品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(5184)
电路保护
(4505)
分立半导体产品
(679)
筛选品牌
Microsemi Corporation (5184)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 49A(Tc) 540W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT47M60J
仓库库存编号:
APT47M60J-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 142A SOT227
详细描述:底座安装 N 沟道 142A(Tc) 450W(Tc) SOT-227
型号:
APT10M11JVRU3
仓库库存编号:
APT10M11JVRU3-ND
别名:APT10M11JVRU3MI
APT10M11JVRU3MI-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOD DIODE 1700V SOT-227
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 1700V 50A Chassis Mount SOT-227
型号:
APT50DF170HJ
仓库库存编号:
APT50DF170HJ-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 19A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 19A(Tc) 545W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT19M120J
仓库库存编号:
APT19M120J-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
IGBT 1200V 140A 480W SOT227
详细描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 140A 480W Chassis Mount SOT-227
型号:
APT100GT120JU3
仓库库存编号:
APT100GT120JU3-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 45VWM 72.7VC PLAD
型号:
MPLAD15KP45CA
仓库库存编号:
1086-7270-ND
别名:1086-7270
1086-7270-MIL
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 22VWM 35.5VC PLAD
型号:
MPLAD15KP22CA
仓库库存编号:
1086-7234-ND
别名:1086-7234
1086-7234-MIL
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 58VWM 93.6VC PLAD
型号:
MPLAD15KP58CAE3
仓库库存编号:
1086-7287-ND
别名:1086-7287
1086-7287-MIL
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 51VWM 82.4VC PLAD
型号:
MPLAD15KP51CAE3
仓库库存编号:
1086-7279-ND
别名:1086-7279
1086-7279-MIL
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Microsemi Corporation
IGBT 1200V 64A 284W SOT227
详细描述:IGBT Module PT Single 1200V 64A 284W Chassis Mount ISOTOP?
型号:
APT35GP120J
仓库库存编号:
APT35GP120J-ND
别名:APT35GP120JMI
APT35GP120JMI-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
IGBT 600V 151A 462W SOT227
详细描述:IGBT Module PT Single 600V 151A 462W Chassis Mount ISOTOP?
型号:
APT80GP60J
仓库库存编号:
APT80GP60J-ND
别名:APT80GP60JMI
APT80GP60JMI-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
IGBT 1200V 97A 480W SOT227
详细描述:IGBT Module NPT Single 1200V 97A 480W Chassis Mount ISOTOP?
型号:
APT75GT120JRDQ3
仓库库存编号:
APT75GT120JRDQ3-ND
别名:APT75GT120JRDQ3G
APT75GT120JRDQ3G-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 51A(Tc) 290W(Tc) SOT-227
型号:
APT50M75JLLU3
仓库库存编号:
APT50M75JLLU3-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
IGBT 1200V 170A 830W SOT227
详细描述:IGBT Module NPT Single 1200V 170A 830W Chassis Mount ISOTOP?
型号:
APT150GT120JR
仓库库存编号:
APT150GT120JR-ND
别名:APT150GT120JRMI
APT150GT120JRMI-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 48VWM 77.4VC PLAD
型号:
MPLAD30KP48CA
仓库库存编号:
1086-7462-ND
别名:1086-7462
1086-7462-MIL
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 45VWM 72.7VC PLAD
型号:
MPLAD30KP45CAE3
仓库库存编号:
1086-7459-ND
别名:1086-7459
1086-7459-MIL
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 260VWM 419VC PLAD
型号:
MPLAD30KP260CAE3
仓库库存编号:
1086-7411-ND
别名:1086-7411
1086-7411-MIL
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 103A SOT227
详细描述:底座安装 N 沟道 103A(Tc) 960W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT100F50J
仓库库存编号:
APT100F50J-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 156W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT11N80BC3G
仓库库存编号:
APT11N80BC3G-ND
别名:APT11N80BC3GMI
APT11N80BC3GMI-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
IGBT 1200V 75A 521W TO247
详细描述:IGBT NPT 1200V 75A 521W Through Hole TO-247
型号:
APT25GR120BD15
仓库库存编号:
APT25GR120BD15-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
IGBT 1200V 160A 961W TO264
详细描述:IGBT NPT 1200V 160A 961W Through Hole TO-264
型号:
APT70GR120L
仓库库存编号:
APT70GR120L-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 47A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 47A(Tc) 417W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT47N60BC3G
仓库库存编号:
APT47N60BC3G-ND
别名:APT47N60BC3GMI
APT47N60BC3GMI-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 67A(Tc) 370W(Tc) D3 [S]
型号:
APT20M38SVRG
仓库库存编号:
APT20M38SVRG-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
IGBT 600V 183A 780W TO264
详细描述:IGBT PT 600V 183A 780W Through Hole TO-264 [L]
型号:
APT102GA60L
仓库库存编号:
APT102GA60L-ND
别名:APT102GA60LMI
APT102GA60LMI-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 41A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 41A(Tc) 1040W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT38F80L
仓库库存编号:
APT38F80L-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号