库存编号：FDP5500_F085-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 1250V 50A 250W TO-3PN
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1250V 50A 250W Through Hole TO-3PN
  
  型号：FGA25S125P_SN00337
  仓库库存编号：FGA25S125P_SN00337-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 231W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB029N06
  仓库库存编号：FDB029N06CT-ND
  别名：FDB029N06CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240A（Tc） 330W（Tc） D2PAK（7-Lead）
  
  型号：AUIRF2804S-7P
  仓库库存编号：AUIRF2804S-7P-ND
  别名：SP001521640
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 80A 283W TO3P-3L
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 80A 283W Through Hole TO-3P
  
  型号：STGWT40H60DLFB
  仓库库存编号：497-14228-5-ND
  别名：497-14228-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 80A 283W Through Hole TO-3P
  
  型号：STGWT40H65FB
  仓库库存编号：497-14230-5-ND
  别名：497-14230-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 80A 283W Through Hole TO-3P
  
  型号：STGWT40H65DFB
  仓库库存编号：497-14229-5-ND
  别名：497-14229-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 80A 283W TO247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 80A 283W Through Hole TO-247
  
  型号：STGW40V60F
  仓库库存编号：497-13834-5-ND
  别名：497-13834-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 333W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB075N15A_F085
  仓库库存编号：FDB075N15A_F085CT-ND
  别名：FDB075N15A_F085CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 16A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），128A（Tc） 3.3W（Ta），187W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS86150ET100
  仓库库存编号：FDMS86150ET100CT-ND
  别名：FDMS86150ET100CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 40A 167W D2PAK
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 40A 167W Surface Mount D2PAK
  
  型号：STGB20H60DF
  仓库库存编号：497-15117-1-ND
  别名：497-15117-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 289A SO-8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Ta） 3.9W（Ta），200W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS5C604NLT1G
  仓库库存编号：NTMFS5C604NLT1GOSCT-ND
  别名：NTMFS5C604NLT1GOSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 80A 283W TO3P-3
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 80A 283W Through Hole TO-3P
  
  型号：STGWT40V60DLF
  仓库库存编号：497-13772-5-ND
  别名：497-13772-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 24V 240A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 240A（Tc） 300W（Tc） TO-262-3 宽型
  
  型号：AUIRF1324WL
  仓库库存编号：AUIRF1324WL-ND
  别名：SP001516588
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 300A PSOF8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300A（Tc） 429W（Tj） 8-PSOF
  
  型号：FDBL86561_F085
  仓库库存编号：FDBL86561_F085CT-ND
  别名：FDBL86561_F085CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 195A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 195A（Tc） 375W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL60S216
  仓库库存编号：IRL60S216CT-ND
  别名：IRL60S216CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 80A TO-262AB
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Ta），80A（Tc） 310W（Tc） I2PAK（TO-262）
  
  型号：FDI038AN06A0
  仓库库存编号：FDI038AN06A0-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 300A PSOF8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300A（Tc） 429W（Tj） 8-PSOF
  
  型号：FDBL86361_F085
  仓库库存编号：FDBL86361_F085CT-ND
  别名：FDBL86361_F085CT
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V D2PAK-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 214W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：FDB024N04AL7
  仓库库存编号：FDB024N04AL7CT-ND
  别名：FDB024N04AL7CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 263W（Tc） I2PAK
  
  型号：FDI045N10A_F102
  仓库库存编号：FDI045N10A_F102-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta），63A（Tc） 3.3W（Ta），136W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS86255ET150
  仓库库存编号：FDMS86255ET150CT-ND
  别名：FDMS86255ET150CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 650V 80A 268W TO-3PN
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 80A 268W Through Hole TO-3PN
  
  型号：FGA40T65SHDF
  仓库库存编号：FGA40T65SHDF-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Littelfuse Inc.
  TVS DIODE 90VWM 146VC AXIAL
  
  型号：5KP90CA
  仓库库存编号：5KP90CALFCT-ND
  别名：5KP90CALFCT
  
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• Littelfuse Inc.
  TVS DIODE 51VWM 82.4VC AXIAL
  
  型号：5KP51CA
  仓库库存编号：5KP51CALFCT-ND
  别名：5KP51CACT
  5KP51CACT-ND
  5KP51CALFCT
  F3400CT
  F3400CT-ND
  
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• Littelfuse Inc.
  TVS DIODE 54VWM 87.1VC AXIAL
  
  型号：5KP54CA
  仓库库存编号：5KP54CALFCT-ND
  别名：5KP54CACT
  5KP54CACT-ND
  5KP54CALFCT
  F3402CT
  F3402CT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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