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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 800A 2604W INT-A-PAK
详细描述：IGBT Module Half Bridge 1200V 800A 2604W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号：
VS-GB400TH120N
仓库库存编号：
VS-GB400TH120N-ND
别名：VSGB400TH120N
规格：配置 半桥,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 660A 2660W INT-A-PAK
详细描述：IGBT Module NPT Half Bridge 1200V 660A 2660W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号：
VS-GB400TH120U
仓库库存编号：
VS-GB400TH120U-ND
别名：VSGB400TH120U
规格：配置 半桥,
无铅
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Microsemi Corporation
POWER MOD INTELLIGENT PH LEG LP8
详细描述：Power Driver Module IGBT Half Bridge 1200V 420A 6-PowerSIP Module
型号：
APTLGL325A1208G
仓库库存编号：
APTLGL325A1208G-ND
别名：CC5021
CC5021A
规格：配置 半桥,
无铅
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Microsemi Corporation
MOD IGBT 1200V 440A LP8
详细描述：Power Driver Module IGBT Half Bridge 1200V 440A 6-PowerSIP Module
型号：
APTLGT300A1208G
仓库库存编号：
APTLGT300A1208G-ND
规格：配置 半桥,
无铅
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Global Power Technologies Group
SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES
详细描述：Power Driver Module IGBT Half Bridge 1200V 400A Power Module
型号：
GHIS200A120S3B1
仓库库存编号：
GHIS200A120S3B1-ND
规格：配置 半桥,
无铅
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Littelfuse Inc.
IGBT MOD 1700V 450A PKG WB CRT:B
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1700V 600A 2250W Chassis Mount WB
型号：
MG17450WB-BN4MM
仓库库存编号：
MG17450WB-BN4MM-ND
规格：配置 半桥,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK
详细描述：IGBT Module Half Bridge 1200V 200A 833W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号：
VS-GB100TH120N
仓库库存编号：
VS-GB100TH120N-ND
别名：VSGB100TH120N
规格：配置 半桥,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 200A 1136W INT-A-PAK
详细描述：IGBT Module NPT Half Bridge 1200V 200A 1136W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号：
VS-GB100TH120U
仓库库存编号：
VS-GB100TH120U-ND
别名：VSGB100TH120U
规格：配置 半桥,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 600V 260A 1042W INT-A-PAK
详细描述：IGBT Module Half Bridge 600V 260A 1042W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号：
VS-GA200TH60S
仓库库存编号：
VS-GA200TH60S-ND
别名：VSGA200TH60S
规格：配置 半桥,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 300A 1008W INT-A-PAK
详细描述：IGBT Module Half Bridge 1200V 300A 1008W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号：
VS-GB150TH120N
仓库库存编号：
VS-GB150TH120N-ND
别名：VSGB150TH120N
规格：配置 半桥,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 360A 1136W INT-A-PAK
详细描述：IGBT Module Half Bridge 1200V 360A 1136W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号：
VS-GB200TH120N
仓库库存编号：
VS-GB200TH120N-ND
别名：VSGB200TH120N
规格：配置 半桥,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 330A 1316W INT-A-PAK
详细描述：IGBT Module Half Bridge 1200V 330A 1316W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号：
VS-GB200TH120U
仓库库存编号：
VS-GB200TH120U-ND
别名：VSGB200TH120U
规格：配置 半桥,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 600V 530A 1600W DIAP
详细描述：IGBT Module Trench Half Bridge 600V 530A 1600W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号：
VS-GT400TH60N
仓库库存编号：
VS-GT400TH60N-ND
别名：VSGT400TH60N
规格：配置 半桥,
无铅
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Global Power Technologies Group
SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL
详细描述：Power Driver Module MOSFET Half Bridge 1200V 240A Power Module
型号：
GCMS010A120S7B1
仓库库存编号：
GCMS010A120S7B1-ND
规格：配置 半桥,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 500A 1645W INT-A-PAK
详细描述：IGBT Module Half Bridge 1200V 500A 1645W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号：
VS-GB300TH120N
仓库库存编号：
VS-GB300TH120N-ND
别名：VSGB300TH120N
规格：配置 半桥,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 530A 2119W INT-A-PAK
详细描述：IGBT Module Half Bridge 1200V 530A 2119W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号：
VS-GB300TH120U
仓库库存编号：
VS-GB300TH120U-ND
别名：VSGB300TH120U
规格：配置 半桥,
无铅
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Global Power Technologies Group
SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL
详细描述：Power Driver Module MOSFET Half Bridge 1200V 300A Power Module
型号：
GCMS008A120B1B1
仓库库存编号：
GCMS008A120B1B1-ND
规格：配置 半桥,
无铅
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Global Power Technologies Group
SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL
详细描述：Power Driver Module MOSFET Half Bridge 1200V 360A Power Module
型号：
GCMS007A120S7B1
仓库库存编号：
GCMS007A120S7B1-ND
规格：配置 半桥,
无铅
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Global Power Technologies Group
SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL
详细描述：Power Driver Module MOSFET Half Bridge 1200V 480A Power Module
型号：
GCMS004A120S7B1
仓库库存编号：
GCMS004A120S7B1-ND
规格：配置 半桥,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT FAST 250V 400A INT-A-PAK
详细描述：IGBT Module Half Bridge 250V 400A 1350W Chassis Mount Dual INT-A-PAK
型号：
GA400TD25S
仓库库存编号：
GA400TD25S-ND
别名：*GA400TD25S
VS-GA400TD25S
VS-GA400TD25S-ND
VSGA400TD25S
VSGA400TD25S-ND
规格：配置 半桥,
含铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT WARP 600V 114A MTP
详细描述：IGBT Module PT Half Bridge 600V 114A 658W Chassis Mount 12-MTP
型号：
50MT060WH
仓库库存编号：
50MT060WH-ND
别名：*50MT060WH
VS-50MT060WH
VS-50MT060WH-ND
VS50MT060WH
VS50MT060WH-ND
规格：配置 半桥,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT POWER MOD 600V 300A 7PM-HA
详细描述：IGBT Module Half Bridge 600V 300A 892W Chassis Mount 7PM-HA
型号：
FMG2G300LS60E
仓库库存编号：
FMG2G300LS60E-ND
别名：FMG2G300LS60E_NL
FMG2G300LS60E_NL-ND
规格：配置 半桥,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT POWER MOD 600V 300A 7PM-IA
详细描述：IGBT Module Half Bridge 600V 400A 1136W Chassis Mount 7PM-IA
型号：
FMG2G400LS60
仓库库存编号：
FMG2G400LS60-ND
别名：FMG2G400LS60_NL
FMG2G400LS60_NL-ND
规格：配置 半桥,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT POWER MOD 1200V 50A 7PM-GA
详细描述：IGBT Module Half Bridge 1200V 50A 320W Chassis Mount 7PM-GA
型号：
FMG2G50US120
仓库库存编号：
FMG2G50US120-ND
别名：FMG2G50US120_NL
FMG2G50US120_NL-ND
规格：配置 半桥,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT POWER MOD 1200V 75A 7PM-GA
详细描述：IGBT Module Half Bridge 1200V 75A 445W Chassis Mount 7PM-GA
型号：
FMG2G75US120
仓库库存编号：
FMG2G75US120-ND
别名：FMG2G75US120_NL
FMG2G75US120_NL-ND
规格：配置 半桥,
无铅
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