品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 49A(Tc) 540W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT47F60J
仓库库存编号:
APT47F60J-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 130A 431W SOT227
详细描述:IGBT Module PT Single 600V 130A 431W Chassis Mount ISOTOP?
型号:
APT65GP60J
仓库库存编号:
APT65GP60J-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 18A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 18A(Tc) 520W(Tc) ISOTOP?
型号:
APL1001J
仓库库存编号:
APL1001J-ND
别名:APL1001JMI
APL1001JMI-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 5VWM 13VC SOT143
型号:
USB50405CE3/TR7
仓库库存编号:
USB50405CE3/TR7CT-ND
别名:USB50405CE3/TR7CT
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 64A 250W TO247
详细描述:IGBT NPT 600V 64A 250W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT30GT60BRDQ2G
仓库库存编号:
APT30GT60BRDQ2G-ND
别名:APT30GT60BRDQ2GMI
APT30GT60BRDQ2GMI-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 69A 417W TO247
详细描述:IGBT PT 1200V 69A 417W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT25GP120BDQ1G
仓库库存编号:
APT25GP120BDQ1G-ND
别名:APT25GP120BDQ1GMI
APT25GP120BDQ1GMI-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 29A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 29A(Tc) 1135W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT28M120B2
仓库库存编号:
APT28M120B2-ND
别名:APT28M120B2MI
APT28M120B2MI-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 41A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 42A(Tc) 960W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT41F100J
仓库库存编号:
APT41F100J-ND
别名:APT41F100JMI
APT41F100JMI-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 5VWM 11VC 8SO
型号:
SMDA05C/TR7
仓库库存编号:
SMDA05C/TR7TR-ND
别名:SMDA05C/TR7TR
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 5VWM 11VC 8SO
型号:
SMDA05C/TR7
仓库库存编号:
SMDA05C/TR7CT-ND
别名:SMDA05C-ND
SMDA05CMS
SMDA05CMS-ND
SMDA05CMSE3
SMDA05CMSE3-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 12VWM 24VC 8SO
型号:
SM8LC12/TR7
仓库库存编号:
SM8LC12/TR7CT-ND
别名:SM8LC12/TR7CT
SM8LC12E3MSCT
SM8LC12E3MSCT-ND
SM8LC12MS
SM8LC12MS-ND
SM8LC12MSCT
SM8LC12MSCT-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 15VWM 30VC 8SO
型号:
SM8LC15/TR7
仓库库存编号:
SM8LC15/TR7CT-ND
别名:SM8LC15/TR7CT
SM8LC15E3MSCT
SM8LC15E3MSCT-ND
SM8LC15MS
SM8LC15MS-ND
SM8LC15MSCT
SM8LC15MSCT-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 7A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 335W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT7F120B
仓库库存编号:
APT7F120B-ND
别名:APT7F120BMI
APT7F120BMI-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 110A 446W TO247
详细描述:IGBT NPT 600V 110A 446W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT50GT60BRDQ2G
仓库库存编号:
APT50GT60BRDQ2G-ND
别名:APT50GT60BRDQ2GMI
APT50GT60BRDQ2GMI-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 88A 500W TO247
详细描述:IGBT NPT 1200V 88A 500W Through Hole TO-247-3
型号:
APT40GR120B
仓库库存编号:
APT40GR120B-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 75A 521W D3PAK
详细描述:IGBT NPT 1200V 75A 521W Surface Mount D3Pak
型号:
APT25GR120SD15
仓库库存编号:
APT25GR120SD15-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 88A 500W D3PAK
详细描述:IGBT NPT 1200V 88A 500W Surface Mount D3Pak
型号:
APT40GR120S
仓库库存编号:
APT40GR120S-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 22A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 23A(Tc) 625W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT22F80B
仓库库存编号:
APT22F80B-ND
别名:APT22F80BMI
APT22F80BMI-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 143A 625W TO247
详细描述:IGBT PT 600V 143A 625W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT80GA60B
仓库库存编号:
APT80GA60B-ND
别名:APT80GA60BMI
APT80GA60BMI-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 170A 962W TO264
详细描述:IGBT NPT 1200V 170A 962W Through Hole TO-264
型号:
APT85GR120L
仓库库存编号:
APT85GR120L-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 170A 962W TO247
详细描述:IGBT NPT 1200V 170A 962W Through Hole T-MAX?
型号:
APT85GR120B2
仓库库存编号:
APT85GR120B2-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 64A 357W TMAX
详细描述:IGBT NPT 1200V 64A 357W Through Hole
型号:
APT33GF120B2RDQ2G
仓库库存编号:
APT33GF120B2RDQ2G-ND
别名:APT33GF120B2RDQ2GMI
APT33GF120B2RDQ2GMI-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 40VWM 64.5VC PLAD
型号:
MPLAD15KP40AE3
仓库库存编号:
1086-7261-ND
别名:1086-7261
1086-7261-MIL
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 112A 356W SOT-227
详细描述:IGBT Module PT Single 600V 112A 356W Chassis Mount ISOTOP?
型号:
APT60GA60JD60
仓库库存编号:
APT60GA60JD60-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 44A SOT227
详细描述:底座安装 N 沟道 44A(Tc) 450W(Tc) SOT-227
型号:
APT5010JVRU2
仓库库存编号:
APT5010JVRU2-ND
别名:APT5010JVRU2MI
APT5010JVRU2MI-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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