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Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, ZENER, 5.6V, 200MW, 2%, S
详细描述:Zener Diode 200mW ±2% Surface Mount SOD-323F
型号:
UDZS5V6B RRG
仓库库存编号:
UDZS5V6B RRG-ND
规格:容差 ±2%,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, ZENER, 6.2V, 200MW, 2%, S
详细描述:Zener Diode 200mW ±2% Surface Mount SOD-323F
型号:
UDZS6V2B RRG
仓库库存编号:
UDZS6V2B RRG-ND
规格:容差 ±2%,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, ZENER, 6.8V, 200MW, 2%, S
详细描述:Zener Diode 200mW ±2% Surface Mount SOD-323F
型号:
UDZS6V8B RRG
仓库库存编号:
UDZS6V8B RRG-ND
规格:容差 ±2%,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, ZENER, 7.5V, 200MW, 2%, S
详细描述:Zener Diode 200mW ±2% Surface Mount SOD-323F
型号:
UDZS7V5B RRG
仓库库存编号:
UDZS7V5B RRG-ND
规格:容差 ±2%,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, ZENER, 8.2V, 200MW, 2%, S
详细描述:Zener Diode 200mW ±2% Surface Mount SOD-323F
型号:
UDZS8V2B RRG
仓库库存编号:
UDZS8V2B RRG-ND
规格:容差 ±2%,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, ZENER, 9.1V, 200MW, 2%, S
详细描述:Zener Diode 200mW ±2% Surface Mount SOD-323F
型号:
UDZS9V1B RRG
仓库库存编号:
UDZS9V1B RRG-ND
规格:容差 ±2%,
无铅
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Yageo
CAP CER 1000PF 50V NPO 0805
详细描述:1000pF ±2% 50V 陶瓷电容器 C0G,NP0 0805(2012 公制)
型号:
CC0805GRNPO9BN102
仓库库存编号:
CC0805GRNPO9BN102-ND
别名:0805CG102G9B200
223886114102
规格:容差 ±2%,
无铅
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Murata Electronics North America
CAP CER 1500PF 50V NP0 0603
详细描述:1500pF ±2% 50V 陶瓷电容器 C0G,NP0 0603(1608 公制)
型号:
GRM1885C1H152GA01J
仓库库存编号:
GRM1885C1H152GA01J-ND
规格:容差 ±2%,
无铅
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Yageo
CAP CER 10PF 100V NPO 0805
详细描述:10pF ±2% 100V 陶瓷电容器 C0G,NP0 0805(2012 公制)
型号:
CC0805GRNPO0BN100
仓库库存编号:
CC0805GRNPO0BN100-ND
别名:0805CG100G0B200
223860011423
规格:容差 ±2%,
无铅
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Yageo
CAP CER 100PF 100V NPO 0805
详细描述:100pF ±2% 100V 陶瓷电容器 C0G,NP0 0805(2012 公制)
型号:
CC0805GRNPO0BN101
仓库库存编号:
CC0805GRNPO0BN101-ND
别名:0805CG101G0B200
223860011436
规格:容差 ±2%,
无铅
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Yageo
CAP CER 18PF 100V NPO 0805
详细描述:18pF ±2% 100V 陶瓷电容器 C0G,NP0 0805(2012 公制)
型号:
CC0805GRNPO0BN180
仓库库存编号:
CC0805GRNPO0BN180-ND
别名:0805CG180G0B200
223860011426
规格:容差 ±2%,
无铅
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Yageo
CAP CER 220PF 100V NPO 0805
详细描述:220pF ±2% 100V 陶瓷电容器 C0G,NP0 0805(2012 公制)
型号:
CC0805GRNPO0BN221
仓库库存编号:
CC0805GRNPO0BN221-ND
别名:0805CG221G0B200
223860011441
规格:容差 ±2%,
无铅
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Yageo
CAP CER 330PF 100V NPO 0805
详细描述:330pF ±2% 100V 陶瓷电容器 C0G,NP0 0805(2012 公制)
型号:
CC0805GRNPO0BN331
仓库库存编号:
CC0805GRNPO0BN331-ND
别名:0805CG331G0B200
223860011443
规格:容差 ±2%,
无铅
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Yageo
CAP CER 470PF 100V NPO 0805
详细描述:470pF ±2% 100V 陶瓷电容器 C0G,NP0 0805(2012 公制)
型号:
CC0805GRNPO0BN471
仓库库存编号:
CC0805GRNPO0BN471-ND
别名:0805CG471G0B200
223860011445
规格:容差 ±2%,
无铅
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Yageo
CAP CER 560PF 100V NPO 0805
详细描述:560pF ±2% 100V 陶瓷电容器 C0G,NP0 0805(2012 公制)
型号:
CC0805GRNPO0BN561
仓库库存编号:
CC0805GRNPO0BN561-ND
别名:0805CG561G0B200
223860011446
规格:容差 ±2%,
无铅
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KEMET
CAP CER 12PF 50V NP0 0402
详细描述:12pF ±2% 50V 陶瓷电容器 C0G,NP0 0402(1005 公制)
型号:
CBR04C120G5GAC
仓库库存编号:
CBR04C120G5GAC-ND
规格:容差 ±2%,
无铅
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Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
CAP CER 680PF 50V C0G/NP0 0805
详细描述:680pF ±2% 50V 陶瓷电容器 C0G,NP0 0805(2012 公制)
型号:
CL21C681GBCNNNC
仓库库存编号:
1276-2683-1-ND
别名:1276-2683-1
规格:容差 ±2%,
无铅
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Murata Electronics North America
CAP CER 150PF 100V NP0 0603
详细描述:150pF ±2% 100V 陶瓷电容器 C0G,NP0 0603(1608 公制)
型号:
GRM1885C2A151GA01D
仓库库存编号:
GRM1885C2A151GA01D-ND
规格:容差 ±2%,
无铅
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Yageo
CAP CER 18PF 200V NPO 0805
详细描述:18pF ±2% 200V 陶瓷电容器 C0G,NP0 0805(2012 公制)
型号:
CC0805GRNPOABN180
仓库库存编号:
CC0805GRNPOABN180-ND
别名:0805CG180GBB200
223893011426
规格:容差 ±2%,
无铅
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Yageo
CAP CER 33PF 200V NPO 0805
详细描述:33pF ±2% 200V 陶瓷电容器 C0G,NP0 0805(2012 公制)
型号:
CC0805GRNPOABN330
仓库库存编号:
CC0805GRNPOABN330-ND
别名:0805CG330GBB200
223893011429
规格:容差 ±2%,
无铅
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Yageo
CAP CER 68PF 250V NPO 0805
详细描述:68pF ±2% 250V 陶瓷电容器 C0G,NP0 0805(2012 公制)
型号:
CC0805GRNPOYBN680
仓库库存编号:
CC0805GRNPOYBN680-ND
别名:0805CG680GCB200
223883011434
规格:容差 ±2%,
无铅
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Murata Electronics North America
CAP CER 1200PF 50V NP0 0603
详细描述:1200pF ±2% 50V 陶瓷电容器 C0G,NP0 0603(1608 公制)
型号:
GRM1885C1H122GA01J
仓库库存编号:
GRM1885C1H122GA01J-ND
规格:容差 ±2%,
无铅
搜索
Murata Electronics North America
CAP CER 680PF 50V NP0 0603
详细描述:680pF ±2% 50V 陶瓷电容器 C0G,NP0 0603(1608 公制)
型号:
GRM1885C1H681GA01J
仓库库存编号:
GRM1885C1H681GA01J-ND
规格:容差 ±2%,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE ZENER 2.8V 500MW DO35
详细描述:Zener Diode 500mW ±2% Through Hole DO-35
型号:
1N5224C-TAP
仓库库存编号:
1N5224C-TAP-ND
规格:容差 ±2%,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE ZENER 3V 500MW DO35
详细描述:Zener Diode 500mW ±2% Through Hole DO-35
型号:
1N5225C-TAP
仓库库存编号:
1N5225C-TAP-ND
规格:容差 ±2%,
无铅
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