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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK? SC-70-6 Dual
型号:
SIA921EDJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA921EDJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA921EDJ-T1-GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 33A(Tc) 3.3W(Ta),14.7W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIRA18DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIRA18DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIRA18DP-T1-GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.77A(Ta) 750mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2314EDS-T1-E3
仓库库存编号:
SI2314EDS-T1-E3CT-ND
别名:SI2314EDS-T1-E3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 2.4W(Ta),5W(Tc) 8-SO
型号:
SI4178DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4178DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4178DY-T1-GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
TVS DIODE 5VWM 9.2VC SMB
型号:
SMBJ5.0AHE3/52
仓库库存编号:
SMBJ5.0AHE3/52GICT-ND
别名:SMBJ5.0AHE3/52GICT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.5A(Tc) 2W(Ta),3.1W(Tc) SOT-223
型号:
IRFL110TRPBF
仓库库存编号:
IRFL110PBFCT-ND
别名:*IRFL110TRPBF
IRFL110PBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.7A(Tc) 2W(Ta),3.1W(Tc) SOT-223
型号:
IRFL014TRPBF
仓库库存编号:
IRFL014PBFCT-ND
别名:*IRFL014TRPBF
IRFL014PBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.6A(Tc) 2.5W(Ta),2.78W(Tc) SC-70-6(SOT-363)
型号:
SI1499DH-T1-E3
仓库库存编号:
SI1499DH-T1-E3CT-ND
别名:SI1499DH-T1-E3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 3.57W(Ta),26.5W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SISA14DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SISA14DN-T1-GE3CT-ND
别名:SISA14DN-T1-GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 25A SC-70-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Tc) 3.5W(Ta),19.2W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA466EDJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA466EDJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA466EDJ-T1-GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 8A(Tc) 2.08W(Ta),2.97W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3493BDV-T1-E3
仓库库存编号:
SI3493BDV-T1-E3CT-ND
别名:SI3493BDV-T1-E3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.5A(Ta) 1.3W(Ta) 8-SO
型号:
SI4800BDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4800BDY-T1-E3CT-ND
别名:SI4800BDY-T1-E3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 30V 6A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 6A, 4.3A 2.78W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4532CDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4532CDY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4532CDY-T1-GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.1A 830mW Surface Mount 8-TSSOP
型号:
SI6954ADQ-T1-GE3
仓库库存编号:
SI6954ADQ-T1-GE3CT-ND
别名:SI6954ADQ-T1-GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 12A SC-70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Tc) 3.5W(Ta),19W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA433EDJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA433EDJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA433EDJ-T1-GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 11.3A SC70-6L
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.3A(Tc) 3.5W(Ta),19W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA416DJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA416DJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA416DJ-T1-GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.3A(Ta) 1.1W(Ta) 8-SO
型号:
SI4447DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4447DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4447DY-T1-E3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 8A(Tc) 2W(Ta),4.2W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3477DV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3477DV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3477DV-T1-GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 11.4A(Tc) 2.5W(Ta),5W(Tc) 8-SO
型号:
SI4435DDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4435DDY-T1-E3CT-ND
别名:SI4435DDY-T1-E3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
IC LOAD SW N/P-CH MOSFET SC89-6
型号:
SI1040X-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1040X-T1-GE3CT-ND
别名:SI1040X-T1-GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.3A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR110TRPBF
仓库库存编号:
IRLR110TRPBFCT-ND
别名:*IRLR110TRPBF
IRLR110PBFCT
IRLR110PBFCT-ND
IRLR110TRPBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.8A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR220TRPBF
仓库库存编号:
IRFR220PBFCT-ND
别名:*IRFR220TRPBF
IRFR220PBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 190V 1.5A SC75-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.5A(Tc) 2.4W(Ta),13W(Tc) PowerPAK? SC-75-6L 单
型号:
SIB452DK-T1-GE3
仓库库存编号:
SIB452DK-T1-GE3CT-ND
别名:SIB452DK-T1-GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 13.4A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 13.4A(Tc) 5W(Tc) 8-SO
型号:
SI4403CDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4403CDY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4403CDY-T1-GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Tc) 2.5W(Ta),5W(Tc) 8-SO
型号:
SI4174DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4174DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4174DY-T1-GE3CT
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