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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 100A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 227W（Tj） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD86367_F085
  仓库库存编号：FDD86367_F085CT-ND
  别名：FDD86367_F085CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 50A TO252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 71W（Tc）
  
  型号：SQD45P03-12_GE3
  仓库库存编号：SQD45P03-12_GE3CT-ND
  别名：SQD45P03-12_GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 27A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 27A（Tc） 3.75W（Ta），120W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB27P06TM
  仓库库存编号：FQB27P06TMCT-ND
  别名：FQB27P06TMCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Tc） 50W（Tc） DPAK
  
  型号：STD30N10F7
  仓库库存编号：497-14531-1-ND
  别名：497-14531-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CHAN 100V TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 136W（Tc） TO-252
  
  型号：SQD50N10-8M9L_GE3
  仓库库存编号：SQD50N10-8M9L_GE3CT-ND
  别名：SQD50N10-8M9L_GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 160VWM 259VC P600
  
  型号：5KP160A-E3/54
  仓库库存编号：5KP160A-E3/54GICT-ND
  别名：5KP160A-E3/54GICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 24A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 45W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ850EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ850EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ850EP-T1_GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 15VWM 24.4VC P600
  
  型号：5KP15A-E3/54
  仓库库存编号：5KP15A-E3/54GICT-ND
  别名：5KP15A-E3/54GICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 40 V, 3.8 MOHM TYP., 1
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 130W（Tc） DPAK
  
  型号：STD180N4F6
  仓库库存编号：497-16938-1-ND
  别名：497-16938-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 45A（Ta） 2.4W（Ta），125W（Tj） D2PAK
  
  型号：NTB45N06LT4G
  仓库库存编号：NTB45N06LT4GOSCT-ND
  别名：NTB45N06LT4GOSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 125W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP086N10N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP086N10N3GXKSA1-ND
  别名：IPP086N10N3 G
  IPP086N10N3 G-ND
  IPP086N10N3G
  SP000680840
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 3.75W（Ta），120W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB50N06TM
  仓库库存编号：FQB50N06TMFSCT-ND
  别名：FQB50N06TMFSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 42A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
  
  型号：AUIRFR2905Z
  仓库库存编号：AUIRFR2905Z-ND
  别名：SP001518150
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 40A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.5A（Ta），41A（Tc） 3.9W（Ta），90W（Tc） DPAK
  
  型号：NVD6824NLT4G-VF01
  仓库库存编号：NVD6824NLT4G-VF01OSCT-ND
  别名：NVD6824NLT4G-VF01OSCT
  NVD6824NLT4GOSCT
  NVD6824NLT4GOSCT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：IRFS3207ZTRRPBF
  仓库库存编号：IRFS3207ZTRRPBFCT-ND
  别名：IRFS3207ZTRRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 94W（Tj） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB86569_F085
  仓库库存编号：FDB86569_F085CT-ND
  别名：FDB86569_F085CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  TVS DIODE 26VWM 42.1VC SMC
  
  型号：5.0SMLJ26A-TP
  仓库库存编号：5.0SMLJ26A-TPMSCT-ND
  别名：5.0SMLJ26A-TPMSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  T6 40V MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Ta）, 140A（Tc） 3.7W（Ta）, 83W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS5C442NT1G
  仓库库存编号：NTMFS5C442NT1GOSCT-ND
  别名：NTMFS5C442NT1GOSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  TVS DIODE 30VWM 48.4VC SMCJ
  
  型号：5.0SMLJ30A-TP
  仓库库存编号：5.0SMLJ30A-TPMSCT-ND
  别名：5.0SMLJ30A-TPMSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 200V 35A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN070-200B,118
  仓库库存编号：1727-4775-1-ND
  别名：1727-4775-1
  568-5953-1
  568-5953-1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  TVS DIODE 58VWM 93.6VC SMC
  
  型号：5.0SMLJ58CA-TP
  仓库库存编号：5.0SMLJ58CA-TPMSCT-ND
  别名：5.0SMLJ58CA-TPMSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 40V 18A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta），90A（Tc） 2.2W（Ta） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：DMNH4006SK3-13
  仓库库存编号：DMNH4006SK3-13DICT-ND
  别名：DMNH4006SK3-13DICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 55A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55A（Tc） 2W（Ta） TO-252
  
  型号：DMNH10H028SK3Q-13
  仓库库存编号：DMNH10H028SK3Q-13DICT-ND
  别名：DMNH10H028SK3Q-13DICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 70A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 85W（Tc） DPAK
  
  型号：STD85N10F7AG
  仓库库存编号：497-16516-1-ND
  别名：497-16516-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 25A PWRDI5060-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta），100A（Tc） 2.1W（Ta），167W（Tc） PowerDI5060-8
  
  型号：DMTH6004SPS-13
  仓库库存编号：DMTH6004SPS-13DICT-ND
  别名：DMTH6004SPS-13DICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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