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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 19A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 19A（Ta） 93W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP2670
  仓库库存编号：FDP2670-ND
  
  规格：工作温度 -65°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Ta） 125W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP5645
  仓库库存编号：FDP5645-ND
  
  规格：工作温度 -65°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 22A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 22A（Ta） 93W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB2570
  仓库库存编号：FDB2570-ND
  
  规格：工作温度 -65°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 19A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 19A（Ta） 93W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB2670
  仓库库存编号：FDB2670-ND
  
  规格：工作温度 -65°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 16A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 16A（Ta） 37.5W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB4020P
  仓库库存编号：FDB4020P-ND
  
  规格：工作温度 -65°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Ta） 125W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB5645
  仓库库存编号：FDB5645-ND
  
  规格：工作温度 -65°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 28A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 28A（Ta） 37W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB6021P
  仓库库存编号：FDB6021P-ND
  
  规格：工作温度 -65°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 40A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 40A（Tc） 60W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB6030BL
  仓库库存编号：FDB6030BL-ND
  
  规格：工作温度 -65°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 80A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Ta） 68W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB7030L_L86Z
  仓库库存编号：FDB7030L_L86Z-ND
  
  规格：工作温度 -65°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 32A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 32A（Tc） 58W（Tc） TO-220
  
  型号：FDP5690
  仓库库存编号：FDP5690-ND
  
  规格：工作温度 -65°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  TVS DIODE 30.8VWM 49.9VC SMB
  
  型号：SM6HT36A
  仓库库存编号：SM6HT36A-ND
  
  规格：工作温度 -65°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  TVS DIODE 33.3VWM 53.9VC SMB
  
  型号：SM6HT39A
  仓库库存编号：SM6HT39A-ND
  
  规格：工作温度 -65°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 440V 20A 125W TO220
  详细描述：IGBT 440V 20A 125W Through Hole TO-220AB
  
  型号：STGP10NB37LZ
  仓库库存编号：497-6732-5-ND
  别名：497-6732-5
  STGP10NB37LZ-ND
  
  规格：工作温度 -65°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 12A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 12A（Tc） 48W（Tc） TO-220-3
  
  型号：MTP3055V
  仓库库存编号：MTP3055VFS-ND
  别名：MTP3055VFS
  
  规格：工作温度 -65°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 30A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 30V 30A（Tc） 75W（Tc） TO-220
  
  型号：NDP6030PL
  仓库库存编号：NDP6030PL-ND
  
  规格：工作温度 -65°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 50V 70A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50V 70A（Tc） 130W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：NDB7051
  仓库库存编号：NDB7051-ND
  
  规格：工作温度 -65°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 64A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 64A（Tc） 130W（Tc） TO-220
  
  型号：NDP7061
  仓库库存编号：NDP7061-ND
  
  规格：工作温度 -65°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TVS DIODE 20VWM AXIAL
  
  型号：MR2535LRLG
  仓库库存编号：MR2535LRLGOSCT-ND
  别名：MR2535LRLGOSCT
  
  规格：工作温度 -65°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 32A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 32A（Tc） 58W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB5690
  仓库库存编号：FDB5690CT-ND
  别名：FDB5690CT
  
  规格：工作温度 -65°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TVS DIODE 8.55VWM 14.5VC AXIAL
  
  型号：1.5KE10AG
  仓库库存编号：1.5KE10AG-ND
  
  规格：工作温度 -65°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TVS DIODE 8.55VWM 14.5VC AXIAL
  
  型号：1.5KE10ARL4
  仓库库存编号：1.5KE10ARL4-ND
  
  规格：工作温度 -65°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TVS DIODE 9.4VWM 15.6VC AXIAL
  
  型号：1.5KE11AG
  仓库库存编号：1.5KE11AG-ND
  
  规格：工作温度 -65°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TVS DIODE 9.4VWM 15.6VC AXIAL
  
  型号：1.5KE11ARL4
  仓库库存编号：1.5KE11ARL4-ND
  
  规格：工作温度 -65°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TVS DIODE 10.2VWM 16.7VC AXIAL
  
  型号：1.5KE12ARL4
  仓库库存编号：1.5KE12ARL4-ND
  
  规格：工作温度 -65°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TVS DIODE 11.1VWM 18.2VC AXIAL
  
  型号：1.5KE13ARL4
  仓库库存编号：1.5KE13ARL4-ND
  
  规格：工作温度 -65°C ~ 175°C（TJ）,
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