规格：写周期时间 - 字，页 55ns,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(958)
集成电路（IC）
(958)
筛选品牌
Alliance Memory, Inc.(114)
Cypress Semiconductor Corp(219)
Fairchild/Micross Components(1)
IDT, Integrated Device Technology Inc(297)
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc(129)
Macronix(12)
Micron Technology Inc.(87)
ON Semiconductor(18)
Renesas Electronics America(79)
STMicroelectronics(2)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Renesas Electronics America
IC SRAM 8MBIT 55NS 48FBGA
详细描述：SRAM 存储器 IC 8Mb （512K x 16） 并联 55ns 48-FBGA（7.5x8.5）
型号：
R1LV0816ABG-5SI#B0
仓库库存编号：
R1LV0816ABG-5SI#B0-ND
规格：写周期时间 - 字，页 55ns,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
IC SRAM 8MBIT 55NS 48TSOP
详细描述：SRAM 存储器 IC 8Mb （1M x 8，512K x 16） 并联 55ns 48-TSOP I
型号：
R1LV0816ASA-5SI#B0
仓库库存编号：
R1LV0816ASA-5SI#B0-ND
规格：写周期时间 - 字，页 55ns,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
IC SRAM 8MBIT 55NS 44TSOP
详细描述：SRAM 存储器 IC 8Mb （512K x 16） 并联 55ns 44-TSOP II
型号：
R1LV0816ASB-5SI#B0
仓库库存编号：
R1LV0816ASB-5SI#B0-ND
规格：写周期时间 - 字，页 55ns,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
IC SRAM 256KBIT 55NS 28TSOP
详细描述：SRAM 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 55ns 28-TSOP
型号：
R1LV5256ESA-5SI#B0
仓库库存编号：
R1LV5256ESA-5SI#B0-ND
规格：写周期时间 - 字，页 55ns,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC FLASH 16MBIT 55NS 48TSOP
详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 16Mb （2M x 8，1M x 16） 并联 55ns 48-TSOP
型号：
M29F160FT5AN6F2 TR
仓库库存编号：
M29F160FT5AN6F2 TR-ND
别名：M29F160FT5AN6F2
M29F160FT5AN6F2TR
M29F160FT5AN6F2TR-ND
规格：写周期时间 - 字，页 55ns,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC FLASH 2MBIT 55NS 44SO
详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 2Mb （256K x 8，128K x 16） 并联 55ns 44-SO
型号：
M29F200FT5AM6F2 TR
仓库库存编号：
M29F200FT5AM6F2 CT-ND
别名：M29F200FT5AM6F2 CT
M29F200FT5AM6F2CT
M29F200FT5AM6F2CT-ND
规格：写周期时间 - 字，页 55ns,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC FLASH 2MBIT 55NS 48TSOP
详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 2Mb （256K x 8，128K x 16） 并联 55ns 48-TSOP
型号：
M29F200FT5AN6F2 TR
仓库库存编号：
M29F200FT5AN6F2 CT-ND
别名：M29F200FT5AN6F2 CT
M29F200FT5AN6F2CT
M29F200FT5AN6F2CT-ND
规格：写周期时间 - 字，页 55ns,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC FLASH 8MBIT 55NS 48TSOP
详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 8Mb （1M x 8，512K x 16） 并联 55ns 48-TSOP
型号：
M29F800FT5AN6F2 TR
仓库库存编号：
M29F800FT5AN6F2 TR-ND
别名：M29F800FT5AN6F2TR
M29F800FT5AN6F2TR-ND
规格：写周期时间 - 字，页 55ns,
无铅
搜索
Cypress Semiconductor Corp
IC FLASH 2MBIT 55NS 32PLCC
详细描述：FLASH 存储器 IC 2Mb （256K x 8） 并联 55ns 32-PLCC（11.43x13.97）
型号：
AM29F002BT-55JF
仓库库存编号：
AM29F002BT-55JF-ND
别名：AM29F002BT55JF
规格：写周期时间 - 字，页 55ns,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC FLASH 8MBIT 55NS 44SO
详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 8Mb （1M x 8，512K x 16） 并联 55ns 44-SO
型号：
M29F800FT55M3E2
仓库库存编号：
557-1581-ND
别名：557-1581
规格：写周期时间 - 字，页 55ns,
无铅
搜索
Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 4MBIT 55NS 32TSOP
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb （512K x 8） 并联 55ns 32-TSOP II
型号：
CY62148EV30LL-55ZSXET
仓库库存编号：
CY62148EV30LL-55ZSXET-ND
规格：写周期时间 - 字，页 55ns,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
IC SRAM 4MBIT 55NS 32TSOP
详细描述：SRAM 存储器 IC 4Mb （512K x 8） 并联 55ns 32-TSOP II
型号：
R1LP0408DSB-5SI#B0
仓库库存编号：
R1LP0408DSB-5SI#B0-ND
规格：写周期时间 - 字，页 55ns,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
IC SRAM 4MBIT 55NS 32SOP
详细描述：SRAM 存储器 IC 4Mb （512K x 8） 并联 55ns 32-SOP
型号：
R1LP0408DSP-5SI#S0
仓库库存编号：
R1LP0408DSP-5SI#S0-ND
规格：写周期时间 - 字，页 55ns,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
IC SRAM 256KBIT 55NS 28TSOP
详细描述：SRAM 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 55ns 28-TSOP
型号：
R1LP5256ESA-5SI#S0
仓库库存编号：
R1LP5256ESA-5SI#S0-ND
规格：写周期时间 - 字，页 55ns,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
IC SRAM 256KBIT 55NS 28SOP
详细描述：SRAM 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 55ns 28-SOP
型号：
R1LP5256ESP-5SI#S0
仓库库存编号：
R1LP5256ESP-5SI#S0-ND
规格：写周期时间 - 字，页 55ns,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
IC SRAM 2MBIT 55NS 32TSOP
详细描述：SRAM 存储器 IC 2Mb （256K x 8） 并联 55ns 32-sTSOP
型号：
R1LV0208BSA-5SI#S0
仓库库存编号：
R1LV0208BSA-5SI#S0-ND
规格：写周期时间 - 字，页 55ns,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
IC SRAM 2MBIT 55NS 44TSOP
详细描述：SRAM 存储器 IC 2Mb （128K x 16） 并联 55ns 44-TSOP II
型号：
R1LV0216BSB-5SI#S0
仓库库存编号：
R1LV0216BSB-5SI#S0-ND
规格：写周期时间 - 字，页 55ns,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
IC SRAM 8MBIT 55NS 44TSOP
详细描述：SRAM 存储器 IC 8Mb （1M x 8） 并联 55ns 44-TSOP II
型号：
R1LV0808ASB-5SI#S0
仓库库存编号：
R1LV0808ASB-5SI#S0-ND
规格：写周期时间 - 字，页 55ns,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
IC SRAM 8MBIT 55NS 48FBGA
详细描述：SRAM 存储器 IC 8Mb （512K x 16） 并联 55ns 48-CSP
型号：
R1LV0816ABG-5SI#S0
仓库库存编号：
R1LV0816ABG-5SI#S0-ND
规格：写周期时间 - 字，页 55ns,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
IC SRAM 8MBIT 55NS 48TSOP
详细描述：SRAM 存储器 IC 8Mb （1M x 8，512K x 16） 并联 55ns 48-TSOP I
型号：
R1LV0816ASA-5SI#S0
仓库库存编号：
R1LV0816ASA-5SI#S0-ND
规格：写周期时间 - 字，页 55ns,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
IC SRAM 8MBIT 55NS 44TSOP
详细描述：SRAM 存储器 IC 8Mb （512K x 16） 并联 55ns 44-TSOP II
型号：
R1LV0816ASB-5SI#S0
仓库库存编号：
R1LV0816ASB-5SI#S0-ND
规格：写周期时间 - 字，页 55ns,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
IC SRAM 8MBIT 55NS 48TSOP
详细描述：SRAM 存储器 IC 8Mb （1M x 8，512K x 16） 并联 55ns 48-TSOP
型号：
R1LV0816ASD-5SI#B0
仓库库存编号：
R1LV0816ASD-5SI#B0-ND
规格：写周期时间 - 字，页 55ns,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
IC SRAM 16MBIT 55NS 48FBGA
详细描述：SRAM 存储器 IC 16Mb （1M x 16） 并联 55ns 48-FBGA（7.5x8.5）
型号：
R1LV1616RBG-5SI#B0
仓库库存编号：
R1LV1616RBG-5SI#B0-ND
规格：写周期时间 - 字，页 55ns,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
IC SRAM 16MBIT 55NS 48FBGA
详细描述：SRAM 存储器 IC 16Mb （1M x 16） 并联 55ns 48-FBGA（7.5x8.5）
型号：
R1LV1616RBG-5SI#S0
仓库库存编号：
R1LV1616RBG-5SI#S0-ND
规格：写周期时间 - 字，页 55ns,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
IC SRAM 16MBIT 55NS 48TSOP
详细描述：SRAM 存储器 IC 16Mb （2M x 8，1M x 16） 并联 55ns 48-TSOP
型号：
R1LV1616RSA-5SI#B0
仓库库存编号：
R1LV1616RSA-5SI#B0-ND
规格：写周期时间 - 字，页 55ns,
无铅
搜索
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
