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Renesas Electronics America
IC SRAM 32MBIT 70NS 48TSOP
详细描述:SRAM 存储器 IC 32Mb (4M x 8,2M x 16) 并联 70ns 48-TSOP I
型号:
R1LV3216RSA-7SR#B0
仓库库存编号:
R1LV3216RSA-7SR#B0-ND
规格:写周期时间 - 字,页 70ns,
无铅
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Renesas Electronics America
IC SRAM 32MBIT 70NS 48FBGA
详细描述:SRAM 存储器 IC 32Mb (2M x 16) 并联 70ns 48-FBGA(7.5x8.5)
型号:
R1WV3216RBG-7SR#B0
仓库库存编号:
R1WV3216RBG-7SR#B0-ND
规格:写周期时间 - 字,页 70ns,
无铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 4MBIT 70NS 34PCM
详细描述:NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 4Mb (512K x 8) 并联 70ns 34-PowerCap 模块
型号:
DS1350ABP-70+
仓库库存编号:
DS1350ABP-70+-ND
规格:写周期时间 - 字,页 70ns,
无铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 4MBIT 70NS 34PCM
详细描述:NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 4Mb (512K x 8) 并联 70ns 34-PowerCap 模块
型号:
DS1350YP-70IND+
仓库库存编号:
DS1350YP-70IND+-ND
规格:写周期时间 - 字,页 70ns,
无铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 4MBIT 70NS 32EDIP
详细描述:NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 4Mb (512K x 8) 并联 70ns 32-EDIP
型号:
DS1250AB-70IND+
仓库库存编号:
DS1250AB-70IND+-ND
规格:写周期时间 - 字,页 70ns,
无铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 4MBIT 70NS 34PCM
详细描述:NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 4Mb (512K x 8) 并联 70ns 34-PowerCap 模块
型号:
DS1250ABP-70IND+
仓库库存编号:
DS1250ABP-70IND+-ND
规格:写周期时间 - 字,页 70ns,
无铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 4MBIT 70NS 34PCM
详细描述:NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 4Mb (512K x 8) 并联 70ns 34-PowerCap 模块
型号:
DS1250YP-70+
仓库库存编号:
DS1250YP-70+-ND
规格:写周期时间 - 字,页 70ns,
无铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 4MBIT 70NS 34PCM
详细描述:NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 4Mb (512K x 8) 并联 70ns 34-PowerCap 模块
型号:
DS1250YP-70IND+
仓库库存编号:
DS1250YP-70IND+-ND
规格:写周期时间 - 字,页 70ns,
无铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 8MBIT 70NS 36EDIP
详细描述:NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 8Mb (1M x 8) 并联 70ns 36-EDIP
型号:
DS1265Y-70+
仓库库存编号:
DS1265Y-70+-ND
规格:写周期时间 - 字,页 70ns,
无铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 8MBIT 70NS 36EDIP
详细描述:NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 8Mb (1M x 8) 并联 70ns 36-EDIP
型号:
DS1265Y-70IND+
仓库库存编号:
DS1265Y-70IND+-ND
规格:写周期时间 - 字,页 70ns,
无铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 16MBIT 70NS 36EDIP
详细描述:NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 16Mb (2M x 8) 并联 70ns 36-EDIP
型号:
DS1270AB-70#
仓库库存编号:
DS1270AB-70#-ND
规格:写周期时间 - 字,页 70ns,
无铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 16MBIT 70NS 36EDIP
详细描述:NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 16Mb (2M x 8) 并联 70ns 36-EDIP
型号:
DS1270AB-70IND#
仓库库存编号:
DS1270AB-70IND#-ND
规格:写周期时间 - 字,页 70ns,
无铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 16MBIT 70NS 36EDIP
详细描述:NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 16Mb (2M x 8) 并联 70ns 36-EDIP
型号:
DS1270Y-70IND#
仓库库存编号:
DS1270Y-70IND#-ND
规格:写周期时间 - 字,页 70ns,
无铅
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Texas Instruments
IC NVSRAM 4MBIT 70NS 32DIP
详细描述:NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 4Mb (512K x 8) 并联 70ns 32-DIP 模块(18.42x42.8)
型号:
BQ4015MA-70
仓库库存编号:
296-9399-5-ND
别名:296-9399-5
规格:写周期时间 - 字,页 70ns,
无铅
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Texas Instruments
IC NVSRAM 4MBIT 70NS 32DIP
详细描述:NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 4Mb (512K x 8) 并联 70ns 32-DIP 模块(18.42x42.8)
型号:
BQ4015YMA-70
仓库库存编号:
296-9400-5-ND
别名:296-9400-5
规格:写周期时间 - 字,页 70ns,
无铅
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Texas Instruments
IC NVSRAM 8MBIT 70NS 36DIP
详细描述:NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 8Mb (1M x 8) 并联 70ns 36-DIP 模块(18.42x52.96)
型号:
BQ4016YMC-70
仓库库存编号:
296-9403-5-ND
别名:296-9403-5
规格:写周期时间 - 字,页 70ns,
无铅
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Texas Instruments
IC NVSRAM 8MBIT 70NS 36DIP
详细描述:NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 8Mb (1M x 8) 并联 70ns 36-DIP 模块(18.42x52.96)
型号:
BQ4016MC-70
仓库库存编号:
296-9402-5-ND
别名:296-9402-5
规格:写周期时间 - 字,页 70ns,
无铅
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Texas Instruments
IC NVSRAM 1MBIT 70NS 32DIP
详细描述:NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 1Mb (128K x 8) 并联 70ns 32-DIP 模块(18.42x42.8)
型号:
BQ4013YMA-70N
仓库库存编号:
296-9395-5-ND
别名:296-9395-5
规格:写周期时间 - 字,页 70ns,
无铅
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Texas Instruments
IC NVSRAM 1MBIT 70NS 32DIP
详细描述:NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 1Mb (128K x 8) 并联 70ns 32-DIP 模块(18.42x42.8)
型号:
BQ4013YMA-70
仓库库存编号:
296-9394-5-ND
别名:296-9394-5
BQ4013YMA70
规格:写周期时间 - 字,页 70ns,
无铅
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Texas Instruments
IC NVSRAM 64KBIT 70NS 28DIP
详细描述:NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 64Kb (8K x 8) 并联 70ns 28-DIP 模块(18.42x37.72)
型号:
BQ4010YMA-70
仓库库存编号:
296-9390-5-ND
别名:296-9390-5
BQ4010YMA70
规格:写周期时间 - 字,页 70ns,
无铅
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Texas Instruments
IC NVSRAM 256KBIT 70NS 28DIP
详细描述:NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 256Kb (32K x 8) 并联 70ns 28-DIP 模块(18.42x37.72)
型号:
BQ4011YMA-70
仓库库存编号:
296-9393-5-ND
别名:296-9393-5
BQ4011YMA70
规格:写周期时间 - 字,页 70ns,
无铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 1MBIT 70NS 32EDIP
详细描述:NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 1Mb (128K x 8) 并联 70ns 32-EDIP
型号:
DS1245Y-70IND
仓库库存编号:
DS1245Y-70IND-ND
别名:DS1245Y70IND
规格:写周期时间 - 字,页 70ns,
含铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 256KBIT 70NS 28EDIP
详细描述:NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 256Kb (32K x 8) 并联 70ns 28-EDIP
型号:
DS1230AB-70
仓库库存编号:
DS1230AB-70-ND
别名:DS1230AB70
规格:写周期时间 - 字,页 70ns,
含铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 256KBIT 70NS 28EDIP
详细描述:NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 256Kb (32K x 8) 并联 70ns 28-EDIP
型号:
DS1230Y-70
仓库库存编号:
DS1230Y-70-ND
别名:DS1230Y70
规格:写周期时间 - 字,页 70ns,
含铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 2MBIT 70NS 32EDIP
详细描述:NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 2Mb (256K x 8) 并联 70ns 32-EDIP
型号:
DS1249Y-70
仓库库存编号:
DS1249Y-70-ND
别名:DS1249Y70
规格:写周期时间 - 字,页 70ns,
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