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Micron Technology Inc.
IC FLASH 16GBIT 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 16Gb (2G x 8) 并联 63-VFBGA(9x11)
型号:
MT29F16G08ADBCAH4:C TR
仓库库存编号:
MT29F16G08ADBCAH4:C TR-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 16GBIT 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 16Gb (2G x 8) 并联 63-VFBGA(9x11)
型号:
MT29F16G08ADBCAH4:C
仓库库存编号:
MT29F16G08ADBCAH4:C-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 32GBIT 48TSOP
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 32Gb (4G x 8) 并联 48-TSOP
型号:
MT29F32G08ABAAAWP-ITZ:A TR
仓库库存编号:
MT29F32G08ABAAAWP-ITZ:A TR-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 32GBIT 100MHZ 100VBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 32Gb (4G x 8) 并联 100MHz 100-VBGA(12x18)
型号:
MT29F32G08ABCABH1-10ITZ:A TR
仓库库存编号:
MT29F32G08ABCABH1-10ITZ:A TR-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 32GBIT 48TSOP
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 32Gb (4G x 8) 并联 48-TSOP
型号:
MT29F32G08ABAAAWP-ITZ:A
仓库库存编号:
MT29F32G08ABAAAWP-ITZ:A-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 32GBIT 100MHZ 100VBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 32Gb (4G x 8) 并联 100MHz 100-VBGA(12x18)
型号:
MT29F32G08ABCABH1-10ITZ:A
仓库库存编号:
MT29F32G08ABCABH1-10ITZ:A-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 16GBIT WAFER
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 16Gb (2G x 8) 并联
型号:
MT29F16G08ABACAM72A3WC1P
仓库库存编号:
MT29F16G08ABACAM72A3WC1P-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 288MBIT 400MHZ 144FBGA
详细描述:DRAM 存储器 IC 288Mb (16M x 18) 并联 400MHz 20ns 144-FBGA(18.5x11)
型号:
MT49H16M18SJ-25 IT:B TR
仓库库存编号:
MT49H16M18SJ-25 IT:B TR-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 288MBIT 400MHZ 144FBGA
详细描述:DRAM 存储器 IC 288Mb (8M x 36) 并联 400MHz 20ns 144-FBGA(18.5x11)
型号:
MT49H8M36SJ-25 IT:B TR
仓库库存编号:
MT49H8M36SJ-25 IT:B TR-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 288MBIT 400MHZ 144FBGA
详细描述:DRAM 存储器 IC 288Mb (8M x 36) 并联 400MHz 20ns 144-FBGA(18.5x11)
型号:
MT49H8M36SJ-25 IT:B
仓库库存编号:
MT49H8M36SJ-25 IT:B-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 288MBIT 400MHZ 144FBGA
详细描述:DRAM 存储器 IC 288Mb (16M x 18) 并联 400MHz 20ns 144-FBGA(18.5x11)
型号:
MT49H16M18SJ-25 IT:B
仓库库存编号:
MT49H16M18SJ-25 IT:B-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 32GBIT TSOP
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 32Gb (4G x 8) 并联 48-TSOP I
型号:
MT29F32G08AFACAWP-Z:C TR
仓库库存编号:
MT29F32G08AFACAWP-Z:C TR-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 32GBIT TSOP
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 32Gb (4G x 8) 并联 48-TSOP I
型号:
MT29F32G08AFACAWP-Z:C
仓库库存编号:
MT29F32G08AFACAWP-Z:C-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 16GBIT 48TSOP
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 16Gb (2G x 8) 并联 48-TSOP
型号:
MT29F16G08AJADAWP-IT:D TR
仓库库存编号:
MT29F16G08AJADAWP-IT:D TR-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 16GBIT 48TSOP
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 16Gb (2G x 8) 并联 48-TSOP
型号:
MT29F16G08AJADAWP-IT:D
仓库库存编号:
MT29F16G08AJADAWP-IT:D-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 256GBIT 83MHZ 48TSOP
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 256Gb (32G x 8) 并联 83MHz
型号:
MT29F256G08CJABBWP-12IT:B TR
仓库库存编号:
MT29F256G08CJABBWP-12IT:B TR-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 8GBIT 933MHZ 78FBGA
详细描述:SDRAM - DDR3L 存储器 IC 8Gb (1G x 8) 并联 933MHz 20ns 78-FBGA(9x13.2)
型号:
MT41K1G8SN-107 IT:A
仓库库存编号:
MT41K1G8SN-107 IT:A-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 256GBIT 83MHZ 48TSOP
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 256Gb (32G x 8) 并联 83MHz
型号:
MT29F256G08CJABBWP-12IT:B
仓库库存编号:
MT29F256G08CJABBWP-12IT:B-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 256GBIT 83MHZ 152VBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 256Gb (32G x 8) 并联 83MHz
型号:
MT29F256G08CEECBH6-12:C
仓库库存编号:
MT29F256G08CEECBH6-12:C-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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IC FLASH 256GBIT 83MHZ 152VBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 256Gb (32G x 8) 并联 83MHz
型号:
MT29F256G08CEECBH6-12:C TR
仓库库存编号:
MT29F256G08CEECBH6-12:C TR-ND
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 16GBIT 1.6GHZ FBGA
详细描述:SDRAM - Mobile LPDDR4 存储器 IC 16Gb(512M x 32) 1600MHz
型号:
MT53B512M32D2NP-062 WT:C TR
仓库库存编号:
MT53B512M32D2NP-062 WT:C TR-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 16GBIT 1.6GHZ FBGA
详细描述:SDRAM - Mobile LPDDR4 存储器 IC 16Gb(512M x 32) 1600MHz
型号:
MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B TR
仓库库存编号:
MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B TR-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 384GBIT 267MHZ 132VBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 384Gb(48G x 8) 并联 267MHz
型号:
MT29F384G08EBCBBJ4-37:B
仓库库存编号:
MT29F384G08EBCBBJ4-37:B-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 288MBIT 400MHZ 144UBGA
详细描述:DRAM 存储器 IC 288Mb (16M x 18) 并联 400MHz 20ns 144-FBGA(18.5x11)
型号:
MT49H16M18CSJ-25 IT:B
仓库库存编号:
MT49H16M18CSJ-25 IT:B-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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IC RLDRAM 288MBIT 400MHZ 144FBGA
详细描述:DRAM 存储器 IC 288Mb (16M x 18) 并联 400MHz 20ns 144-FBGA(18.5x11)
型号:
MT49H16M18CSJ-25 IT:B TR
仓库库存编号:
MT49H16M18CSJ-25 IT:B TR-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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