品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 67A 272W D3PAK
详细描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 67A 272W Surface Mount D3Pak
型号:
APT25GN120SG
仓库库存编号:
APT25GN120SG-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 54A 347W TO247
详细描述:IGBT NPT 1200V 54A 347W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT25GT120BRDQ2G
仓库库存编号:
APT25GT120BRDQ2G-ND
别名:APT25GT120BRDQ2GMI
APT25GT120BRDQ2GMI-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 94A 379W TO247
详细描述:IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 94A 379W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT35GN120BG
仓库库存编号:
APT35GN120BG-ND
别名:APT35GN120BGMI
APT35GN120BGMI-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 3.5A(Tc) 135W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT1204R7BFLLG
仓库库存编号:
APT1204R7BFLLG-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 42A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 42A(Tc) 625W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT42F50B
仓库库存编号:
APT42F50B-ND
别名:APT42F50BMP
APT42F50BMP-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 56A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 56A(Tc) 780W(Tc) TO-264
型号:
APT56M50L
仓库库存编号:
APT56M50L-ND
别名:APT56M50LMI
APT56M50LMI-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 94A 379W TO264
详细描述:IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 94A 379W Through Hole
型号:
APT35GN120L2DQ2G
仓库库存编号:
APT35GN120L2DQ2G-ND
别名:APT35GN120L2DQ2GMI
APT35GN120L2DQ2GMI-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 47A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 47A(Tc) 417W(Tc) D3 [S]
型号:
APT47N60SC3G
仓库库存编号:
APT47N60SC3G-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 134A 543W TO264
详细描述:IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 134A 543W Through Hole
型号:
APT50GN120L2DQ2G
仓库库存编号:
APT50GN120L2DQ2G-ND
别名:APT50GN120L2DQ2GMI
APT50GN120L2DQ2GMI-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 46A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 46A(Tc) 520W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT5010LFLLG
仓库库存编号:
APT5010LFLLG-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 1040W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT29F100B2
仓库库存编号:
APT29F100B2-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 100A 625W TO247
详细描述:IGBT PT 1200V 100A 625W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT45GP120BG
仓库库存编号:
APT45GP120BG-ND
别名:APT45GP120BGMI
APT45GP120BGMI-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 24A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 1040W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT24M120L
仓库库存编号:
APT24M120L-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 900V 36A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 36A(Tc) 390W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT36N90BC3G
仓库库存编号:
APT36N90BC3G-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 148A 500W SOT227
详细描述:IGBT Module NPT Single 600V 148A 500W Chassis Mount ISOTOP?
型号:
APT100GT60JR
仓库库存编号:
APT100GT60JR-ND
别名:APT100GT60JRMI
APT100GT60JRMI-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 94A TO264
详细描述:通孔 N 沟道 94A(Tc) 833W(Tc) 264 MAX? [L2]
型号:
APT94N60L2C3G
仓库库存编号:
APT94N60L2C3G-ND
别名:APT94N60L2C3GMI
APT94N60L2C3GMI-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 245A 960W TMAX
详细描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 245A 960W Through Hole
型号:
APT100GN120B2G
仓库库存编号:
APT100GN120B2G-ND
别名:APT100GN120B2GMI
APT100GN120B2GMI-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 42A(Tc) 480W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT39F60J
仓库库存编号:
APT39F60J-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 124A 379W SOT227
详细描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 124A 379W Chassis Mount ISOTOP?
型号:
APT75GN120JDQ3
仓库库存编号:
APT75GN120JDQ3-ND
别名:APT75GN120JDQ3MI
APT75GN120JDQ3MI-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 112A 543W SOT227
详细描述:IGBT Module NPT Single 1200V 112A 543W Chassis Mount SOT-227
型号:
APT70GR120JD60
仓库库存编号:
APT70GR120JD60-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 33A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 33A(Tc) 520W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT8020JLL
仓库库存编号:
APT8020JLL-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 215A 625W SOT227
详细描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 215A 625W Chassis Mount ISOTOP?
型号:
APT150GN120J
仓库库存编号:
APT150GN120J-ND
别名:APT150GN120JMI
APT150GN120JMI-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Microsemi Corporation
IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP
详细描述:IGBT Module NPT Single 1200V 116A 543W Chassis Mount SOT-227
型号:
APT85GR120JD60
仓库库存编号:
APT85GR120JD60-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 300VWM 483VC PLAD
型号:
MPLAD30KP300A
仓库库存编号:
1086-7424-ND
别名:1086-7424
1086-7424-MIL
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 58A(Tc) 520W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT50M65JLL
仓库库存编号:
APT50M65JLL-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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