规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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STMicroelectronics
IGBT 1250V 40A 259W TO-247
详细描述：IGBT Trench Field Stop 1250V 40A 259W Through Hole TO-247
型号：
STGW20IH125DF
仓库库存编号：
497-14559-5-ND
别名：497-14559-5
STGW20IH125DF-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Comchip Technology
TVS DIODE 36VWM 58.1VC DO218AB
型号：
ATV66SM836A-G
仓库库存编号：
641-1796-1-ND
别名：641-1796-1
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP015N04NGXKSA1
仓库库存编号：
IPP015N04NGXKSA1-ND
别名：IPP015N04N G
IPP015N04N G-ND
IPP015N04NG
SP000680760
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
型号：
STB200NF03T4
仓库库存编号：
497-6548-1-ND
别名：497-6548-1
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 240A PSOF8
详细描述：表面贴装 N 沟道 240A（Tc） 357W（Tj） 8-PSOF
型号：
FDBL9403_F085
仓库库存编号：
FDBL9403_F085CT-ND
别名：FDBL9403_F085CT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 135V 129A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 129A（Tc） 441W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IRF135B203
仓库库存编号：
IRF135B203-ND
别名：SP001576588
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 600V 40A 62.5W TO-3PF
详细描述：IGBT Field Stop 600V 40A 75W Through Hole TO-3PF
型号：
FGAF20N60SMD
仓库库存编号：
FGAF20N60SMD-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 650V 40A 168W TO3P
详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 40A 168W Through Hole TO-3P
型号：
STGWT20H65FB
仓库库存编号：
497-15139-5-ND
别名：497-15139-5
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 80A PWRFLT5X6
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 5W（Ta），100W（Tc） PowerFlat?（5x6）
型号：
STL100N10F7
仓库库存编号：
497-13649-1-ND
别名：497-13649-1
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
TVS DIODE 19.9VC 332A DO-218AB
型号：
SM8S12AHE3_A/I
仓库库存编号：
SM8S12AHE3_A/IGICT-ND
别名：SM8S12AHE3_A/IGICT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
TVS DIODE 38.9VC 170A DO-218AB
型号：
SM8S24AHE3_A/I
仓库库存编号：
SM8S24AHE3_A/IGICT-ND
别名：SM8S24AHE3_A/IGICT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 79A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 79A（Tc） 310W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB2532_F085
仓库库存编号：
FDB2532_F085CT-ND
别名：FDB2532_F085CT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 75V 18A POWERFLAT56
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 80W（Tc） PowerFlat?（5x6）
型号：
STL80N75F6
仓库库存编号：
497-12981-1-ND
别名：497-12981-1
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 1250V 40A 259W TO-3P
详细描述：IGBT Trench Field Stop 1250V 40A 259W Through Hole TO-3P
型号：
STGWT20IH125DF
仓库库存编号：
497-14561-5-ND
别名：497-14561-5
STGWT20IH125DF-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Littelfuse Inc.
TVS DIODE 200VWM 329.2VC AXIAL
型号：
5KP200A
仓库库存编号：
5KP200ALFCT-ND
别名：5KP200ACT
5KP200ACT-ND
5KP200ALFCT
F3391CT
F3391CT-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 600V 80A 238W TO-3PN
详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 80A 238W Through Hole TO-3PN
型号：
FGA4060ADF
仓库库存编号：
FGA4060ADF-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 240A H-PSOF8
详细描述：表面贴装 N 沟道 240A（Tc） 300W（Tj） 8-PSOF
型号：
FDBL0120N40
仓库库存编号：
FDBL0120N40CT-ND
别名：FDBL0120N40CT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 80A POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta），198A（Tc） 3.3W（Ta），187W（Tc） Power56
型号：
FDMS86350ET80
仓库库存编号：
FDMS86350ET80CT-ND
别名：FDMS86350ET80CT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
型号：
STB150NF04
仓库库存编号：
497-8805-1-ND
别名：497-8805-1
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
型号：
STB150NF55T4
仓库库存编号：
497-7934-1-ND
别名：497-7934-1
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Comchip Technology
TVS DIODE 26VWM 42.1VC DO218AB
型号：
ATV66SM826A-G
仓库库存编号：
641-1780-1-ND
别名：641-1780-1
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 650V 80A 238W TO-3PN
详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 80A 238W Through Hole TO-3PN
型号：
FGA6540WDF
仓库库存编号：
FGA6540WDF-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 600V 60A 58W TO-3PF
详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 60A 58W Through Hole TO-3PF
型号：
STGFW30V60DF
仓库库存编号：
497-15011-5-ND
别名：497-15011-5
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 22A TO-263AB
详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta） 310W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB035AN06A0_F085
仓库库存编号：
FDB035AN06A0_F085CT-ND
别名：FDB035AN06A0_F085CT
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 98A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 200W（Tc） TO-247AC
型号：
AUIRFP064N
仓库库存编号：
AUIRFP064N-ND
别名：SP001520104
规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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