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• SMC Diode Solutions
  TVS DIODE 33VWM 54.7VC P600
  
  型号：15KPA33CATR
  仓库库存编号：1655-1349-1-ND
  别名：1655-1349-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET NCH 100V 74A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 74A（Tc） 170W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB120N10
  仓库库存编号：FDB120N10CT-ND
  别名：FDB120N10CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 50A
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SQD50P04-13L_GE3
  仓库库存编号：SQD50P04-13L_GE3CT-ND
  别名：SQD50P04-13L_GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 50A
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SQD50P04-09L_GE3
  仓库库存编号：SQD50P04-09L_GE3CT-ND
  别名：SQD50P04-09L_GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 44A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 44A（Tc） 2.4W（Ta），330W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB42N20DPBF
  仓库库存编号：IRFB42N20DPBF-ND
  别名：*IRFB42N20DPBF
  SP001560222
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 100V 110A H2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 150W（Tc） H2PAK
  
  型号：STH110N10F7-2
  仓库库存编号：497-13549-1-ND
  别名：497-13549-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Littelfuse Inc.
  TVS DIODE 10VWM 17VC AXIAL
  
  型号：SLD10-018
  仓库库存编号：SLD10-018CT-ND
  别名：SLD10-018CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 650V 80A 349W TO3P
  详细描述：IGBT Field Stop 650V 80A 349W Through Hole TO-3PN
  
  型号：FGA40N65SMD
  仓库库存编号：FGA40N65SMDFS-ND
  别名：FGA40N65SMD-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 20.7A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20.7A（Tc） 7.1W（Tc） 8-SO
  
  型号：SQ4840EY-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ4840EY-T1_GE3CT-ND
  别名：SQ4840EY-T1_GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 240A AUTO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240A（Tc） 231W（Tc） D2PAK-7
  
  型号：AUIRFS8407-7P
  仓库库存编号：AUIRFS8407-7P-ND
  别名：SP001518052
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 120A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 120A（Tc） 375W（Tc）
  
  型号：SQM120P04-04L_GE3
  仓库库存编号：SQM120P04-04L_GE3CT-ND
  别名：SQM120P04-04L_GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 120A TO263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SQM120P06-07L_GE3
  仓库库存编号：SQM120P06-07L_GE3CT-ND
  别名：SQM120P06-07L_GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  TVS DIODE 22VWM 35.5VC DO-218AB
  
  型号：SM8S22A-TP
  仓库库存编号：SM8S22A-TPMSCT-ND
  别名：SM8S22A-TPMSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），80A（Tc） 310W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB3632
  仓库库存编号：FDB3632CT-ND
  别名：FDB3632CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 60A 260W TO3PF
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 60A 260W Through Hole TO-3P
  
  型号：STGWT30V60F
  仓库库存编号：497-13963-5-ND
  别名：497-13963-5
  STGWT30V60F-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 310W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUFA76645S3ST_F085
  仓库库存编号：HUFA76645S3ST_F085CT-ND
  别名：HUFA76645S3ST_F085CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 40A 167W D2PAK
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 40A 167W Surface Mount D2PAK
  
  型号：STGB20V60F
  仓库库存编号：497-14977-1-ND
  别名：497-14977-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-263-7
  
  型号：SUM70040M-GE3
  仓库库存编号：SUM70040M-GE3CT-ND
  别名：SUM70040M-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 128A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 128A（Tc） 375W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：SUM80090E-GE3
  仓库库存编号：SUM80090E-GE3CT-ND
  别名：SUM80090E-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM60030E-GE3
  仓库库存编号：SUM60030E-GE3CT-ND
  别名：SUM60030E-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 110A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 333W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：FDB86563_F085
  仓库库存编号：FDB86563_F085CT-ND
  别名：FDB86563_F085CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 40A 167W TO3PF
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 40A 167W Through Hole TO-3P
  
  型号：STGWT20H60DF
  仓库库存编号：497-13961-5-ND
  别名：497-13961-5
  STGWT20H60DF-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 40A 167W TO3P-3
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 40A 167W Through Hole TO-3P
  
  型号：STGWT20V60DF
  仓库库存编号：497-13769-5-ND
  别名：497-13769-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 110A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FDP86363_F085
  仓库库存编号：FDP86363_F085-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  IGBT 650V 20A TO247
  详细描述：IGBT 650V 40A 227W Through Hole TO-247
  
  型号：AOK20B65M2
  仓库库存编号：785-1752-ND
  别名：785-1752
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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