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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 8KBIT 55NS 52PLCC
详细描述：SRAM - 双端口，异步 存储器 IC 8Kb （1K x 8） 并联 55ns 52-PLCC（19.13x19.13）
型号：
CY7C131E-55JXIT
仓库库存编号：
CY7C131E-55JXIT-ND
规格：写周期时间 - 字，页 55ns,
无铅
搜索
Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 8KBIT 55NS 52QFP
详细描述：SRAM - 双端口，异步 存储器 IC 8Kb （1K x 8） 并联 55ns 52-PQFP（10x10）
型号：
CY7C131E-55NXCT
仓库库存编号：
CY7C131E-55NXCT-ND
规格：写周期时间 - 字，页 55ns,
无铅
搜索
Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 16KBIT 55NS 52QFP
详细描述：SRAM - 双端口，异步 存储器 IC 16Kb （2K x 8） 并联 55ns 52-PQFP（10x10）
型号：
CY7C136E-55NXCT
仓库库存编号：
CY7C136E-55NXCT-ND
规格：写周期时间 - 字，页 55ns,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 16KBIT 55NS 52QFP
详细描述：SRAM - 双端口，异步 存储器 IC 16Kb （2K x 8） 并联 55ns 52-PQFP（10x10）
型号：
CY7C136AE-55NXIT
仓库库存编号：
CY7C136AE-55NXIT-ND
规格：写周期时间 - 字，页 55ns,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 64KBIT 55NS 81CABGA
详细描述：SRAM - 双端口，异步 存储器 IC 64Kb （4K x 16） 并联 55ns 81-CABGA（5x5）
型号：
70P244L55BYGI
仓库库存编号：
70P244L55BYGI-ND
别名：IDT70P244L55BYGI
IDT70P244L55BYGI-ND
规格：写周期时间 - 字，页 55ns,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 64KBIT 55NS 81CABGA
详细描述：SRAM - 双端口，异步 存储器 IC 64Kb （4K x 16） 并联 55ns 81-CABGA（5x5）
型号：
70P244L55BYGI8
仓库库存编号：
70P244L55BYGI8-ND
别名：IDT70P244L55BYGI8
IDT70P244L55BYGI8-ND
规格：写周期时间 - 字，页 55ns,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 256KBIT 55NS 81CABGA
详细描述：SRAM - 双端口，异步 存储器 IC 256Kb （16K x 16） 并联 55ns 81-CABGA（5x5）
型号：
70P264L55BYGI
仓库库存编号：
70P264L55BYGI-ND
别名：IDT70P264L55BYGI
IDT70P264L55BYGI-ND
规格：写周期时间 - 字，页 55ns,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 256KBIT 55NS 81CABGA
详细描述：SRAM - 双端口，异步 存储器 IC 256Kb （16K x 16） 并联 55ns 81-CABGA（5x5）
型号：
70P264L55BYGI8
仓库库存编号：
70P264L55BYGI8-ND
别名：IDT70P264L55BYGI8
IDT70P264L55BYGI8-ND
规格：写周期时间 - 字，页 55ns,
无铅
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Alliance Memory, Inc.
IC SRAM 4MBIT 55NS 44TSOP
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb （256K x 16） 并联 55ns 44-TSOP II
型号：
AS6C4016A-55ZINTR
仓库库存编号：
AS6C4016A-55ZINTR-ND
规格：写周期时间 - 字，页 55ns,
无铅
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Alliance Memory, Inc.
IC SRAM 4MBIT 55NS 48TFBGA
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb （256K x 16） 并联 55ns 48-TFBGA（6x8）
型号：
AS6C4016A-55BINTR
仓库库存编号：
AS6C4016A-55BINTR-ND
规格：写周期时间 - 字，页 55ns,
无铅
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Alliance Memory, Inc.
IC SRAM 32MBIT 55NS 48TSOP
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 32Mb （2M x 16） 并联 55ns 48-TSOP I
型号：
AS6C3216-55TINTR
仓库库存编号：
AS6C3216-55TINTR-ND
规格：写周期时间 - 字，页 55ns,
无铅
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Alliance Memory, Inc.
IC SRAM 4MBIT 55NS 44TSOP
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb （256K x 16） 并联 55ns 44-TSOP II
型号：
AS6C4016A-55ZIN
仓库库存编号：
AS6C4016A-55ZIN-ND
规格：写周期时间 - 字，页 55ns,
无铅
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Alliance Memory, Inc.
IC SRAM 4MBIT 55NS 48TFBGA
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb （256K x 16） 并联 55ns 48-TFBGA（6x8）
型号：
AS6C4016A-55BIN
仓库库存编号：
AS6C4016A-55BIN-ND
别名：AS6C4016A-555BIN
AS6C4016A-555BIN-ND
规格：写周期时间 - 字，页 55ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SRAM 1MBIT 55NS 48BGA
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 1Mb （64K x 16） 并联 55ns 48-迷你型BGA（6x8）
型号：
IS62WV6416ALL-55BI
仓库库存编号：
IS62WV6416ALL-55BI-ND
规格：写周期时间 - 字，页 55ns,
含铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SRAM 1MBIT 55NS 48BGA
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 1Mb （64K x 16） 并联 55ns 48-迷你型BGA（6x8）
型号：
IS62WV6416ALL-55BI-TR
仓库库存编号：
IS62WV6416ALL-55BI-TR-ND
规格：写周期时间 - 字，页 55ns,
含铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC PSRAM 16MBIT 55NS 44TSOP
详细描述：PSRAM（伪 SRAM） 存储器 IC 16Mb （1M x 16） 并联 55ns 48-BGA（6x8）
型号：
IS66WV1M16DBLL-55BLI
仓库库存编号：
IS66WV1M16DBLL-55BLI-ND
规格：写周期时间 - 字，页 55ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC PSRAM 16MBIT 55NS 44TSOP
详细描述：PSRAM（伪 SRAM） 存储器 IC 16Mb （1M x 16） 并联 55ns 48-BGA（6x8）
型号：
IS66WV1M16DBLL-55BLI-TR
仓库库存编号：
IS66WV1M16DBLL-55BLI-TR-ND
规格：写周期时间 - 字，页 55ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC PSRAM 8MBIT 55NS 48BGA
详细描述：PSRAM（伪 SRAM） 存储器 IC 8Mb （512K x 16） 并联 55ns 48-BGA（6x8）
型号：
IS66WV51216DBLL-55BLI
仓库库存编号：
IS66WV51216DBLL-55BLI-ND
规格：写周期时间 - 字，页 55ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC PSRAM 8MBIT 55NS 48BGA
详细描述：PSRAM（伪 SRAM） 存储器 IC 8Mb （512K x 16） 并联 55ns 48-BGA（6x8）
型号：
IS66WV51216DBLL-55BLI-TR
仓库库存编号：
IS66WV51216DBLL-55BLI-TR-ND
规格：写周期时间 - 字，页 55ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC PSRAM 8MBIT 55NS 44TSOP
详细描述：PSRAM（伪 SRAM） 存储器 IC 8Mb （512K x 16） 并联 55ns 44-TSOP II
型号：
IS66WV51216DBLL-55TLI
仓库库存编号：
IS66WV51216DBLL-55TLI-ND
规格：写周期时间 - 字，页 55ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC PSRAM 8MBIT 55NS 44TSOP
详细描述：PSRAM（伪 SRAM） 存储器 IC 8Mb （512K x 16） 并联 55ns 44-TSOP II
型号：
IS66WV51216DBLL-55TLI-TR
仓库库存编号：
IS66WV51216DBLL-55TLI-TR-ND
规格：写周期时间 - 字，页 55ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC PSRAM 16MBIT 55NS 48BGA
详细描述：PSRAM（伪 SRAM） 存储器 IC 16Mb （1M x 16） 并联 55ns 48-TFBGA（6x8）
型号：
IS66WVE1M16BLL-55BLI
仓库库存编号：
IS66WVE1M16BLL-55BLI-ND
规格：写周期时间 - 字，页 55ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC PSRAM 16MBIT 55NS 48BGA
详细描述：PSRAM（伪 SRAM） 存储器 IC 16Mb （1M x 16） 并联 55ns 48-TFBGA（6x8）
型号：
IS66WVE1M16BLL-55BLI-TR
仓库库存编号：
IS66WVE1M16BLL-55BLI-TR-ND
规格：写周期时间 - 字，页 55ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC PSRAM 32MBIT 55NS 48BGA
详细描述：PSRAM（伪 SRAM） 存储器 IC 32Mb （2M x 16） 并联 55ns 48-TFBGA（6x8）
型号：
IS66WVE2M16EBLL-55BLI
仓库库存编号：
IS66WVE2M16EBLL-55BLI-ND
规格：写周期时间 - 字，页 55ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC PSRAM 32MBIT 55NS 48BGA
详细描述：PSRAM（伪 SRAM） 存储器 IC 32Mb （2M x 16） 并联 55ns 48-TFBGA（6x8）
型号：
IS66WVE2M16EBLL-55BLI-TR
仓库库存编号：
IS66WVE2M16EBLL-55BLI-TR-ND
规格：写周期时间 - 字，页 55ns,
无铅
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